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隨著 e 接近 ∞，當由 Ince-Gaussian DLL 計算的特徵值解發(fā)散時，就會到達一個點。這種發(fā)散行為是計算算法的限制。當達到發(fā)散點時，Ince-Gaussian DLL 產(chǎn)生的結果變得不準確。不幸的是，對於唯一的 e 值，這一點不會出現(xiàn)（還依賴於 p、m 和光束極性）。但是，確定何時產(chǎn)生不同的解決方案很簡單。

入射光的電場並非用單一個點來描述，相對的，我們會假設該電場比多重光束干涉發(fā)生的區(qū)域更大許多。在Zemax OpticStudio中，我們使用field係數(shù)來表示這個結果，這些係數(shù)已經(jīng)被薄膜膜層的程式驗證過許多次。薄膜理論的慣例是計算平面法向量方向上的相位變化，這表示其假設了一個虛擬的平面波從薄膜最外層一路傳播到基板。

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透射和反射全像的繞射波和穿透波的TE(橫向電場)的偏振電場可以用以下4個公式計算。注意，在這個理論中，能量被假設為只在入射波、零階（直射波）和一階繞射波之間交換。若要消除這個限制，需要嚴格耦合波分析理論。對於TM(橫向磁場)極化，我們可以簡單地將κ替換為κTM，如下所示，仍然使用前面的公式。

Luis Walter Alvarez（生於1911 年 6 月 13 日 – 卒於1988 年 9 月 1 日）是美國實驗物理學家、發(fā)明家和教授。他還是 1968 年諾貝爾物理學獎獲得者。沒有過度失真的可變焦距鏡頭被廣泛認為是非常理想和廣泛適用的，但儘管現(xiàn)有技術工作人員失敗了，Alvarez還是設法提出了可變焦距鏡頭和系統(tǒng)。

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