理論計算的案例
Moldex3D仿真分析之塑件冷卻時間理論計算
利用MHC設(shè)計估算器的?澆口剪切率?功能，用戶可以藉由調(diào)整澆口尺寸，用公式計算出不同流率下標(biāo)準(zhǔn)的網(wǎng)關(guān)型澆口跟圓型澆口剪切率數(shù)值，圓形澆口的計算公式如下圖五所示。
圖五 圓形澆口與網(wǎng)關(guān)型澆口的剪切率理論公式
圖六 不同流率與澆口外型/尺寸下的剪切率計算結(jié)果
總結(jié)
透過設(shè)計估算器，在進(jìn)行搭建模型并進(jìn)行完整的模流分析之前，使用者可以先藉由經(jīng)典理論來初步評估澆口尺寸、冷卻時間等問題的理論值。MHC將各種經(jīng)典理論公式計算出的結(jié)果以可視化的方式呈現(xiàn)、并搭配簡易的輸入接口，方便用戶在不需深入了解理論基礎(chǔ)的情況下，也能快速計算出理論值，以利進(jìn)行CAE模擬之前對于各項成型參數(shù)能完成初步的評估。
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利用MHC設(shè)計估算器的?澆口剪切率?功能，用戶可以藉由調(diào)整澆口尺寸，用公式計算出不同流率下標(biāo)準(zhǔn)的網(wǎng)關(guān)型澆口跟圓型澆口剪切率數(shù)值，圓形澆口的計算公式如下圖五所示。
圖五 圓形澆口與網(wǎng)關(guān)型澆口的剪切率理論公式
圖六 不同流率與澆口外型/尺寸下的剪切率計算結(jié)果
總結(jié)
透過設(shè)計估算器，在進(jìn)行搭建模型并進(jìn)行完整的模流分析之前，使用者可以先藉由經(jīng)典理論來初步評估澆口尺寸、冷卻時間等問題的理論值。MHC將各種經(jīng)典理論公式計算出的結(jié)果以可視化的方式呈現(xiàn)、并搭配簡易的輸入接口，方便用戶在不需深入了解理論基礎(chǔ)的情況下，也能快速計算出理論值，以利進(jìn)行CAE模擬之前對于各項成型參數(shù)能完成初步的評估。
展開 理論計算和CFD計算對比及不同參考值設(shè)定對阻力系數(shù)的影響-ujs
針對同一個例子，采用理論數(shù)值計算和CFD仿真計算來對比分析了二者計算的結(jié)果，并對比分析了不同湍流模型對計算結(jié)果的影響和數(shù)值理論計算的誤差，從而為以后的CFD計算提供相應(yīng)的參考模型；在確定誤差較小的湍流模型的基礎(chǔ)上，分別設(shè)置不同的參考值來計算阻力系數(shù)，期望能夠的阻力系數(shù)以及升力系數(shù)的監(jiān)測提供更進(jìn)一步的支持，能夠和大家多多交流。
在這過程中感謝大家對我的幫助。
同時，該帖子也算是對http://forums.caenet.cn/showtopic-527454.aspx和http://forums.caenet.cn/showtopic-522864.aspx的解答和補(bǔ)充。
由于帖子內(nèi)容完全由自己的體會所寫，如有錯誤的地方，請閱讀附件內(nèi)容之后明確指出，
一起學(xué)習(xí)進(jìn)步！
理論計算和CFD計算對比及不同參考值設(shè)定對阻力系數(shù)的影響.pdf
展開 電子器件的熱損耗理論計算（二）
今天我們來分享一下典型有源器件的熱損耗理論計算方法。在正式介紹之前，先普及一下兩個名詞。什么是有源器件？什么是無源器件？
簡單地講，需要電能（源）的器件叫有源器件，無需電能（源）的器件就是無源器件。有源器件一般用來信號放大、變換等，無源器件用來進(jìn)行信號傳輸，或者通過方向性進(jìn)行“信號放大”。容、阻、感都是無源器件，IC、模塊等都是有源器件。（或者說，需要電能才能顯示其特性的就是有源器件，如三極管。而不用電能就能顯示其特性的就叫無源器件）
（1）CMOS器件
雙極元件的熱損耗是一個頻率相關(guān)的常數(shù)。CMOS器件的熱損耗是頻率的一階函數(shù)和器件幾何尺寸的二階函數(shù)。CMOS器件的轉(zhuǎn)換功率占總熱損耗的70%~90%。轉(zhuǎn)換功率由下式確定：
晶體管門電路在轉(zhuǎn)換狀態(tài)時產(chǎn)生的短路功率占總耗散功率的10%~30%。為了確定短路時的熱損耗，必須知道晶體管的門電路數(shù)。短路功率的單位通常為【μW/MHz門（電路）】，則熱損耗為：
（2）面結(jié)型場效應(yīng)管（JunctionFET）
