薄膜的案例
Q2’23高機能薄膜產業觀察：新型顯示新能源雙輪驅動，護航高機能薄膜產業發展穩中向好
全球高機能薄膜市場分析與預測報告大綱
第一章：全球高機能薄膜產業概述
一、高機能薄膜分類及定義
1.新型顯示用高機能薄膜介紹
2.新能源用高機能薄膜介紹
3.其他高機能薄膜介紹
二、全球高機能薄膜產業鏈及市場概述
1.全球新型顯示用高機能薄膜產業鏈及市場概述
2.全球新能源用高機能薄膜產業鏈及市場概述
3.全球其他高機能薄膜產業鏈及市場概述
第二章：全球新型顯示用高機能薄膜市場分析與預測
一、全球新型顯示用高機能薄膜技術發展現狀
1.全球新型顯示用反射膜技術發展現狀
2.全球新型顯示用擴散膜技術發展現狀
3.全球新型顯示用增亮膜技術發展現狀
4.全球新型顯示用復合膜技術發展現狀
5.全球新型顯示用偏光片技術發展現狀
6.全球新型顯示用量子點膜技術發展現狀
二、全球新型顯示用高機能薄膜產能分析與預測
1.全球新型顯示用反射膜產能分析與預測
2.全球新型顯示用擴散膜產能分析與預測
3.全球新型顯示用增亮膜產能分析與預測
4.全球新型顯示用復合膜產能分析與預測
5.全球新型顯示用偏光片產能分析與預測
6.全球新型顯示用量子點膜產能分析與預測
三、全球新型顯示用高機能薄膜市場規模分析與預測
1.全球新型顯示用反射膜市場規模分析與預測
2.全球新型顯示用擴散膜市場規模分析與預測
3.全球新型顯示用增亮膜市場規模分析與預測
展開 旭化成退出薄膜業務！三井化學以約3.83億元收購其光掩模薄膜業務
三井化學旨在通過收購該業務從而抓住強勁的市場需求來加強其現有薄膜業務。
據日本經濟新聞報道，本次收購價格將根據最終協議進行調整后確定。即三井化學將根據與旭化成商定的74億日元（約人民幣3.83億元）薄膜業務價格為基礎進行調整。
從旭化成收購薄膜材料業務
此次轉讓包括旭化成在日本、韓國、北美和中國制造、開發和銷售光掩模薄膜業務，以及受委托制造光掩模薄膜的Asahi Kasei的合并子公司Asahi Kasei EMS Co., Ltd. 的所有股份（業務），生效日期為2023年7月1日（預定）。
收購該業務后，三井化學將在日本國內擁有兩個薄膜生產基地：巖國大竹工廠（山口縣和木町）和目前的旭化成延岡工廠（宮崎縣延岡市）。
三井化學目前參與了用于半導體的小型薄膜業務。從旭化成那里，三井化學將在半導體業務的基礎上收購用于LCD的大型薄膜業務。除了強化LCD等陣容外，通過業務規模的擴大將繼續推動新產品開發能力的提高。
旭化成退出薄膜業務之后，將把重點放在全球市場上占有很大份額的半導體制造用光敏樹脂材料上。
光掩模
光掩模，也叫半導體光罩，是半導體光刻工藝中的高精密工具，主要由基板和不透光材料組成，起到光刻機與大硅片的橋梁和紐帶作用。
從規模看，光掩膜僅約占芯片總成本的13%，其價值遠低于占比38%的硅片，關注度更是與硅片相去甚遠。但小小的光掩膜價值卻非比尋常，它不僅是芯片制造中必不可少的核心材料之一，其質量的好壞更是直接決定芯片最終的性能。
全球領先的光掩模制造商的總部也大多設在日本。據CSET預計，日本企業控制了53%的商業光掩模市場，美國企業占比40%，臺灣企業占比7%。比如DNP、日本凸版印刷Toppan Photomasks兩家大廠都是日本廠商。
