111的案例
耶魯大學(xué)Nature Nanotechnology:以Cu(111)表面為襯底的大面積單晶薄片狀硼烯
圖2：生長(zhǎng)于Cu (111)表面的硼烯生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)。
(a)一列溫度為770K時(shí)的明場(chǎng)LEEM圖像，揭示了島狀硼烯偏好在Cu臺(tái)階的邊緣下方形核，且延臺(tái)階邊緣方向生長(zhǎng)速度加快；
(b)約為1單層包覆物的地形學(xué)(Topographic)原子力顯微鏡圖像；
(c)曲線表示Cu襯底的原子臺(tái)階（對(duì)應(yīng)(b)中的黑線位置）為8??；
(d)曲線表示環(huán)境條件下硼烯薄片的厚度約為3??；
(e)B/Cu(111)樣品得到的非原位XPS譜。
圖3：選區(qū)衍射揭示的Cu(111)上生長(zhǎng)的硼烯的疇結(jié)構(gòu)。
(a)在Cu(111)上生長(zhǎng)的厚約4個(gè)單層表面包覆物的硼烯的明場(chǎng)LEEM圖像；
(b-d) 使用電子數(shù)聚焦至1.5μm，得到的硼烯單晶疇的選區(qū)LEED圖樣；
(e-g) 與(b-d)中描述的疇結(jié)構(gòu)具有鏡面對(duì)稱關(guān)系的三種其余疇的選區(qū)LEED圖樣；
(h)Cu(111)上兩種鏡面對(duì)稱的硼烯單胞，對(duì)應(yīng)一種(√73?×?√39)R?±?5.8°的超結(jié)構(gòu)；
(i)多疇片狀硼烯的結(jié)合暗場(chǎng)圖像；
(j)約0.5單層硼烯包覆物的大面積STM圖像。
圖4：通過STM數(shù)據(jù)和DFT模擬揭示的Cu(111)上硼烯的結(jié)構(gòu)。
展開 ansys workbench可否使用infin111？
在某個(gè)body下插入命令流
et,matid,infin111
是否管用？
合同規(guī)模為：55.8-111.6億元
據(jù)悉，合同規(guī)模將在1萬(wàn)億韓元至2萬(wàn)億韓元之間（約合人民幣55.8億元-111.6億元）。因此，預(yù)計(jì)此前計(jì)劃在明年第一季度生產(chǎn)用于IT的OLED面板將成為現(xiàn)實(shí)。
所謂蒸鍍工藝，是指在真空狀態(tài)下加熱有機(jī)材料并附著在面板基板上，是OLED面板生產(chǎn)中必不可少的工藝。蒸鍍方式主要分為水平沉蒸鍍和垂直蒸鍍，三星顯示需要利用水平蒸鍍技術(shù)。因?yàn)樵诿嫦騃T的OLED領(lǐng)域，作為最大需求方的蘋果更傾向于水平蒸鍍的方式。蘋果認(rèn)為，原先應(yīng)用于第六代OLED工藝的水平蒸鍍技術(shù)，在第八代上也會(huì)更加穩(wěn)定。
從明年開始，蘋果將正式對(duì)iPad、MacBook等基于傳統(tǒng)液晶顯示器(LCD)顯示屏的產(chǎn)品采用OLED面板。因此，IT用OLED面板的供應(yīng)量有望急劇增加。伴隨著iPad、MacBook的OLED面板應(yīng)用，其他電子廠商的OLED面板采用也很有可能擴(kuò)大。
問題是，只有日本的Canon Tokki公司是唯一能穩(wěn)定供應(yīng)蘋果首選的水平蒸鍍式OLED設(shè)備的設(shè)備公司。再加上Canon Tokki大幅提高8.6代用OLED蒸鍍機(jī)價(jià)格后，增加了三星顯示的設(shè)備投資壓力。據(jù)悉，此前Canon Tokki要求OLED蒸鍍機(jī)價(jià)格為每臺(tái)至少1.5萬(wàn)億韓元(約84億人民幣）。
顯示行業(yè)相關(guān)人士表示：“Canon Tokki看出過去多年在iPhone的OLED面板生產(chǎn)過程中經(jīng)過充分驗(yàn)證的設(shè)備正是蘋果所偏好的，因此堅(jiān)持一個(gè)非常高的價(jià)格”，“經(jīng)過與三星顯示談判后，將價(jià)位調(diào)整到了一定水平”。
另外，本月初，三星顯示向韓國(guó)合作公司HB Solution、ICD、Philoptics、Hims、KC Tech、F&S Tech等公司訂購(gòu)了OLED設(shè)備。為了構(gòu)建第8.6代IT用OLED生產(chǎn)線，除了最后一道關(guān)卡--蒸鍍機(jī)外，大部分設(shè)備訂購(gòu)都進(jìn)展順利。
