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帖子 手摸手教你入門ansys maxwell | 銅線電場分布
手摸手,所有截圖教你入門ansys maxwell 有限元分析最簡單案例 - 銅線電場分布。0、需求說明使用 ansys maxwell 對電纜線電場進(jìn)行計算。 電纜尺寸銅芯半徑為 15mm,絕緣體層為 7mm。
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仿真客 ??? 2年前
手摸手教你入門ansys maxwell | 銅線電場分布
帖子 Ansys Zemax | 如何使用物理光學(xué)傳播(POP)工具描述空間電場傳播(一)
這些選項在包含電場信息的每個表面上創(chuàng)建一個 Zemax 光束 (.zbf) 文件。運(yùn)行POP后,圖像平面上會顯示光束的輻照度。觀察結(jié)果顯示,光束采樣良好,光束上分布著眾多像素,且輸出圖像中未出現(xiàn)鋸齒或其他異常偽影。然而,當(dāng)我們切換到“Prop Report”選項卡時,發(fā)現(xiàn)存在潛在問題,即在Surface 2上出現(xiàn)了“引導(dǎo)光束采樣率低”的警告。
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宇熠科技 ??? 1年前
Ansys Zemax | 如何使用物理光學(xué)傳播(POP)工具描述空間電場傳播(一)
帖子 如何利用ANSYS的隨機(jī)分布函數(shù)功能
作者:水哥ANSYS來源:本文源于ANSYS結(jié)構(gòu)院,上海安世亞太授權(quán)轉(zhuǎn)載 隨機(jī)分布在材料微觀力學(xué)分析中扮演著重要角色,例如混凝土骨料力學(xué)、新型材料纖維力學(xué)分析等內(nèi)容,提及隨機(jī)分布,更多的同學(xué)可能會聯(lián)想到采用第三方軟件如Matlab來生成,并導(dǎo)入ANSYS計算,其實ANSYS本身自帶隨機(jī)分布功能,只是功能略有限制。
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上海安世亞太 ??? 4年前
如何利用ANSYS的隨機(jī)分布函數(shù)功能
帖子 Ansys Zemax | 如何使用物理光學(xué)傳播(POP)工具描述空間電場傳播(二)
附件下載聯(lián)系工作人員獲取附件本系列文章將介紹如何使用OpticStudio中的物理光學(xué)傳播(POP)工具計算電場在自由空間中傳播的狀況。本文主要介紹如何查看光束強(qiáng)度以及與強(qiáng)度有關(guān)的問題。概要這一系列的文章一共有三篇,本文是其中的第二篇。在這三篇文章中,我們將通過一個例子來闡述如何正確使用POP。
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宇熠科技 ??? 1年前
Ansys Zemax | 如何使用物理光學(xué)傳播(POP)工具描述空間電場傳播(二)
問答 Ansys Maxwell 3D靜電場仿真如何獲取仿真結(jié)果中某特定值的等勢線分布圖?

所用軟件是Ansys Electronics Desktop,利用該軟件的Maxwell 3D模塊進(jìn)行類似于金屬屏蔽體內(nèi)的靜電場分析,想獲取仿真結(jié)果中某電位值的等勢面分布圖,以及某截面的等勢線分布圖,類似于圖中所示(圖片引自:趙燁明. 基于類等勢場法的不動環(huán)預(yù)成形優(yōu)化設(shè)計[D]. 南昌航空大學(xué), 2023.),新手求助各位大佬,請問這種應(yīng)該如何操作呢?