展開 50-600nm厚度的高遷移率、柔性大面積石墨烯薄膜
50-600nm厚度的高遷移率、柔性大面積石墨烯薄膜
50-600nm厚度的高遷移率、柔性大面積石墨烯薄膜
本文以氧化石墨烯(GO，杭州高稀科技)/聚丙烯腈(PAN)復合薄膜為前驅體，利用基底替換和協同石墨化策略，制備了大面積、密堆積的組裝石墨烯納米膜(nMAG)(橫向尺寸，20cm；厚度范圍，50-600 nm)。nMAG具有良好的電學性能：載流子遷移率，1540 cm2V?1 s?1；電導率，2.04 MS m?1；載流子壽命4.7 ps。將其應用于電磁屏蔽，nMAG的高電導率降低了其最低商用厚度(100 nm，20 dB)；將其應用于紅外探測，nMAG的強光致熱發射效應將石墨烯/硅二極管的響應波長從1.5 μm擴展到了4 μm。此外，作者將nMAG(200 nm)和聚乙烯醇(PVA)層層組裝成10 μm厚的石墨烯膜，通過PVA的分解構建nMAG氣體逸散通道，抑制氣囊的產生、降低組裝石墨烯厚膜的褶皺密度，進而提升薄膜導電、導熱能力。 展到了4 μm。此外，作者將nMAG(200 nm)和聚乙烯醇(PVA)層層組裝成10 μm厚的石墨烯膜，通過PVA的分解構建nMAG氣體逸散通道，抑制氣囊的產生、降低組裝石墨烯厚膜的褶皺密度，進而提升薄膜導電、導熱能力。 02 成果掠影 浙江大學高超課題組以氧化石墨烯(GO，28 μm，杭州高稀科技)/聚丙烯腈(PAN)薄膜為前驅體，利用基底替換和協同石墨化策略，制備了大尺寸和緊密堆疊的組裝石墨烯納米膜(nMAG，橫向尺寸20 cm，厚度范圍50-600 nm)。PAN的引入，可以交聯氧化石墨烯、減少復合薄膜和基底的界面作用力，進而消除基底剝離對基底種類、結構及面積的依賴性；在高溫二維晶化過程中，PAN可以輔助構建原子級氣體逸散通道，促進納米膜厚度提升；此外，氧化石墨烯可以催化PAN二維結晶，形成完整的石墨烯晶格。nMAG具有良好的電學性能：載流子遷移率，1540 cm2V?1 s?1；電導率，2.04 MS m?1；載流子壽命4.7 ps。
展開 一文了解LNG薄膜罐
LNG薄膜罐總覽
LNG薄膜罐是法國GTT公司開發的一種新型儲罐，內罐由兩層薄膜結構
和兩層保溫層構成，是一個封閉的低溫保溫系統。主薄膜層由波紋型的不銹
鋼薄膜制成，次薄膜層由復合材料制成，能夠在零下163攝氏度存儲LNG并
防止其泄漏，同時還能限制LNG的蒸發損失。
LNG薄膜罐與常見的9%鎳鋼儲罐在設計上的主要不同點在于薄膜罐設
計更為緊湊，在提升安全穩定性、增大有效罐容、降低單方造價、縮短建造
周期、節能降耗等方面具有明顯的技術和經濟優勢。
全球已有近百座薄膜型儲罐建成，罐容為8000立方米到2萬立方米 。韓
國天然氣公司(KOGAS )的10座10萬立方米薄膜型儲罐自使用以來未出現任
何問題;法國天然氣蘇伊士集團(GDF Suez)的2座1.2萬立方米薄膜型儲罐未進行任何維護仍處于正常運行狀態;東京煤氣公司的2座1.2萬立方米薄膜型儲罐未出
現任何問題，正在正常運行。
中國首座陸上LNG薄膜罐建造項目——華港燃氣集團河間LNG調峰儲備
庫工程。據悉2022年10月15日，中國首座陸上液化天然氣薄膜型全容罐在
中國河北省河間市順利投產，運行良好。該儲罐采用法國GTT最新一代陸上
