GDT的案例
干貨 | 電路保護三種常見防護器件對比
電路保護最常見的器件有三：GDT、MOV和TVS。
01
GDT陶瓷氣體放電管
在正常的工作條件下，一只GDT的并聯阻抗約為1TΩ ，并聯電容為1pF以下。當施加在GDT兩端的電勢低于氣體電離電壓(即“輝光”電壓)時，GDT的小漏電流(典型值小于1 pA)和小電容幾乎不發生變化。一旦GDT達到輝光電壓，其并聯阻抗將急劇下降，從而電流流過氣體。不斷增加的電流使大量氣體形成等離子體，等離子體又使該器件上的電壓進一步降低至15V左右。當瞬變源不再繼續提供等離子電流時，等離子體就自動消失。GDT的凈效果是一種消弧作用，它能在1ms內將瞬變事件期間的電壓限制在大約15V以下。GDT的一個主要優點是迫使大部分能量消耗在瞬變的源阻抗中，而不是消耗在保護器件或被保護的電路中。GDT的觸發電壓由信號電壓的上升速率(dV/dt)、GDT的電極間隔、氣體類型以及氣體壓力共同確定。該器件可以承受高達20 kA的電流。
GDT有單極和三極兩種形式。三極GDT是一個看似簡單的器件，能在大難臨頭的關鍵時刻保持一個差分線對的平衡：少許的不對稱可以使瞬變脈沖優先耦合到平衡饋線的某一側，因而產生一個巨大的差分信號。即使瞬變事件對稱地發生在平衡饋線上，兩個保護器件響應特性的微小差別也會使一個破壞性的脈沖振幅出現在系統的輸入端上。三極GDT在一個具有共用氣體容積的管內提供一個差分器件和兩個并聯器件。
展開 “1加1大于4”的電路保護設計，值得一看！
但還有一個更大的問題和復雜性：MOV和GDT區域的電路板布局通常受制于定義最小爬電距離和電氣間隙的監管要求。間隙是空氣中兩個導電部件之間的最短距離;爬電距離是指兩個導電部件之間沿著固體絕緣材料表面的最短距離。
這些距離將隨著電壓的增加而增加。因此，MOV和GDT元器件在實際的電路板布局時又增加了另一個需要關注和約束的點。
最近，看到一種相對較新的保護器件，它是兩個現有器件的組合，但不光是兩個分立元器件的簡單、明顯的合并封裝。Bourns公司的IsoMOV系列混合保護系列產品中的器件就是將MOV和GDT整合在一個封裝中，能提供與分立MOV和GDT串聯等效的功能(圖5)。
圖5：IsoMOV的原理圖符號(右)顯示為兩個器件各自標準符號的合并。
展開 #氣體放電管# 學習使用怎么把電流泄放入大地
4、GDT存在續流問題，故不能單獨用在電源上，如果電源工作電壓大于GDT續流電壓，就會使GDT一直導通，故須搭配壓敏電阻使用。
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#氣體放電管# 學習使用怎么把電流泄放入大地
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展開 
AutoCAD2018中如何輸入深度符號
3.輸入"?10.0x15",將其字體設置為"gdt",因為在"gdt"字體下，"x"代表深度符號。
（v代表圓柱形沉孔和锪平面孔符號；x代表孔深符號；w代表錐形沉孔符號）
調整修改，其尺寸標注完畢，效果如下：
硬件特訓班問題解答【57問-15】
答: (1)首先我們的D4，D5的作用是作為退耦元件來使用
(2) 所謂的退耦元件指的是我們在做EMS防護電路設計中的一個基本原則
(3) 我們說EMS防護電路設計指的是:多級防護逐級遞減
(4) EMS防護電路由于浪涌能量的不同，一般我們是第一級主要是這種類似于GDT氣體放滴管這種大通流量的器件，而第二級或者第三級則主要是通流量小一些的MOV壓敏電阻或者TVS管
(5) 通流量GDT>MOV>TVS,但是響應時間是GDT<MOV<TVS,所以就存在一個悖論是我們原本想在最前面通過這種大通流量的器件去吸收浪涌等流量，但是如果不做任何處理的話，由于TVS管會優先相應，所以需要在這兩種器件之間加一個緩沖器件來讓浪涌能量去到TVS管之前GDT響應來承受比較大的沖擊能量