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用戶_66846 ??? 2月前
帖子 Ansys Lumerical | 對鐵電波導(dǎo)調(diào)制器進(jìn)行仿真應(yīng)用
BiTiO3層的頂部的非晶硅可以形成脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu),可以限制橫向(x方向)的光分布。金電極觸點被放置在離非晶硅脊波導(dǎo)兩側(cè)1μm遠(yuǎn)的地方。 在本案例中,我們首先使用CHARGE求解器模擬不同偏置電壓下,波導(dǎo)橫截面上的電場分布。然后,我們根據(jù)對應(yīng)的電場分布變化來計算BiTiO3材料折射率的變化,并模擬分析出不同偏置電壓下波導(dǎo)的有效折射率。
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宇熠科技 ??? 3年前
Ansys Lumerical | 對鐵電波導(dǎo)調(diào)制器進(jìn)行仿真應(yīng)用
帖子 某電除塵器兩電場改三電場,進(jìn)口為下進(jìn)氣結(jié)構(gòu),電場氣流均布性模擬分析
,通過添加必要的導(dǎo)流措施對除塵器電場前流場分布進(jìn)行優(yōu)化,以達(dá)到電場前斷面氣流均布指標(biāo)滿足要求的目的。
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LCFX ??? 12月前
某電除塵器兩電場改三電場,進(jìn)口為下進(jìn)氣結(jié)構(gòu),電場氣流均布性模擬分析
帖子 Ansys輸配電設(shè)備整體解決方案(上)
基于Ansys Workbench的多物理場仿真平臺輸配電設(shè)備電場分析有限元仿真基本流程電場仿真目的和流程? 電場仿真目的- 計算電場強(qiáng)度和電場分布,校核絕緣設(shè)計? 典型仿真流程- 建立幾何模型,并做合理簡化- 模型導(dǎo)入Maxwell軟件,進(jìn)行前處理設(shè)置(添加與實驗電壓對應(yīng)的電壓激勵)- 計算機(jī)求解
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Cruise ??? 2年前
Ansys輸配電設(shè)備整體解決方案(上)
帖子 ANSYS高壓斷路器解決方案
02解決方案ANSYS集成化設(shè)計解決方案基于ANSYS Workbench的多物理場仿真平臺2.1 高壓斷路器電場分析有限元仿真基本流程電場仿真目的和流程電場仿真目的- 計算電場強(qiáng)度和電場分布,校核絕緣設(shè)計典型仿真流程- 建立幾何模型,并做合理簡化
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Cruise ??? 3年前
ANSYS高壓斷路器解決方案
帖子 Ansys Lumerical | 光子集成電路光電元件設(shè)計
圖 8 比較了兩種 VPD 布局(“大”和“小”接觸)下仿真的電場強(qiáng)度。在小接觸情況下,入射到鍺上的光被吸收得更多,從而提高了響應(yīng)度。可以聯(lián)系工作人員了解有關(guān)仿真方法的更多詳細(xì)信息。圖 8. Ansys Lumerical FDTD 中仿真的具有(a)大電接觸和(b)小電接觸的器件中的 2D 橫向電場分布表 1 總結(jié)了仿真器件的基本性能指標(biāo),并比較了大電接觸和小電接觸的影響。
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宇熠科技 ??? 11月前
Ansys Lumerical | 光子集成電路光電元件設(shè)計
帖子 Lumerical光子集成電路光電元件設(shè)計
Ansys Lumerical FDTD 中仿真的具有(a)大電接觸和(b)小電接觸的器件中的 2D 橫向電場分布表 1 總結(jié)了仿真器件的基本性能指標(biāo),并比較了大電接觸和小電接觸的影響。總之,使用較小電接觸的仿真器件在保持低暗電流和高帶寬操作的同時,響應(yīng)度提高了 38.3%。
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摩爾芯創(chuàng) ??? 4月前
Lumerical光子集成電路光電元件設(shè)計
帖子 Ansys Lumerical | 行波 Mach-Zehnder 調(diào)制器仿真分析
步驟1:參雜硅材料波導(dǎo)的電壓-載子濃度分布關(guān)系 由于Lumerical 的Multiphysics CHARGE模塊是用有限元方法(Find Element Method)計算,2D還是3D對求解時間差異明顯。因此首先分析尺寸與模型:pn結(jié)平行電場方向長10um,垂直電場方向?qū)?mm、厚度0.09um且無垂直電場方向的形狀變化,加上載子濃度會與電場分布強(qiáng)相關(guān),建議此步驟用2D求解來節(jié)省時間。
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宇熠科技 ??? 3年前
Ansys Lumerical | 行波 Mach-Zehnder 調(diào)制器仿真分析
問答 comsol,超聲振動下的電場仿真?