薄膜型全容罐GST技術。該項目由華港燃氣集團投資，中石油工程建設有限
公司華北分公司總包，滬東中華造船（集團）有限公司承擔薄膜罐內罐圍護
系統的建造。華港燃氣集團河北河間LNG調峰站項目總投資2.72億元，建設
1座2.9萬立方米LNG薄膜型全容罐及配套設施，最大氣化和供氣能力為100
萬標方/天。。
展開 
石墨烯基散熱薄膜的研究進展
01
石墨烯散熱膜
在本節中，介紹了制備的最新技術綜述了石墨烯薄膜及其衍生物，包括不同的前驅體及其對改善石墨烯薄膜k的貢獻。
1.1 單層或多層石墨烯薄膜
為了獲得具有完美晶格結構的單層石墨烯，高取向熱解石墨膜(HOPG)的機械剝離是最可行的方法之一。這些微尺寸的石墨烯片被廣泛用于石墨烯晶格中傳熱或聲子輸運的基礎研究。另一方面，隨著化學氣相沉積(CVD)技術的快速發展，高質量的單層或多層石墨烯薄膜可供研究或應用。Gao等人將熱CVD法應用于單層石墨烯薄膜的生長。應用于Pt芯片時，熱點溫度從394 K降至381 K。超高速生長技術推動了CVD石墨烯的規模化制備。例如，一英寸大小的單晶石墨烯在Cu-Ni合金襯底上快速生長。Xu等人開發了一種供氧的超快速CVD來生長單晶石墨烯。但由于石墨烯從襯底轉移而不破壞晶格結構相對困難，因此CVD石墨烯薄膜作為導熱材料的應用仍然存在障礙。
1.2 還原氧化石墨烯薄膜
雖然單層或多層石墨烯表現出良好的面內κ，但在沒有襯底的情況下直接應用在熱點上仍然存在障礙。因此，人們在石墨烯或氧化石墨烯片的組裝方法上付出了很大的努力，以獲得獨立的氧化石墨烯薄膜。由于Rouff等通過真空過濾制備出具有優異拉伸強度的氧化石墨烯薄膜，氧化石墨烯在水中具有優異的分散性，因此被廣泛應用于制作二維薄膜或者有機溶劑。在過去的十年中，基于氫鍵相互作用形成一層又一層致密結構的各種組裝方法被開發出來，如靜電紡絲、濕紡、鑄造、噴涂、葉片和棒材涂層。例如，在聚四氟乙烯磁盤中通過溫和蒸發工藝制備的氧化石墨烯薄膜，其k為1100 W/mk，具有20 dB的優異EMI屏蔽性能。在圖2(a-e)中，Xin等報道了用連續卷對卷方法電噴涂沉積氧化石墨烯薄膜，在2200℃退火后，薄膜的κ達到~1200 W/mk。
展開 薄膜｜SKC決議出售薄膜業務！集中于二次電池、半導體等未來產業
CINNO Research產業資訊，SK集團下屬材料與化工企業SKC拆分了其薄膜業務。SKC決定集中于于二次電池、半導體、環保等未來事業。
根據韓媒Zdnet報道，9月16日，SKC召開了臨時股東大會，審議通過了關于薄膜業務的分拆計劃書，還表決了關于刪除薄膜業務和變更控股業務的章程修訂案。
SKC的二次電池材料部門SK Nexilis生產的二次電池用銅箔
今年6月，SKC召開董事會，決定分拆出售薄膜業務。并簽約以1.6萬億韓元（約80.5億人民幣）出售給Hahn&Company公司。向其轉讓了SKC的薄膜業務和薄膜加工子公司SKC Hitech&Marketing，以及位于美國、中國的工廠。
SKC決定清理薄膜業務，投資二次電池、半導體、環保未來業務。
SKC在章程中增加了控股業務，成為負責SK集團創新材料的業務控股公司。
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展開 原來它們是造成光學薄膜損傷的影響因素