49. 何謂扇入、扇出、扇入系數及扇出系數？
展開 cad沉孔及孔深符號怎么通過文字輸入方式打出來？
方法有兩種，下面我們就通過下圖來看看CAD怎么用孔深、柱形沉孔、錐形沉孔符號標注：
第一種方法：直接雙擊修改文字并插入代替的符號并將這幾個符號的文字類型改為gdt
x為沉孔深度符號
w為錐形沉孔符號
v為柱形沉孔和锪平面孔符號
以上快捷鍵的前提是：設文字樣式中字體：gbeitc.shx ,大字體gbcbig.shx
比如需要標注出下圖的效果
則需將雙擊進入文字編輯狀態的文字部分寫成以下內容，
文字內容書寫完畢后，將插入的V及X兩個有代表性的字母文字改成gdt格式
修改后的結果如下：
第二種：直接在特性里修改標注的文字替代內容：
將數字40的內容直接更改為\fgdt;v%%c40\fgdt;x15
更改后的效果如下：
\fgdt;x為沉孔深度符號
\fgdt;w為錐形沉孔符號
\fgdt;v為柱形沉孔和锪平面孔符號
以上快捷鍵的前提是：設文字樣式中字體：gbeitc.shx ,大字體gbcbig.shx
展開 硬件特訓班問題解答【57問-6】
我們要做好EMC輔助電路設計
(3)EMC輔助電路主要是兩大塊，EMI濾波+EMS防護
(4)EMS防護我們首先遵循多級防護逐級遞減的黃金原則，然后合理的選擇GDT,MOV,TVS等器件進行設計
(5)針對于EMS防護器件其首先是分為兩大類，一類是鉗位型的如TVS如MOV.另外一類是開關型如GDT。而要使用這些防護器件進行EMS防護電路設計的話，其參數的選取就非常重要
(6)關于EMS防護器件其每種器件參數都非常多，主要是電壓相關參數，我們最重要的是把這一堆的電壓相關參數搞明白了，然后就可以知道怎么選型設計了，但是這些參數要講明白至少要好幾個小時，同樣的大家可以參考老白硬件系列課程P4部分的內容
(7)至于濾波電路我們主要考慮共模干擾和差模干擾的抑制
3. 白老師您好！我是一名電子工程師，單片機軟硬件都做，已經做了快十年了，我有必要學習linux開發嗎？個人覺得，只有把單片機，該會的都會了，Linux這種重量級的系統開發就沒必要折騰。如果對單片機已經做了很熟了，有必要往Linux開發上走嗎？往Linux上走的意義是什么？
展開 硬件特訓班問題解答【57問-8】
希望老師給個常用的推薦電路配置，謝謝
(1)其實對于電源入口或者通訊接口其防護設計都是類似的，其重點永遠都是一樣的，即EMC輔助電路設計
(2)EMC輔助電路設計和EMC設計都是類似的，即EMI濾波和EMS防護
(3)EMI濾波我們主要考慮差模濾波和共模濾波，其關鍵是根據具體產品決定幾階濾波，比如說共模濾波，我們可以通過共模電容+共模電感實現二階共模濾波，其差模也類似，大家可以參考220VAC電源入口的XY電容以及共模電感差模電感其設計
(4)EMS防護，首先其設計規則是多階防護逐級遞減，其一般是通過GDT,TVS,MOS等共同來實現;其實我們的EMS防護主要是針對于surge進行防護，當然造成surge的機制非常多，有靜電，有雷擊，有電網的電壓突然跌落等等等等；而浪涌的表現形式也有兩種:共模浪涌能量和差模浪涌能量，所以在EMS防護電路設計里面我們也要把這兩塊考慮進去，也就是紀要防護共模浪涌能量也要防護差模浪涌能量
(5)其常見的設計套路如下圖:
(6)至于說XY電容，共模電感，差模電感，EMC基礎，GDT,MOV,TVS其內部結構，工作原理，具體選型，設計等等更詳細的內容可以參考老白硬件特訓班:
https://item.taobao.com/item.htm?spm=a1z10.5-c-s.w4002-21870440440.43.c3cb1839bIEpvV&id=6315286
2.