面結(jié)型場效應(yīng)管有三種工作狀態(tài)：開、關(guān)和線性轉(zhuǎn)換。當(dāng)面結(jié)型場效應(yīng)管處于開狀態(tài)時，熱損耗為
在線性轉(zhuǎn)換和關(guān)狀態(tài)時，熱損耗為VI。
（3）Power MOSFET器件
Power MOSFET的熱損耗由5部分電流損失組成：
Power MOSFET柵損失由電容性負(fù)載和一些電阻組成，則柵結(jié)構(gòu)的耗散功率計算式為
以上就是今天分享的有源器件熱損耗理論計算。實際工程應(yīng)用中，很多熱損耗是可以從規(guī)格書里查到的，如果查不到，可以用這些理論公式計算。
展開 
熱設(shè)計篇--電子器件的熱損耗理論計算（一）
熱損耗可以通過試驗測量或者理論計算的方法確定。本文會連載幾篇介紹幾種常見電子器件熱損耗的理論計算方法，供諸君參考使用。
電子器件產(chǎn)生的熱量是其正常工作時必不可少的副產(chǎn)物。當(dāng)電流流過半導(dǎo)體或者無源器件時，一部分功率就會以熱能的形式散失掉，這部散失掉的功率稱為熱損耗，計算公式如下：
如果電壓或者電流隨著時間變化，那么熱損耗由平均熱損耗給出，可以用下面的公式表示：
當(dāng)然上面熱損耗的公式是一個籠統(tǒng)的公式，實際上對于不同的電子器件，公式都不一樣。后續(xù)我們會分別介紹有源器件CMOS、JunctionFET、MOSFET和無源器件導(dǎo)線、電阻、電容器、電感器和變壓器等熱損耗的理論計算公式。
展開 大跨度橋梁結(jié)構(gòu)理論計算
大跨度橋梁結(jié)構(gòu)理論計算
大跨度橋梁結(jié)構(gòu)計算理論.part1.rar
大跨度橋梁結(jié)構(gòu)計算理論.part2.rar
大跨度橋梁結(jié)構(gòu)計算理論.part3.rar
ANSYS與ABAQUS關(guān)于梁單元后處理的計算與理論值比較（糾錯）- CAE夢想很偉大
ANSYS與ABAQUS關(guān)于梁單元后處理的計算與理論值比較（推薦）- CAE夢想很偉大
本文原創(chuàng)，若是轉(zhuǎn)載，請注明出處和筆名CAE-夢想很偉大。
感謝abaqus襄陽對于本文中錯誤Mises應(yīng)力的問題的糾正。
本文目的
本文以工程項目中出現(xiàn)的評估問題為原型，以懸臂梁為例，對abaqus的mises應(yīng)力在評估梁單元的如何獲得正確性進(jìn)行說明。以理論計算為主，聯(lián)合ansys 和ansys workbench的計算結(jié)果，縱向評估正確的abaqus查看梁單元的正確用法beam-stress。
雖然本文可能小題大做，但是對于新手和一般不了解beam-mises的工程師，都希望引起足夠的重視。若是有任何異議，請大家留言，也歡迎大家留言討論。
具體內(nèi)容如下
以10×10mm矩形截面，長度100mm的矩形管為例進(jìn)行說明。
載荷：軸向載荷為10000N，彎矩為100N.m。通過理論計算
理論計算結(jié)果
軸向正應(yīng)力為 ，
彎曲最大應(yīng)力為
疊加組合應(yīng)力
最大組合應(yīng)力100+60=160
最小組合應(yīng)力100-60=40
下面對比有限元計算結(jié)果與理論值比對，如表格所示
可以知道ANSYS、WB、ABAQUS顯示結(jié)果均與理論值一致。但是需要注意的是，ABAQUS需要修改截面顯示設(shè)置，需要考慮TOP和BOTTOM同時顯示數(shù)據(jù)，才能獲得正確的MISES結(jié)果。
ABAQUS的Mises不同截面激活設(shè)置顯示形式的比較如圖4所示。
展開 根據(jù)葉素動量理論計算風(fēng)機(jī)推力和傾覆彎矩（matlab程序） ￥129
根據(jù)葉素動量理論計算風(fēng)機(jī)推力和傾覆彎矩（matlab程序）
目前在做風(fēng)機(jī)的相關(guān)模擬，但是有關(guān)葉片受力的計算一直困擾我好久，網(wǎng)上關(guān)于葉素動量理論的公式很多，但是有關(guān)類似的計算程序很少，于是和課題組同學(xué)一起編寫了關(guān)于葉素動量理論matlab程序。
使用教程如下:
1.在wind.txt的文本文檔中自定義有關(guān)風(fēng)速的數(shù)據(jù)，第一列為時間（s）,第二列為風(fēng)速（m/s）。
示例：假定風(fēng)速恒定
2.