今天為大家分享一下關于造成光學薄膜損傷影響因素的內容，歡迎大家學習一下哦！
薄膜厚度
隨著光學薄膜的厚度增加，LIDT會迅速減小。首先，光學薄膜中可能出現的駐波場分布直接受光學薄膜厚度大小的影響，從前面的分析可知，激光與薄膜相互作用的場效應首先發生在靠近空氣的幾個膜層厚度中；其次，由于應力的累積效應，單一膜層內的應力總是會隨著膜層數目的增加而增加：最后，雜質缺陷吸收的概率隨著光學薄膜的厚度逐漸增大而增加，導致吸收源變多，從而使薄膜更易于發生損傷。
薄膜內雜質缺陷
對于一般的電介質光學薄膜來說，非線性吸收效應作用不大，此時光學薄膜中的雜質缺陷是導致激光破壞的重要因素。鍍膜前對基底的加工、清洗、處理等過程會不可避免地引入雜質：蒸發鍍膜過程中，往往在鍍膜材料中會形成雜質，主要有異于原材料的污染介質、膜層非正常生長而形成的結瘤和微孔以及材料非正常結合的覆蓋物等。由于雜質缺陷在光學薄膜中的存在，增大了激光作用時被損傷破壞的可能，降低了光學薄膜的LIDT。另外，作為吸收激光能量的潛在熱源，膜層內雜質區域熱量的異常吸收和積累總是會引起局部區域材料體積膨脹，膜層內部產生應力，進而發生損傷。
薄膜制備工藝
由于光學薄膜的沉積技術、制備原理、方法和工藝的不同，導致薄膜特性差異明顯，如微觀結構不同、折射率等光學參數不同、雜質缺陷的引入量不同等，這些因素都會影響薄膜的激光損傷破壞機理和過程，因此有不同的破壞閾值。對于蒸鍍法，適當增大沉積速率會促使薄膜向著顆粒細小且致密的方向生長形成膜層，增大了薄膜的折射率。而薄膜的晶粒尺寸、吸收效應和殘余應力都會隨沉積溫度的升高而變大，這些都會減小薄膜的LIDT。例如，離子束輔助沉積最突出的特點是使薄膜變得致密，有利于提高LIDT。
展開 石墨烯基導熱薄膜的研究進展
石墨烯薄膜制備過程中也存在厚度增加，熱導率降低的問題，目前熱導率超過 3000W/(m·K)的薄膜厚度均不超過 1 μm。文獻的研究表明，GF 厚度由 75 μm 增加到 200 μm時，熱導率從 1204 W/(m·K)降低到 1070W/(m·K)。圖 9(a）, （b)中，辛國慶教授等發現在相同退火溫度下，隨著薄膜密度的增加，薄膜的熱導率和導電率都會隨之增加。
圖9 薄膜性能與厚度的關系：(a, b) 在不同溫度下退火的 GP 的熱導率、導電率與厚度的關系；(c, d)不同制備方法的 3 種薄膜的熱導率、導電率與厚度的關系。
圖 9(c）, （d)中，浙江大學高超教授團隊通過疊加層數來調節膜的厚度，無論是以自融合、刮涂或層壓法（PGF、BGF、LGF）制備薄膜，隨著厚度增加，其熱導率和導電率都會以不同速率降低。而對于 LGF 與 PGF，由于制備方法不同，導致相同層數的薄膜厚度相差 10 μm，使得高密度 PGF 的熱導率高于低密度 LGF 約 600 W/(m·K)。如表 3 中所示，朱英教授團隊使用真空抽濾制備的薄膜，在經過退火和機械壓實后，薄膜的密度不斷增加，厚度逐步減少，也促使薄膜的導電率和熱導率不斷提高。
表3 在不同處理過程后的薄膜性能對比
這是由于厚度增加會造成內部排列混亂，可能存在的缺陷和層間熱阻增加，導致聲子散射嚴重，阻礙了熱傳輸。許多研究中選擇通過機械壓實降低薄膜的厚度，提高密度。如圖 10 所示，薄膜經過壓縮后厚度降低，密度提高，微觀石墨烯層的平整度及層間的有序性排列提高，促進了石墨化。
