本文選用ANSYS/LS-DYNA模塊作為此次仿真的模擬平臺,此平臺結合了ANSYS的強大前后處理功能和LS-DYNA求解器的強大分析能力[7],L S-D Y N A通過瞬態動力學分析結構動力學響應,ANSYS/LS-DYNA顯示時間積分采用中心差分法,即n個時間步結束后加速度的計算和LS-DYNA中的時間步長計算分別為:式中,M為質量矩陣;P為第n個時間步內所施加的節點外力向量;Fint
在本例中,我們使用適合 Si 的沖擊電離模型,根據提供的電場和溫度計算沖擊電離系數。該模型在 1975 年定義的,Okuto,半導體結中雪崩擊穿電壓的閾值能量效應。同一參考也提供了 Ge 的參數。在第二個ATP接口中,用戶可以直接提供沿一條電場線計算的沖擊電離系數,而不是提供電場和溫度。這樣,任何任意沖擊電離模型都可以由用戶在腳本中實現,并作為 atp 的輸入提供。