展開 石家莊111米高樓整棟起火！請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)師不要再跟總圖掙地盤了！
據(jù)了解，該寫字樓共26層，總高111.6米，項(xiàng)目總建筑面積45640平方米。地下三層為大型停車場(chǎng)，1-4層裙樓為大型商場(chǎng)，5-22層為寫字樓，23-26層為復(fù)式樓層。
截止到3月9日13時(shí)20分，眾鑫大廈的外圍的明火已經(jīng)基本撲滅，已有消防員進(jìn)入到大樓進(jìn)行樓內(nèi)的檢查和救援。
——北京時(shí)間：2021年3月9日12時(shí)48分
記者從石家莊市消防部門了解到：此次火災(zāi)燃燒的主要是保溫層，現(xiàn)在的任務(wù)：第一，防止火勢(shì)蔓延到樓內(nèi)，目前消防部門已派出兩組消防員進(jìn)入樓內(nèi)作業(yè)；第二，防止火災(zāi)蔓延到加油站。
——北京時(shí)間：2021年3月9日12時(shí)42分
記者從石家莊市消防部門最新了解到，之前有兩組消防人員進(jìn)入樓內(nèi)，內(nèi)外配合，防止火勢(shì)蔓延。火場(chǎng)沒有人員被困。起火原因還在等待官方進(jìn)一步的確認(rèn)。
近期，國(guó)外及我國(guó)相繼發(fā)生高層建筑火災(zāi)，引起社會(huì)普遍關(guān)注。那么高層建筑火災(zāi)逃生有哪些難點(diǎn)？我們身邊有哪些火災(zāi)隱患？
高層火災(zāi)逃生難點(diǎn)
一、起火因素復(fù)雜
高層建筑通常內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜，設(shè)備繁多，起火因素有可能是內(nèi)部電器老化，也可能是因?yàn)橥獠繜熁ā⒈顸c(diǎn)燃了易燃材料，起火因素很多。
展開 
會(huì)噴火的戰(zhàn)機(jī)不止土豚，但敢噴火還噴的有檔次的只有它
F-111“土豚”是上世紀(jì)60年代問世的一種可變后掠翼戰(zhàn)斗轟炸機(jī)，該機(jī)的綽號(hào)“土豚”（Aardvark）來自一種生活在非洲的非常善于掘洞的動(dòng)物，用意象征該機(jī)的高速貼地飛行能力。
火燒屁股對(duì)它來講，小意思啦
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居然來了個(gè)集體火燒屁股啊
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讓我們來看看“土豚”噴火的秘密
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尾部燃油泄放口，這是F-111噴火的主要秘密
F-111的機(jī)鼻內(nèi)安裝著兩部雷達(dá)，一部是用于轟炸的攻擊雷達(dá)，一部是地形跟蹤雷達(dá)，使該機(jī)可在夜間或惡劣天氣中在離地120米的高度做889公里/小時(shí)的高速貼地飛行。
除了F-111優(yōu)美的可變后掠翼外形和貼地飛行能力外，該機(jī)還具備一項(xiàng)獨(dú)特的噴火絕技，使它在航展表演中備受好評(píng)。
更清晰的F-111的尾椎放油口
這項(xiàng)絕技就是飛行中噴火，F(xiàn)-111的放油口被設(shè)置在兩個(gè)尾噴管間的尾錐末端，可能是某位試飛員在無(wú)意中發(fā)現(xiàn)，一邊放油一邊開加力就能在機(jī)尾燒出一片巨大的火焰，于是這項(xiàng)學(xué)名為“放油和點(diǎn)火”的絕技就成為F-111在航展上的保留節(jié)目。
圍繞著“放油和點(diǎn)火”，還發(fā)生過一件有趣的事情。
