高壓SiC MOSFET材料、涉及、工藝技術(shù)取得很大進(jìn)展并逐漸成熟,3300V及以上電壓等級的芯片和模塊逐步商業(yè)化。高壓SiC MOSFET應(yīng)用于軌道交通領(lǐng)域,推動綠色、智能技術(shù)發(fā)展;在智能電網(wǎng)、飛機(jī)、船舶電驅(qū)等方面也有很好的應(yīng)用前景。高壓SiC材料、工藝和封裝等全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同,聚焦質(zhì)量、成本與可靠性攻關(guān),推動高壓SiC技術(shù)創(chuàng)新與規(guī)模應(yīng)用。
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第三代半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)新孵化中心 ??? 3年前