在主文件代碼的72行時間t0與wind.txt文件最后的時間要對應(yīng)。
3.自定義相關(guān)參數(shù)，以下參數(shù)根據(jù)自己的模型修改
4.airfoil.txt 文檔里定義了不同截面參數(shù)，第一列為截面距根部距離，第二列為弦長，第三列為扭角，第四列為厚度（可不作修改，建議默認(rèn)，這里與葉片形狀有關(guān)）
結(jié)果展示：
展開 單自由度彈簧阻尼器仿真分析+理論計算
在ADAMS中進(jìn)行仿真計算可得,見表1：（附件：Frequency）
EIGEN VALUES (Time = 0.0)FREQUENCY UNITS: (Hz) 表1
MODE NUMBER
UNDAMPED NATURAL FREQUENCY
DAMPING RATIO
REAL
IMAGINARY
1
8.224782E-001
2.583888E-002
-2.125191E-002
+/- 8.222036E-001
四、衰減振動分析：
由理論分析可知， 測量SPRING_1_MEA_dispace.Q即為公式（4）的x，具體的衰減過程如圖4所示。
減幅系數(shù) 的計算，可根據(jù)公式（6）進(jìn)行計算：
理論值：
測量值： （備注：取前兩個峰值計算）
上述衰減過程只是一個感性的認(rèn)識，有興趣的朋友可以通過模型的已知參數(shù)帶入到公式（4）中，并根據(jù)初始條件計算出該模型的理論振型函數(shù)，與仿真結(jié)果進(jìn)行對比分析。
四、非線性彈簧仿真：
為了模擬非線性彈簧，需要導(dǎo)入彈簧的剛度系數(shù)，然后借助SFORCE來模擬。具體操作步驟為：
1、導(dǎo)入彈簧剛度系數(shù)：
建立彈簧剛度系數(shù)文件：創(chuàng)建SpringAttribution.txt文件，內(nèi)容如下圖5所示。利用file-import將給文件導(dǎo)入，建立Spline曲線。具體操作過程及結(jié)果如下圖6、7所示。
2、建立非線性彈簧：
與上一模型不同之處，即將彈簧用SFOCE代替，其他設(shè)置過程完全一樣，模型如圖7所示。
展開 熱設(shè)計篇--電子器件的熱損耗理論計算（三）
今天我們來分享下無源器件熱損耗的計算。什么叫無源器件呢？上篇文章有提到過，簡單地講，需要電能（源）的器件叫有源器件，無需電能（源）的器件就是無源器件。無源器件一般用來進(jìn)行信號傳輸，或者通過方向性進(jìn)行“信號放大”，容、阻、感都是無源器件。
提到無源器件的熱損耗，不得不提到一位著名的科學(xué)家（如下照片），他是誰呢？
還沒猜中？再提示一下，是誰發(fā)現(xiàn)了這個規(guī)律：電流通過導(dǎo)體所產(chǎn)生的熱量和導(dǎo)體的電阻成正比，和通過導(dǎo)體的電流的平方成正比，和通電時間成正比。
對，他就是著名的焦耳，他發(fā)現(xiàn)了著名的焦耳定律。很多無源器件的熱損耗都是通過焦耳定律來計算的。下面我們來一一介紹：
（1）導(dǎo)線
連接導(dǎo)線的穩(wěn)態(tài)熱損耗是由焦耳定律給出，即：
（2）電阻
電阻的穩(wěn)態(tài)熱損耗也由焦耳定律給出，即：
（3）電容器
雖然電容器通常被認(rèn)為沒有熱損耗，但實際上由于電容器內(nèi)部也有阻抗，因而也會產(chǎn)生熱損耗。正弦波激勵的電容器熱損耗的計算式為：
（4）電感器和變壓器
電感器和變壓器的熱損耗的計算方法與電阻類似，即：
以上就是今天分享的無源器件熱損耗理論計算。實際工程應(yīng)用中，很多熱損耗是可以從規(guī)格書里查到的，如果查不到，可以用這些理論公式計算。
展開 楔橫軋軋制力的理論計算
求教：楔橫軋軋制力的理論計算，數(shù)學(xué)計算
第一篇梁單元的軸力圖 （理論計算、ABAQUS仿真、ANSYS仿真方法） ￥10
第一篇梁單元的軸力圖
（理論計算、ABAQUS仿真、ANSYS仿真方法）
篇幅內(nèi)容僅針對自我學(xué)習(xí)總結(jié)展示，并希望給軟件初學(xué)者帶來一定啟發(fā)。