展開 芯片制造的核心工藝：一文看懂薄膜沉積
芯片是由一系列有源和無源電路元件堆疊而成的3D結構，薄膜沉積是芯片前道制造的核心工藝之一。從芯片截取橫截面來看，芯片是由一層層納米級元件堆疊而成，所有有源電路元件（例如晶體管、存儲單元等）集中在芯片底部，另外的部分由上層的鋁/銅互連形成的金屬層及各層金屬之間的絕緣介質層組成。芯片前道制造工藝包括氧化擴散、薄膜沉積、涂膠顯影、光刻、離子注入、刻蝕、清洗、檢測等，薄膜沉積是其中的核心工藝之一，作用是在晶圓表面通過物理/化學方法交替堆疊SiO2、SiN等絕緣介質薄膜和Al、Cu等金屬導電膜等，在這些薄膜上可以進行掩膜版圖形轉移（光刻）、刻蝕等工藝，最終形成各層電路結構。由于制造工藝中需要薄膜沉積技術在晶圓上重復堆疊薄膜，因此薄膜沉積技術可視為前道制造中的“加法工藝”。
薄膜沉積是決定薄膜性能的關鍵，相關工藝和設備壁壘很高。芯片制造的關鍵在于將電路圖形轉移到薄膜上這一過程，薄膜的性能除了與沉積材料有關，最主要受到薄膜沉積工藝的影響。薄膜沉積工藝/設備壁壘很高，主要來自：第一，芯片由不同模塊工藝集成，薄膜沉積是大多數模塊工藝的關鍵步驟，薄膜本身在不同模塊/器件中的性能要求繁多且差異化明顯；第二，薄膜沉積工藝需要滿足不同薄膜性能要求，新材料出現或器件結構的改變要求不斷研發新的工藝或設備；第三，更嚴格的熱預算要求更低溫的生長工藝，薄膜性能不斷提升要求設備具備更好集成度，另外，沉積過程還要考慮沉積速率、環境污染等指標。下面幾節，我們從薄膜種類與應用、芯片制造模塊工藝、性能指標等角度來闡釋薄膜沉積行業的高壁壘。
展開 基于comsol進行共振薄膜聲學超材料的模態分析
研究背景：
從聲學超材料出現到薄膜型和薄板型聲學超材料局域共振隔聲機理的廣泛研究，其負等效質量和負等效密度特性打破了傳統吸隔聲材料質量定律的限制，為低頻吸隔聲提供了新途徑。由吸聲系數理論模型可知，薄膜型結構的吸聲性能與振型模態、相對聲阻抗率有關。對有無附加質量塊的薄膜型結構進行預應力模態分析，探討振型模態與吸聲系數曲線的對應關系。
研究內容：
由吸聲系數理論模型可知，薄膜型結構的吸聲性能與振型模態、相對聲阻抗率有關，對有無附加質量塊的薄膜型結構進行預應力模態分析，探討振型模態與吸聲系數曲線的對應關系。
圖1.薄膜型結構
圖2.無中心質量塊薄膜型結構的固有模態分析
圖3. 含中心質量塊薄膜型結構的固有模態分析
數值模擬：
分別對有無附加質量塊的薄膜型結構進行預應力模態分析，預應力模態仿真選取的聚酰亞胺薄膜彈性模量為 2.35GPa，泊松比為 0.38，選取的結構鋼質量塊彈性模量為 200GPa，泊松比為 0.30。進行COMSOL 預應力模態仿真時，圓形薄膜結構采用膜單元(Membrane)，薄膜中心質量塊結構進行添加質量處理，除邊界條件的設置外，還需在薄膜表面施加初始面應力 200N/m。仿真分析的步驟如下所示。
（1）建立幾何模型
圖4.幾何模型的構建
（2）設置物理場
圖5.物理場的設置
（3）模態分析
無附加質量塊張緊圓膜結構和附加圓形質量塊薄膜型結構的前6階固有頻率和模態振型仿真結果如圖?？梢钥闯鲈赾omsol中利用膜單元對薄膜型結構的固有模態分析結果與原文中對應的十分準確。
圖6. 復現無中心質量塊薄膜型結構的固有模態
圖7.