展開 有限元網格剖分原理（轉帖）
主要有三種：RSD/GDT法、RSD/EE法和RSD/DDT法。它們主要有以下特點：
① RSD/EE法不能處理曲面實體、非流形體和不連通實體。與此相反，RSD/DDT法卻能處理有孔的任意曲面實體、非流形體和不連通實體，而且所形成四面體形狀質量良好。
② RSD/DDT法根據需要以滿足條件為準則插入新點，因此所插入的新點數量少，而RSD/GDT法則會插入許多冗余點。
③ RSD/GDT法使用點/實體分類，使時間復雜性至少大一個數量級，而RSD/DDT法不使用點/實體分類，因此，RSD/DDT法平均時間復雜性為O(N2)，N為實體S的總表面數。RSD/EE法具有不確定的時間復雜性。
④ RSD/DDT法完全建立網格圖素拓撲一一對應，因此拓撲是健全的，與此相反，RSD/GDT法是拓撲不健全的。 各種RSD法的優點是網格生成完全自動，網格剖分速度快，非常適用于自適應網格生成。主要缺點是邊界單元形狀難于完全保證。另外，RSD法對物體的方向特別敏感。
(5) 結點連元法 結點連元法是先生成結點，然后連接結點構成單元。最常用的是DT法和AFM法。
① DT法的基本原理：任意給定N個平面點Pi(i=1,2,…,N)構成的點集為S，稱滿足下列條件的點集Vi為Voronoi多邊形。其中，Vi滿足下列條件：Vi ={ X:|X- Pi|(|X- Pj|,X(R2,i(j,j=1,2,…,N }Vi為凸多邊形，稱{ Vi}mi=1為Dirichlet Tesselation圖或對偶的Voronoi圖。連接相鄰Voronoi多邊形的內核點可構成三角形Tk，稱集合{ Tk }為Delaunay三角剖分。DT法的最大優點是遵循“最小角最大”和“空球”準則。因此，在各種二維三角剖分中，只有Delaunay三角剖分才同時滿足全局和局部最優。
展開 有限元網格剖分原理
主要有三種：RSD/GDT法、RSD/EE法和RSD/DDT法。它們主要有以下特點：
① RSD/EE法不能處理曲面實體、非流形體和不連通實體。與此相反，RSD/DDT法卻能處理有孔的任意曲面實體、非流形體和不連通實體，而且所形成四面體形狀質量良好。
② RSD/DDT法根據需要以滿足條件為準則插入新點，因此所插入的新點數量少，而RSD/GDT法則會插入許多冗余點。
③ RSD/GDT法使用點/實體分類，使時間復雜性至少大一個數量級，而RSD/DDT法不使用點/實體分類，因此，RSD/DDT法平均時間復雜性為O(N2)，N為實體S的總表面數。RSD/EE法具有不確定的時間復雜性。
④ RSD/DDT法完全建立網格圖素拓撲一一對應，因此拓撲是健全的，與此相反，RSD/GDT法是拓撲不健全的。 各種RSD法的優點是網格生成完全自動，網格剖分速度快，非常適用于自適應網格生成。主要缺點是邊界單元形狀難于完全保證。另外，RSD法對物體的方向特別敏感。
(5) 結點連元法 結點連元法是先生成結點，然后連接結點構成單元。最常用的是DT法和AFM法。
① DT法的基本原理：任意給定N個平面點Pi(i=1,2,…,N)構成的點集為S，稱滿足下列條件的點集Vi為Voronoi多邊形。其中，Vi滿足下列條件：Vi ={ X:|X- Pi|(|X- Pj|,X(R2,i(j,j=1,2,…,N }Vi為凸多邊形，稱{ Vi}mi=1為Dirichlet Tesselation圖或對偶的Voronoi圖。連接相鄰Voronoi多邊形的內核點可構成三角形Tk，稱集合{ Tk }為Delaunay三角剖分。DT法的最大優點是遵循“最小角最大”和“空球”準則。因此，在各種二維三角剖分中，只有Delaunay三角剖分才同時滿足全局和局部最優。
展開 
有限元網格剖分 (轉自中科大有限元論壇）
主要有三
種：RSD/GDT法、RSD/EE法和RSD/DDT法。它們主要有以下特點：
① RSD/EE法不能處理曲面實體、非流形體和不連通實體。與此
相反，RSD/DDT法卻能處理有孔的任意曲面實體、非流形體和不
連通實體，而且所形成四面體形狀質量良好。
② RSD/DDT法根據需要以滿足條件為準則插入新點，因此所插
入的新點數量少，而RSD/GDT法則會插入許多冗余點。
③ RSD/GDT法使用點/實體分類，使時間復雜性至少大一個數量
級，而RSD/DDT法不使用點/實體分類，因此，RSD/DDT法平均時
間復雜性為O(N2)，N為實體S的總表面數。RSD/EE法具有不確定
的時間復雜性。
④ RSD/DDT法完全建立網格圖素拓撲一一對應，因此拓撲是健
全的，與此相反，RSD/GDT法是拓撲不健全的。 各種RSD法的優
點是網格生成完全自動，網格剖分速度快，非常適用于自適應
網格生成。主要缺點是邊界單元形狀難于完全保證。另外，RSD
法對物體的方向特別敏感。
(5) 結點連元法
結點連元法是先生成結點，然后連接結點構成單元。最常用的
是DT法和AFM法。