在上世紀(jì)80年代，美國(guó)空軍從坎農(nóng)空軍基地派出F-111D前往加拿大參加“楓葉旗”演習(xí)。按照“楓葉旗”的慣例，每架飛機(jī)在抵達(dá)時(shí)都要做個(gè)花哨的亮相動(dòng)作，算是自我介紹吧。在這次演習(xí)前，F(xiàn)-16在降落航線中拉出了9g大過載，F(xiàn)-15也玩了9g花活，老舊的F-4有點(diǎn)低不從心，只能拉到7g，A-10就意思意思做個(gè)轉(zhuǎn)彎。話說回來，“疣豬”的賣點(diǎn)不是過載，因?yàn)樗梢岳@著一枚硬幣轉(zhuǎn)彎。
接下來輪到F-111降落了。
眼前的局面讓F-111領(lǐng)隊(duì)有點(diǎn)犯難。
展開 南開卜顯和&常澤Adv. Mater. : 基于晶體主-客體平臺(tái)理性構(gòu)筑高度可調(diào)給體-受體材料
文中報(bào)道的MOF(NKU-111)可作為結(jié)晶主體和受體，通過相對(duì)穩(wěn)定的配位導(dǎo)向組裝，在晶體中引入并排布客體分子作為給體，進(jìn)而合理構(gòu)筑了基于NKU-111?客體的給體-受體系統(tǒng)。體系中的給體-受體相互作用可通過引入不同的客體分子調(diào)節(jié)，這一點(diǎn)可由客體依賴的電荷轉(zhuǎn)移性質(zhì)特征證明。因此，NKU-111?客體顯示出高度可調(diào)的給體-受體特性，例如基于電荷轉(zhuǎn)移的發(fā)射和電導(dǎo)率。這項(xiàng)工作顯示出晶態(tài)主-客體體系作為系統(tǒng)構(gòu)筑給體-受體材料及研究相應(yīng)性質(zhì)的理想平臺(tái)的潛力。
【圖文簡(jiǎn)介】
圖1 利用主-客體MOF晶體構(gòu)筑給體-受體系統(tǒng)策略
圖2 NKU-111和NKU-111?蒽的結(jié)構(gòu)
a) 單一框架結(jié)構(gòu)；
b) 三重互穿框架結(jié)構(gòu)；
c) 獨(dú)立網(wǎng)絡(luò)中的三棱柱形籠；
d) 兩重互穿網(wǎng)絡(luò)的六棱柱形籠；
e) NKU-111框架內(nèi)六棱柱形籠中可容納客體的空間；
f) 框架中蒽客體分子的狀態(tài)，為清楚起見省略了部分tpt和PTA配體，籠的范德華表面呈綠色。
圖3 NKU-111?客體晶體隨客體變化的性質(zhì)
NKU-111?客體晶體隨客體變化的光學(xué)(中間)和發(fā)光(底部)圖像。
展開 研究小組發(fā)現(xiàn) 防止氧氣釋放可使高能量密度電池更安全
研究人員研究了鋰離子電池LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2（NCM111）的正極材料的氧氣釋放和相關(guān)結(jié)構(gòu)變化。NCM111通過庫(kù)侖滴定（coulometric titration）和X射線衍射可作為模型氧化物基電池材料。
研究人員發(fā)現(xiàn)NCM111能接受的氧釋放濃度為5 mol%，且不會(huì)被分解，也不會(huì)因氧釋放引起結(jié)構(gòu)無(wú)序，即鋰和鎳的交換。氧氣釋放會(huì)導(dǎo)致過渡金屬（NCM111中的鎳、鈷和錳）減少，從而降低這些金屬在材料中保持平衡電荷的能力。
為了對(duì)此進(jìn)行評(píng)估，該研究小組在日本JASRI運(yùn)營(yíng)的大型同步加速器輻射設(shè)施BL27SU SPring-8上使用了軟X射線吸收光譜。在氧氣釋放的開始階段，研究人員觀察到NCM111中發(fā)生了選擇性Ni3+還原。Ni還原完成后，Co3+含量減少，而Mn4+在濃度為5 mol%的氧氣釋放期間保持不變。
該論文的合著者Takashi Nakamura表示：“還原行為表明高價(jià)NI（Ni3+）顯著增強(qiáng)了氧氣釋放。”為驗(yàn)證這一假設(shè)，Nakamura及其同事制備了比原始NCM111含有更多Ni3+的改良NCM111。結(jié)果發(fā)現(xiàn)NCM111遠(yuǎn)超預(yù)期，氧氣釋放得更多。
基于此，該研究小組提出，高價(jià)過渡金屬會(huì)導(dǎo)致氧化物基電池材料中的晶格氧不穩(wěn)定。Nakamura表示：“此次發(fā)現(xiàn)將有助于進(jìn)一步開發(fā)由過渡金屬氧化物組成的高能量密度和強(qiáng)大的下一代電池。”
-END-
展開 廈大《Scripta Mater》：原位TEM和MD模擬研究鎢<100>環(huán)演變