展開 基于計算機輔助的光學薄膜優化設計方法
基于計算機輔助的光學薄膜優化設計方法
金揚利，馬勉軍，陳壽，王濟洲，蘭州物理研究所
摘要：概述了光學薄膜優化設計的發展和原理，介紹了當前光學薄膜優化設計中集中常用方法，預測了優化設計方法的趨勢。
關鍵詞：光學薄膜，優化設計，計算機輔助
論文簡介
1.引言：光學薄膜作為一門學科，已經走上百年的路程。如今，光學薄膜在光學、激光、航天等領域都得到了廣泛的應用。隨著新的精密光學儀器的不斷涌現，對鍍膜光學元件的光譜性能要求也越來越高，常規解析法設計的光學薄膜膜系結構已不能完全滿足使用要求。
計算機技術的飛速發展為數值方法應用于光學薄膜設計提供了便利，如今，基于計算機輔助的光學 薄膜優化設計已經成為一種廣泛應用的膜系設計方法。
2.光學薄膜優化設計的發展
3.光學薄膜優化設計的原理和評價函數
3.1光學薄膜優化設計的原理
3.2評價函數
4 幾種常用的光學薄膜優化設計方法
4.1 單純形法
4.2 模擬退火法
4.3 針形法
4.4 遺傳算法
4.5優化方法的改進
5 總結和發展趨勢
基于計算機輔助的光學薄膜優化設計方法.pdf
展開 
超聲波傳感器用于工業過程薄膜厚度監控的解決方案
當一個方向的長度比其它兩個方向的長度小時，這種結構稱之為薄膜。如今，微電子薄膜，光學薄膜，抗氧化薄膜，巨磁電阻薄膜，高溫超導薄膜等在工業生產和人類生活中的不斷應用，在工業生產的薄膜，其厚度是一個非常重要的參數，直接關系到該薄膜材料能否正常工作。
通常情況下，薄膜的厚度指的是基片表面和薄膜表面的距離，而實際上，薄膜的表面是不平整，不連續的，且薄膜內部存在著針孔、微裂紋、纖維絲、雜質、晶格缺陷和表面吸附分子等。如大規模集成電路的生產工藝中的各種薄膜，由于電路集成程度的不斷提高，薄膜厚度的任何微小變化，對集成電路的性能都會產生直接的影響。除此之外，薄膜材料的力學性能，透光性能，磁性能，熱導率，表面結構等都與厚度有著密切的聯系。因此在生產工藝中對膜厚進行在線精確檢測, 是保證產品質量和提高生產效率的重要手段。
對于薄膜厚度的準確測量，取決于使用什么樣的厚度傳感器，目前在線薄膜厚度的檢測技術主要有幾種方式：
1、貝它探頭，是最早用于薄膜檢測的傳感器，使用貝它放射源作為信號源，技術成熟。但是需要辦理放射源使用許可證，進出口手續比較復雜。有半衰期的使用年限限制，且檢測精度會隨著放射源的衰減而降低。
2、紅外探頭，利用特定紅外線波段在特定的塑料薄膜中被強烈吸收的原理測量薄膜的厚度。該傳感器檢測穩定，不受壞境變化影響，但對添加劑及顏色的變化敏感，在同一生產線上要生產多種產品不能適應。
3、X線探頭，利用X線管通電產生X線作為信號源來檢測塑料薄膜的厚度。有諸多優點：飛放射性物質；低能量無需使用許可證；測量范圍廣；測量精度高；各種塑料都可測量，不受添加劑和色母料的影響。
展開 薄膜電容器分類及特性介紹
薄膜電容器分類及特性介紹
薄膜電容器(Film Capacitor)又稱塑料薄膜電容(Plastic Film Capacitor)。其以塑料薄膜為電介質。
電容器依著介質的不同，它的種類很多，例如：電解質電容、紙質電容、薄膜電容、陶瓷電容、云母電容、空氣電容等。但是在音響器材中使用最頻繁的，當 屬電解電容器和薄膜(Film)電容器。電解電容大多被使用在需要電容量很大的地方，例如主電源部分的濾波電容，除了濾波之外，并兼做儲存電能之用。而薄 膜電容則廣泛被使用在模擬信號的交連，電源噪聲的旁路(反交連)等地方。
薄膜電容器結構及分類
薄膜電容器是以金屬箔當電極，將其和聚乙酯，聚丙烯，聚笨乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，從兩端重疊后，卷繞成圓筒狀的構造之電容器。而依塑料薄膜的種類又被分別稱為聚乙酯電容(又稱Mylar電容)，聚丙烯電容(又稱PP電容)，聚苯乙烯電容(又稱PS電容)和聚碳酸電容。
