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某個(gè)角度的一道入射平面波會(huì)在下面兩個(gè)介面中反覆交錯(cuò)無數(shù)次：空氣到膜層介面以及膜層到基板介面。在每一次的交錯(cuò)中，就相應(yīng)產(chǎn)生一道穿透以及一道反射光場(chǎng)，最後這些光場(chǎng)會(huì)在同調(diào)的假設(shè)下相加。經(jīng)過一番如魔術(shù)般建設(shè)性以及破壞性干涉後，最後的結(jié)果可以用巨觀的反射以及穿透?jìng)S數(shù)來表示。入射光的電場(chǎng)並非用單一個(gè)點(diǎn)來描述，相對(duì)的，我們會(huì)假設(shè)該電場(chǎng)比多重光束干涉發(fā)生的區(qū)域更大許多。

這些模態(tài)的電場(chǎng)分佈可以寫成 Ince 多項(xiàng)式。 Miguel A. Bandres 和 Julio C.

關(guān)於 Jones Matrix在下列的式子中，我們用向量E來表示電場(chǎng)的振幅和偏振態(tài)。此外，E具有{Ex, Ey, Ez}三個(gè)複數(shù)型式的分量。而傳播向量k的三個(gè)分量{l, m, n}則是電磁波在x, y, z方向上的Cosine分量。為了使下方的式子成立，E和k必須互相垂直。將E和k分別以分量的形式帶入，我們可以得到下方的結(jié)果。

光耦合器屬光電器件中之一環(huán)，系一發(fā)光及受光元件的組合體，借由光的傳輸達(dá)到導(dǎo)通的要求，為一理想的絕緣體，因此在許多電子電器產(chǎn)品上，皆采用此器件作為【高壓隔離】用途。發(fā)光器件通常為發(fā)光二極體，受光器件通常在低階產(chǎn)品為光二級(jí)管/光三級(jí)管/光晶閘管，高階產(chǎn)品為光耦合積體電路。

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