在一定范圍內(nèi)，1/2<111>環(huán)的平均尺寸總是大于<100>環(huán)的平均尺寸。一旦小尺寸<100>環(huán)與大尺寸的1/2<111>環(huán)接觸，會(huì)被吸收，導(dǎo)致1/2<111>環(huán)增長(zhǎng)更快。同時(shí)，1/2<111>環(huán)之間的聚結(jié)也產(chǎn)生更大的1/2<111>環(huán)。因此，隨著輻照通量的增加，1/2<111>環(huán)和<100>環(huán)之間的平均尺寸差異變得更大，1/2<111>和<100>環(huán)密度的變化是一個(gè)受多種機(jī)制影響的復(fù)雜過程。
本文通過原位TEM和MD模擬提出了一種新的環(huán)反應(yīng)，其中<100>環(huán)之間反應(yīng)產(chǎn)生1/2<111>環(huán)，適當(dāng)?shù)某跏?lt;100>環(huán)的相對(duì)位置和高溫是影響這種轉(zhuǎn)變的關(guān)鍵因素，同時(shí)本文還根據(jù)原位實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)建立了<100>環(huán)的平均尺寸和面數(shù)密度與輻照通量之間的關(guān)系，為以后的設(shè)計(jì)研究提供了理論基礎(chǔ)。
展開 粘塑性自洽多晶體塑性模型VPSC（二）
材料初始仍設(shè)為隨機(jī)織構(gòu)，其(100)、(110)和(111)極圖見圖1。在經(jīng)過100%的軋制變形后，材料內(nèi)部織構(gòu)發(fā)生明顯變化，表現(xiàn)出明顯的軋制織構(gòu)，見圖2。軋制過程中材料的硬化曲線見圖3，材料的初始屈服強(qiáng)度為180MPa，隨著變形量的增加，材料逐漸發(fā)生硬化，當(dāng)應(yīng)變量達(dá)到120%時(shí)，材料的強(qiáng)度接近320MPa，強(qiáng)度提高了約140MPa。圖4給出了變形過程中材料的屈服面演化情況，可見隨著變形量的增大，材料的屈服面發(fā)生明顯擴(kuò)張，表現(xiàn)為材料發(fā)生明顯的強(qiáng)化。圖5給出了軋制過程中鐵素體鋼內(nèi)部不同滑移模式的相對(duì)開動(dòng)率情況，可以看出，{123}<111>滑移模式開動(dòng)率最大，{110}<111>滑移模式開動(dòng)率次之，{112}<111>滑移模式開動(dòng)率最小，且隨著變形的增加，{110}<111>滑移模式開動(dòng)率逐漸增大，而{112}<111>和{123}<111>滑移模式開動(dòng)率逐漸降低。
圖1. 隨機(jī)織構(gòu)極圖
圖2. 軋制織構(gòu)極圖
圖3. 應(yīng)力應(yīng)變曲線
圖4 變形過程中材料的屈服面演化過程
圖5 軋制變形過程中各滑移系相對(duì)開動(dòng)率演化情況
最后，有晶體塑性相關(guān)需求，歡迎大家關(guān)注我們的微信公眾號(hào)聯(lián)系我們。
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展開 基于ANSYS的懸臂梁靜力分析 ￥100
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<p class="ac"><span class="ac">轉(zhuǎn)角：</span><img src="https://img.jishulink.com/msimage/202304/2262d34411979378582eafc0b6ec111d.png" style="width:171.77953pt;height:85.03937pt;" data-mobile-src="https://img.jishulink.com/msimage/202304/2262d34411979378582eafc0b6ec111d.png?image_process=/format,webp" data-pc-src="https://img.jishulink.com/msimage/202304/2262d34411979378582eafc0b6ec111d.png?