① DT法的基本原理：任意給定N個平面點Pi(i=1,2,…,N)構成的
點集為S，稱滿足下列條件的點集Vi為Voronoi多邊形。其中，Vi
滿足下列條件：Vi={ X:|X- Pi|(|X- Pj|,X(R2,i(j,j=1,2,…,N
}Vi為凸多邊形，稱{Vi}mi=1為Dirichlet Tesselation圖或對偶
的Voronoi圖。連接相鄰Voronoi多邊形的內核點可構成三角形Tk，
稱集合{Tk}為Delaunay三角剖分。DT法的最大優點是遵循“最小角
最大”和“空球”準則。因此，在各種二維三角剖分中，只有Delau
nay三角剖分才同時滿足全局和局部最優。
展開 大容量存儲器集成電路測試
1.4 CHIP SET初始化技術和多CPU技術
系統的測試控制終端的設計采用CHIP GROUP(芯片組合)技術,具有一個主CPU(上位機)和多個測試CPU(下位機),系統軟件對控制終端進行初始化設計,根據存儲器電路的測試特定,開發設計了新的BIOS系統程序,包括設計全局變量描述符GDT的結構、局部變量描述符IDT的結構、全局變量描述符表GDT-TABLE向量、代碼段CODE-DES向量、數據段DATA-DES向量、存儲選擇MEMORY-SEL向量、測試段TEST-DES向量,定義全局變量描述符寄存器GDT-R、局部變量描述符寄存器IDT-R等。這樣,對控制終端的BIOS進行重新設計,使終端直接對待測存儲器進行測試。而測試的容量由軟件控制,針對不同芯片源和不同容量,具有多種選擇。測試時只需設定要測試的存儲器的類別、容量、測試開始矢量及結束矢量,就可以使測試系統按要求對存儲器進行自定測試。通過對CHIPSET的初始化,定義了各種內參數、變量和向量,令主CPU只執行對各個測試CPU的管理和測試結果的數據邏輯分析,以滿足存儲器電路測試的要求。
1.5 測試程序模塊化技術
系統采用四種不同的測試程序模塊對存儲器電路進行測試,以不同的讀寫方式測試存儲單元的準確性和可靠性。
(1)Page-WR-RD讀功能模塊,測試存儲器電路讀寫的正確性。
(2)FAST-WR-RD功能模塊,測試存儲器電路連續寫入固定數據的準確性。
(3)MODIFY-WR-RD模塊,測試存儲器電路在連續寫變化的數據時的準確性。
(4)MOVE-WR-RD功能模塊,測試存儲器電路在快速寫連續循環變化的數據的準確性。
展開 Ansys Speos | 如何設置和使用physics camera sensor
為了避免任何切線問題，建議偏移量為幾何距離公差（GDT）的10倍。必須定義燈箱的軸系，使透鏡系統的光軸遵循Z軸。
3)物理攝像頭傳感器的定義
傳感器的參數定義，使用與燈箱相同的軸系。
從Speos輸出文件夾中選擇導出燈箱“Camera Light Box Export”，選擇預定義的輻照度傳感器。
為了在沒有序列文件的情況下執行模擬，并生成可用于連續模擬的序列文件，physics camera sensor物理相機傳感器中的輻照度傳感器需要設置為數據分離層：“sequence序列”，并根據“faces面”定義序列。
如何使用physics camera sensor物理相機傳感器？
1.沒有序列文件的雜散光模擬（模式1）。
在模式1中使用physics camera sensor物理相機傳感器，“沒有序列文件”，與不使用physics camera sensor傳統模擬相比，由于光學系統中有大量集成光線，可以從瞄準區域的效率和更快的結果收斂中受益。模擬兩種不同的場景為例：
場景1：相機視場內的直射太陽光源（傾斜角度為20度），創建一個直接模擬，在仿真選項中，將幾何距離公差（GDT）設置為0.001 mm，在模擬中添加20度的太陽光源，添加物理相機傳感器。設置LXP=True并將LXP的最大路徑限制為5e4條射線（以避免大的. LXP文件，但仍然有足夠的光線顯示所有序列的路徑分析）。將光線數設置為5e8，在CPU上運行模擬（使用16核時，模擬時間應少于4分鐘）。
打開仿真結果，點擊測量圖標并最大化測量區域以覆蓋整個傳感器。改變layer中的sequence以發現從序列1到序列20的射線路徑序列。
展開 硬件特訓班問題解答【57問-16】
答：
(1) EMC是針對于整機的
(2) EMC=EMI+EMS
(3) EMC是一個產品在上線前必須通過的測試
(4) EMI是防止自己輻射的信號干擾到別人
(5) EMS是我能夠不受別人的EMI所干擾
(6) EMS防護主要是通過GDT,MOV,TVS等器件組合實現
(7) EMI濾波主要是通過X,Y電容，差模共模電容，共模電感，電感，磁珠，電容等綜合實現
本章小結
本章通過100個問答的形式，對電子設計中的一些一些基本概念做了詳細的解答，旨在讓學習者通過這100個問答，在做具體項目的電子設計之前，對所做的項目做一個宏觀的把控，避免走入不必然的誤區。
