基于接口的huang顯式晶體塑性計算與隱式計算結果對比

昨日展示了三維的對比情況,因此這里對比針對二維情況,考慮拉伸和剪切變形(即考慮不同的應力狀態和單元類型)

模型包含500個晶粒,60000個單元,使用平面應變三節點單元(CPE3)

對比指標:等效應力分布,累計剪切應變分布,滑移系統當前強度分布

結果如下(默認左側為顯式結果,右側為對應的隱式結果):

拉伸情況:

等效力分布;

基于接口的huang顯式晶體塑性計算與隱式計算結果對比的圖1

累計剪切應變分布:

基于接口的huang顯式晶體塑性計算與隱式計算結果對比的圖2

滑移系統當前強度分布:

基于接口的huang顯式晶體塑性計算與隱式計算結果對比的圖3

剪切情況:

等效力分布;

基于接口的huang顯式晶體塑性計算與隱式計算結果對比的圖4

累計剪切應變分布:

基于接口的huang顯式晶體塑性計算與隱式計算結果對比的圖5

滑移系統當前強度分布:

基于接口的huang顯式晶體塑性計算與隱式計算結果對比的圖6

可以看到使用隱式計算結果與顯式計算結果幾乎一致,然而顯式的優勢是顯而易見的,尤其是在模擬高速沖擊以及其他類似的接觸問題

模擬多晶沖擊的視頻效果如下(隱式計算無法收斂,而顯式可以輕松完成)

模擬效果可以在公眾號查看

登錄后免費查看全文
立即登錄
App下載
技術鄰APP
工程師必備
  • 項目客服
  • 培訓客服
  • 平臺客服

TOP

1
2