展開 黃永剛原始程序?qū)?yīng)的滑移系統(tǒng)順序
只考慮一組的FCC單晶滑移系統(tǒng)序號(hào)，法線方向和滑移方向分別為：
（一）(111) [110] 滑移系統(tǒng)：
1 ( 1 1 1 ) [ 0 -1 1 ]
2 ( 1 1 1 ) [ 1 0 -1 ]
3 ( 1 1 1 ) [ -1 1 0 ]
4 ( -1 1 1 ) [ 1 0 1 ]
5 ( -1 1 1 ) [ 1 1 0 ]
6 ( -1 1 1 ) [ 0 -1 1 ]
7 ( 1 -1 1 ) [ 0 1 1 ]
8 ( 1 -1 1 ) [ 1 1 0 ]
9 ( 1 -1 1 ) [ 1 0 -1 ]
10 ( 1 1 -1 ) [ 0 1 1 ]
11 ( 1 1 -1 ) [ 1 0 1 ]
12 ( 1 1 -1 ) [ -1 1 0 ]
只考慮一組的BCC單晶滑移系統(tǒng)序號(hào)，法線方向和滑移方向分別為：
（一）(110) [111] 滑移系統(tǒng)：
1 ( 0 1 1 ) [ 1 -1 1 ]
2 ( 0 1 1 ) [ 1 1 -1
展開 
金屬所《JMST》封面：共晶高熵合金K-S界面主導(dǎo)的位錯(cuò)滑移連續(xù)性及其強(qiáng)塑性
共晶高熵合金AlCoCrFeNi2.1EBSD掃描區(qū)域（圖1（a））右側(cè)晶粒的兩相極圖重疊圖，顯示兩相取向關(guān)系為K-S取向且存在兩種變體：（a）變體V1，[-111]B2||[-110]FCC和(110)B2||(111)FCC；（b）變體V2，(-111)B2||[01-1]FCC和(110)B2||(111)FCC。
圖1（a）是鑄造態(tài)共晶高熵合金典型微觀形貌的兩相分布圖，其中紅色是FCC相，藍(lán)色是B2相。共晶組織表現(xiàn)出兩種典型形貌：平直的片層和圓板條狀，F(xiàn)CC和B2片層的平均片層寬度分別為2.61±1.21 μm和1.22±0.58 μm。將圖1中右側(cè)的晶粒中FCC相和B2相的極圖重疊來判定FCC-B2的取向關(guān)系，如圖2所示。極圖分析可知共晶高熵合金中兩相的取向關(guān)系為K-S取向，由于FCC相中存在生長(zhǎng)孿晶，存在兩種取向變體，分別為V1，[-111]B2||[-110]FCC和(110)B2||(111)FCC；V2，(-111)B2||[01-1]FCC和(110)B2||(111)FCC。
圖3.（a）平直界面(321)B2||(112)FCC的明場(chǎng)像及對(duì)應(yīng)的復(fù)合衍射花樣；（b）圓片狀區(qū)域明場(chǎng)像，顯示其中存在(321)B2||(112)FCC和(01-1)B2||(33-2)FCC兩種界面；（c）K-S取向下的模擬復(fù)合衍射花樣。
圖4.