特性
薄膜電容器由于具有很多優良的特性，因此是一種性能優秀的電容器。它的主要等性如下：無極性， 絕緣阻抗很高，頻率特性優異(頻率響應寬廣)，而且介質損失很小?；谝陨系膬烖c，所以薄膜電容器被大量使用在模擬電路上。尤其是在信號交連的部份，必須 使用頻率特性良好，介質損失極低的電容器，方能確保信號在傳送時，不致有太大的失真情形發生。
其結構和紙介電容相同，介質是滌綸或者聚苯乙烯等。滌綸薄膜電容，介電常數較高，體積小，容量大，穩定性比較好，適宜做旁路電容。聚苯乙烯薄膜電容，介質損耗小，絕緣電阻高，但是溫度系數大，可用于高頻電路。
在所有的塑料薄膜電容當中，聚丙烯(PP)電容和聚苯乙烯(PS)電容的特性最為顯著，當然這兩種電容器的價格也比較高。
展開 ：利用蜂窩狀薄膜為模板制備仿生分級功能結構
蜂窩狀薄膜的出現和發展為快速、簡便地制備仿生分級結構開辟了新的途徑，然而近年來研究焦點主要集中在利用呼吸圖案法制備微孔形貌可控的蜂窩狀薄膜，利用這些有序結構來構建仿生分級結構并用于實際的光學和功能表面應用還鮮有報道。
【成果簡介】
近日，東南大學顧忠澤教授課題組利用呼吸圖案法獲得了一種蜂窩狀薄膜，并將其作為模板實現了仿生分級功能結構的制備。研究還發現，二氧化硅納米粒子能夠在薄膜微孔內進行限域自組裝得到復合薄膜，該復合薄膜具有可控的光學性質。將薄膜模板除去后即可得到二氧化硅納米粒子陣列，該陣列具有疏水表面和可控的潤濕性能。該成果以題為"Fabrication of Bioinspired Hierarchical Functional Structures by Using Honeycomb Films as Templates"發表在材料領域著名期刊Advanced Functional Material上。
【圖文導讀】
圖1 蜂窩狀薄膜的SEM表征
(A) 在連續的潮濕氮氣流條件下制備的蜂窩狀薄膜的SEM圖像；
(B) 蜂窩狀薄膜橫截面的SEM圖像。
展開 《JMCA》石墨烯薄膜改善銅的耐腐蝕性！
石墨烯具有大的比表面積、高的化學惰性以及優異的阻隔性，被認為是已知最薄的防護材料，采用化學氣相沉積（CVD）法制備的石墨烯薄膜可直接用于金屬的腐蝕防護，逐漸成為制備石墨烯防護薄膜最主要的方法。但石墨烯薄膜在制備過程不可避免會引入空位、晶界等結構缺陷，將其長時間暴露在空氣中，腐蝕介質容易通過這些缺陷與基底金屬發生反應，且高導電的石墨烯薄膜將促進界面處的電化學反應進而加速基底金屬的腐蝕。
近期，中國科學院寧波材料技術與工程研究所海洋新材料與應用技術重點實驗室研究員王立平團隊利用CVD技術在多晶銅襯底上成功制備了一系列的氮摻雜石墨烯薄膜，通過調節NH3的氣流量獲得不同氮濃度的氮摻雜石墨烯薄膜。相關結果已經發表在Journal of Materials Chemistry A（2018, 6, 24136-24148）上，并作為期刊的Inside back cover被亮點報道。
同時，研究發現氮摻入石墨烯晶格網絡中會造成薄膜體系的導電率相比于原始石墨烯下降，在大氣長效暴露試驗條件下，低導電的氮摻雜石墨烯薄膜可抑制電子在腐蝕界面的傳輸，降低銅和氮摻雜石墨烯界面處的電化學腐蝕速率，有效延緩腐蝕區域的擴散，表現出更佳的長效腐蝕防護性能（圖1），但該方法仍不能根除薄膜在生長過程中形成的結構缺陷，以及所造成的表面不均勻的腐蝕點。
圖1 氮摻雜石墨烯薄膜的長效腐蝕防護機理
另一方面，六方氮化硼（h-BN）納米片作為一種石墨烯類似物，也具有很好的抗滲透性。王立平團隊通過CVD法在多晶銅襯底上生長出不同層數的h-BN薄膜，由于h-BN自身的絕緣特性，無論是單層或是多層h-BN薄膜，將其包覆在銅襯底表面都表現出優異的大氣長效防護性能。
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