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圖形選擇：用測試圖形（如through pitch線寬、尖端對(duì)尖端等）結(jié)合SRAM結(jié)構(gòu)和工藝弱點(diǎn)，通過頻譜分析篩選關(guān)鍵圖形。</p><p>2. 仿真計(jì)算：建立光刻仿真條件（機(jī)臺(tái)信息、照明方式、薄膜堆棧等），開展SMO計(jì)算。</p><p>3.

</p><p>&nbsp;</p><p>QQ::</p><p>負(fù)體積是由於element本身產(chǎn)生大變形造成自我體積的內(nèi)面跑到外面接著被判讀為負(fù)體積，</p><p>控制使element不出現(xiàn)不合理變形的方法就如同dragonwen與ayke所說的幾點(diǎn)，注意使Hourglassing情形減少，有以下幾個(gè)方法可以試看看</p><p>1.避免單點(diǎn)loading=&amp;gt;不要將force施在單一node