展開 國(guó)科大：硅烯和鍺烯的生長(zhǎng)及其機(jī)制重要進(jìn)展！
另外，該研究組的潘金波博士生和杜世萱研究員與中國(guó)科學(xué)院武漢物理與數(shù)學(xué)研究所秦志輝副研究員合作，首次在Cu(111)基底上成功制備出雙層鍺烯，并開展了結(jié)構(gòu)特性研究。高分辨STM圖像結(jié)合第一性原理計(jì)算證實(shí)，Cu(111)上的雙層鍺烯為AB堆垛，與基底形成(?3 × ?3) R30°的超結(jié)構(gòu)（圖5）。由于底層鍺烯有效屏蔽掉了來自基底的相互作用，雙層鍺烯在費(fèi)米能級(jí)附近呈現(xiàn)完美對(duì)稱的“V”形 dI/dV電子態(tài)（圖6），表現(xiàn)出自由鍺烯才有的二維狄拉克費(fèi)米子線性能帶色散特征。這一成果發(fā)表于Adv. Mater. 29, 1606046 (2017)上。
這些研究結(jié)果對(duì)以硅和鍺為基礎(chǔ)的二維原子晶體材料及其實(shí)際應(yīng)用具有重要意義。該項(xiàng)研究獲得了國(guó)家自然科學(xué)基金委（61390501，51325204）、科技部（2013CBA01600，2016YFA0202300）和中國(guó)科學(xué)院的支持。
原文鏈接：
http://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.6b04804
http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201606046/full
圖5. Cu(111)上雙層鍺烯的STM、結(jié)構(gòu)和STM模擬圖。
圖6. Cu(111)上鍺烯的掃描隧道譜，其中雙層鍺烯在費(fèi)米能級(jí)附近呈現(xiàn)完美對(duì)稱的“V”形 dI/dV電子態(tài)。
— END —
來源：中國(guó)科學(xué)院大學(xué)。編輯：明軒
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展開 反鐵電PbZrO?薄膜中低電壓驅(qū)動(dòng)的高性能熱開關(guān)
本研究展示了(100)、(110)和(111)取向 PZO 薄膜在室溫下隨電場(chǎng)變化的熱導(dǎo)率（圖3A）。與其他取向薄膜相比，(111)取向薄膜在零電場(chǎng)下的 k 值同樣較低，但在 -800 至 800 kV/cm 的電場(chǎng)下，k 值較高。這一觀察結(jié)果表明，(111)取向薄膜具有最高的開關(guān)比。
研究展示了在-600 kV/cm (-9 V)電場(chǎng)下對(duì)三種取向 PZO 薄膜進(jìn)行 TDTR 測(cè)量所得到的 -Vin/Vout 信號(hào)（圖3B），在該電場(chǎng)下，AFE-FE 相轉(zhuǎn)變（圖2B）被誘發(fā)。通過擬合測(cè)量信號(hào)（實(shí)線，圖3B）得到了薄膜的 k。研究發(fā)現(xiàn)，(111)取向 PZO 薄膜的 -Vin/Vout 隨延遲時(shí)間的衰減速度最快，因此 k 值最大（1.28 W m-1 K-1），而(100)取向 PZO 薄膜的下降速度最慢，k 值最小（0.89 W m-1 K-1）。
圖3D 中比較了三種 PZO薄膜的開關(guān)比。取向（111）的 PZO 薄膜的開關(guān)比為 2.2，表明在這種晶體取向中，電場(chǎng)可以引起 n 的最大調(diào)制范圍。研究發(fā)現(xiàn)與偏振測(cè)量結(jié)果和第一性原理模型（圖4）一致。
圖4. PZO 熱轉(zhuǎn)換的原子尺度分析。
為了解釋 PZO中電場(chǎng)觸發(fā)的熱轉(zhuǎn)換，本研究在電場(chǎng)下進(jìn)行了基于同步輻射的原位三維 RSM 實(shí)驗(yàn)，以描述 AFE-FE 相轉(zhuǎn)變過程中的結(jié)構(gòu)演變。在零電場(chǎng)和過渡電場(chǎng)之外的 PZO（222）Qz 位置，可以分別從 AFE 相和 FE 相的三維數(shù)據(jù)中提取面內(nèi)倒易空間映射（RSM）（圖4A）。上面板顯示了明顯的 1/4衛(wèi)星峰，這些衛(wèi)星峰源于↑↑↓↓反極偶極子排列，它可以使原始晶胞大幅倍增。此外，本研究觀察到了布拉格主峰 PZO（222）的分裂現(xiàn)象，這可能是由于 Pbam PZO 的偽四方特性造成的。
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