<p>我正在做一項關(guān)于超聲振動對電場影響的仿真研究,旨在探討超聲振動是否對電場分布和強(qiáng)度產(chǎn)生顯著影響。模型的基本配置如下:刀具施加振動,噴嘴連接電源,工件接地,且刀具與工件直接接觸;噴嘴與刀具之間的距離為20mm,且噴嘴相對于刀具呈45°角傾斜。

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丁佳慶 ??? 1年前
帖子 通過仿真降低航天器上的靜電放電風(fēng)險
在其他情況下,為了模擬電介質(zhì)擊穿(發(fā)生在納秒時間尺度的過程),EMA3D Charge 利用全波電磁求解器和隨機(jī)樹模型計算擊穿概率作為電場、材料的介電強(qiáng)度和耦合的函數(shù)相鄰節(jié)點的強(qiáng)度。該概率分布在每個時間步和用于該問題的 FEM 網(wǎng)格的每個節(jié)點處進(jìn)行評估。 圖 7:上圖是太陽能電池片擊穿的模型設(shè)置,其中每個電池都施加了偏置電壓并具有材料特性。
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仿真客 ??? 2年前
通過仿真降低航天器上的靜電放電風(fēng)險
帖子 Ansys Lumerical | 基于氮化物的微型LED
步驟1:從CHARGE模擬中提取載流子密度和電場分布在第一步中,我們使用CHARGE求解器模擬uLED,該求解器自一致地求解漂移-擴(kuò)散和泊松方程,以返回載流子密度和電場分布。我們進(jìn)行了兩次模擬,第一次模擬不包括極化效應(yīng),而第二次模擬同時考慮了自發(fā)和應(yīng)變誘導(dǎo)的極化。材料極化效應(yīng)表現(xiàn)為表面電荷密度,使用表面電荷密度邊界條件應(yīng)用于有源區(qū)域的界面。表面電荷濃度的值是通過腳本解決方案預(yù)先計算的。
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宇熠科技 ??? 10月前
Ansys Lumerical | 基于氮化物的微型LED
帖子 基于ANSYS的PCB電磁兼容仿真案例
圖2-16 電場分布圖2-17 建模圖2-18 耦合度圖2-19 電場分布(6) 信號和電源都在頂層和底層,參考層相同信號和電源在頂層/底層的同側(cè)布線,然后通過過孔分別將電源走線和信號走線連接到一起,信號過孔和電源過孔陣列距離非常近,同時第2、4、7、9、11層都為地層。具體層疊結(jié)構(gòu)如圖2-20所示。其分析結(jié)果分別如圖2-21和圖2-22所示。
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萬有引力LYQ ??? 2年前
基于ANSYS的PCB電磁兼容仿真案例
帖子 COMSOL電場力誘導(dǎo)聚合物成型
兩相流動力學(xué)模型 :由于聚合物復(fù)形過程中誘導(dǎo)模板與導(dǎo)電襯底的固定性,聚合物誘導(dǎo)流變過程的動態(tài)演變可歸結(jié)于外加電場作用下聚合物氣液界面的動態(tài)追蹤,在此,采用兩相流模型描述氣液界面形貌的演變狀態(tài)。在描述空間調(diào)制電場誘導(dǎo)聚合物流變行為中,需要解決的關(guān)鍵問題為:(1)電場與流場的耦合,即電場如何對流場產(chǎn)生作用力,流場如何影響電場分布;(2)準(zhǔn)確的追蹤氣液界面,即如何展現(xiàn)電場誘導(dǎo)聚合物流變成形的動態(tài)過程。
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simulat997 ??? 4年前
COMSOL電場力誘導(dǎo)聚合物成型
帖子 交流電場下微通道中的液滴動力學(xué)----基于FLUENT進(jìn)行UDF二次開發(fā)
一些結(jié)果云圖如下: 圖二 交流電場分布 圖三 液滴分布 圖三 液滴與場強(qiáng)分布 通過FLUENT二次開發(fā),建立了三維電流體動力學(xué)模型,該模型實現(xiàn)了VOF方法和泄漏介質(zhì)模型的耦合,可以得到與相應(yīng)實驗完全一致的結(jié)果。研究表明,隨著電壓的增加,液滴尺寸變小,導(dǎo)致電場對液滴形成的影響越來越大。分散相和連續(xù)相之間的壓力差說明了電應(yīng)力影響的細(xì)節(jié)。
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320科技工作室 ??? 3年前
交流電場下微通道中的液滴動力學(xué)----基于FLUENT進(jìn)行UDF二次開發(fā)
視頻 基于ANSYS的烙鐵溫度分布仿真分析計算
基于ANSYS的烙鐵溫度分布仿真分析計算
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寧博士CAE團(tuán)隊 ??? 4年前
基于ANSYS的烙鐵溫度分布仿真分析計算
視頻 基于ANSYS的電磁閥溫度分布仿真分析計算
基于ANSYS的電磁閥溫度分布仿真分析計算
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寧博士CAE團(tuán)隊 ??? 4年前
基于ANSYS的電磁閥溫度分布仿真分析計算
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