結(jié)構(gòu)有限元仿真中有兩種一維單元：桁架與梁
桁架單元：僅承受軸力作用；如二力桿。由于只在軸向承受拉/壓載荷，所以只需要定義截面面積；應(yīng)力和變形均與截面形狀無關(guān)。ABAQUS 6.14-4中對應(yīng)單元為truss T2D2；ANSYS 18.0中對應(yīng)單元為link180。
梁單元：可承受軸向拉/壓載荷，具有承受扭轉(zhuǎn)和彎曲的能力。由于可承受扭轉(zhuǎn)、彎曲等組合變形，梁單元需要定義截面形狀。ABAQUS與ANSYS對應(yīng)均為beam單元。
孫訓(xùn)芳先生的《材料力學(xué)》例題2-1：一等直桿及其受力情況如下圖，試作桿的軸力圖。
由于桁架單元僅能承受拉/壓載荷；而梁單元可承受拉、壓、彎曲、扭轉(zhuǎn)的組合變形，梁單元可承受的載荷類型更為復(fù)雜，故此篇通篇采用梁單元作為分析。
展開 光刻技術(shù)第21期 | BCS計算光刻理論
在此背景下，融合貝葉斯統(tǒng)計與壓縮感知的BCS（Bayesian Compressed Sensing）計算光刻理論應(yīng)運而生，成為破解上述瓶頸的關(guān)鍵理論支撐。
BCS計算光刻理論的核心優(yōu)勢在于通過統(tǒng)計建模與稀疏優(yōu)化的協(xié)同，實現(xiàn)光刻系統(tǒng)的精準(zhǔn)調(diào)控，其技術(shù)體系圍繞三大關(guān)鍵模塊構(gòu)建：BCS問題模型作為理論基礎(chǔ)，通過融入光刻物理機(jī)理建立稀疏信號與觀測數(shù)據(jù)的關(guān)聯(lián)，突破線性模型的適配局限；
先驗分布與邊緣概率密度建模為統(tǒng)計推斷提供依據(jù)，動態(tài)適配不同圖形特征的稀疏性規(guī)律，提升模型魯棒性；最優(yōu)信號估計與迭代優(yōu)化則為工程化求解提供路徑，通過高效迭代算法實現(xiàn)精度與效率的平衡。本文聚焦BCS計算光刻理論體系，系統(tǒng)解析各核心模塊的構(gòu)建邏輯與內(nèi)在關(guān)聯(lián)，闡明其在光刻優(yōu)化中的作用機(jī)理，為先進(jìn)計算光刻技術(shù)的工程化應(yīng)用提供理論支撐。
在先進(jìn)制程光刻的光源優(yōu)化中，貝葉斯壓縮感知（BCS）光源優(yōu)化技術(shù)是實現(xiàn)“少測量、高精度、易制造”光源的核心支撐——它以概率統(tǒng)計與先驗約束為核心，讓光源信號的重構(gòu)既高效又貼合實際工藝需求。
02/BCS問題模型
BCS聚焦的核心問題模型，是通過“已知的壓縮測量向量”恢復(fù)“未知的光源信號”：其中，已知的壓縮測量向量是實際采集到的光刻數(shù)據(jù)，未知信號對應(yīng)待優(yōu)化的光源信息，二者通過線性映射關(guān)聯(lián)，過程中可能存在高斯噪聲干擾。
而BCS的核心目的，是在已知測量數(shù)據(jù)的前提下，重構(gòu)出以零元素為主的稀疏信號（即光源信息）——這種“稀疏性”恰好匹配了光刻光源“簡潔易制造”的需求，同時讓模型關(guān)系盡可能貼近實際情況。
展開 多場耦合電磁彈性體的基本理論與計算方法研究
對于這類智能材料系統(tǒng)的研究，首要工作是建立起 能夠準(zhǔn)確反映壓電、壓磁傳感器和致動器與主體結(jié)構(gòu)之間相互作用的分析模型，這種分析模 型既要能夠從整體上反映壓電、壓磁智能結(jié)構(gòu)中磁-電-力耦合作用的內(nèi)在聯(lián)系，又要便于運用 必要的數(shù)學(xué)工具進(jìn)行分析和計算。
多場耦合電磁彈性體的基本理論與計算方法研究.pdf
大規(guī)模科學(xué)與工程計算的理論和方法
內(nèi)容簡介：
大規(guī)模科學(xué)與工程計算的理論和方法.part1.rar
大規(guī)模科學(xué)與工程計算的理論和方法.part2.rar
