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消除納米片褶皺的GNS/ANF復(fù)合膜的熱導(dǎo)率和力學(xué)性能。圖2. 面內(nèi)拉伸法制備消除納米片褶皺的GNS/ANF薄膜。圖3. 復(fù)合膜的褶皺調(diào)控和導(dǎo)熱性能的提高。圖4. 通過面內(nèi)拉伸消除納米片褶皺來提高GNS/ANF復(fù)合膜熱導(dǎo)率的機(jī)理。圖 5.

此外，作者將nMAG(200 nm)和聚乙烯醇(PVA)層層組裝成10 μm厚的石墨烯膜，通過PVA的分解構(gòu)建nMAG氣體逸散通道，抑制氣囊的產(chǎn)生、降低組裝石墨烯厚膜的褶皺密度，進(jìn)而提升薄膜導(dǎo)電、導(dǎo)熱能力。

如圖10(f- 1)所示，LGO形成的微褶皺使薄膜具有更高的伸長率，并且具有較好的小半徑扭轉(zhuǎn)容忍度。 圖10.(a, b)離心采集的L-GO和S-GO的SEM圖像，(c) L-GO和rL-GO膠片的數(shù)碼照片，(d和e) rL-GO和rS-GO薄膜的熱屏蔽性能和EMI屏蔽性能，(f)說明無碎片氧化石墨烯薄片形成微褶皺，(g-h) DfrGO薄膜的橫截面和表面形貌。

圖 搪塑工藝 表：搪塑PVC表皮工藝缺陷表 項(xiàng)目 缺陷 原因分析 1 表皮褶皺 產(chǎn)品被揉搓造成褶皺，脫模后產(chǎn)品未定型或沒按規(guī)定保存。

在不拉伸片材的情況下，我們不可能將最初處于平面狀態(tài)的柔性液晶盒單元平滑地（沒有褶皺）包覆在雙軸曲面（如透鏡）表面。 實(shí)際上，這種理想的、雙軸拉伸可以通過熱成型來實(shí)現(xiàn)，這是一種通過熱和壓力拉伸的工藝，使用這種工藝的前提是所使用的材料要能夠承受軟化基板所需的應(yīng)變和溫度（如圖6所示）。 圖6.

值得一提的是，浙江大學(xué)高超課題組通過采用無碎片的大石墨片（dfGO）做為原始材料制備薄膜，其內(nèi)部隨機(jī)分散的微褶皺可以伸展并變?yōu)楦飨虍愋?、?duì)齊結(jié)構(gòu)以適應(yīng)拉伸和彎曲，在經(jīng)過 6000 次折疊循環(huán)，10萬次 180°彎曲循環(huán)后，仍能保持結(jié)構(gòu)完整性。最終得到厚度為 10 μm 的薄膜（dfGF），其熱導(dǎo)率為 1940±113 W/(m·K)，導(dǎo)電率為1.06×106 S/m。

得益于MXene層的褶皺結(jié)構(gòu)和石墨烯膜的互連多孔網(wǎng)絡(luò)的協(xié)同效應(yīng)，所獲得的G/M復(fù)合薄膜具有更高的柔韌性，并具有高達(dá)96.3 dB的高EMI SE，優(yōu)于迄今為止報(bào)道的大多數(shù)類似厚度的屏蔽材料。此外，聚合物修飾的G/M復(fù)合薄膜在低驅(qū)動(dòng)電壓下表現(xiàn)出高效的電熱轉(zhuǎn)換能力。這些柔性G/M復(fù)合薄膜具有優(yōu)異的電磁干擾屏蔽和焦耳加熱綜合功能，有望應(yīng)用于下一代微型化柔性電子產(chǎn)品。

09結(jié)構(gòu)功能一體化石墨烯纖維浙江大學(xué)高超、許震團(tuán)隊(duì)與清華大學(xué)馬維剛教授團(tuán)隊(duì)（共同通訊）合作，利用先前建立的溶劑插層塑化的效應(yīng)對(duì)初生的氧化石墨烯纖維進(jìn)行二次塑化拉伸，大幅度消除石墨烯原絲中的無規(guī)褶皺結(jié)構(gòu)。

采用石墨烯作為導(dǎo)熱填料制備的熱界面材料，以及制備的石墨烯散熱膜都成為了熱管理材料領(lǐng)域核心材料。

A.Krishna 等通過施加應(yīng)力來動(dòng)態(tài)改變石墨烯表面皺褶的間距大小，由于該褶皺可造成光的多次內(nèi)部反射和干涉，使材料表面透射率降低并提高了發(fā)射率。

如Lee等人在Ge襯底上成功生長出無褶皺的單晶單層石墨烯，如圖3所示。由于石墨烯與其下的Ge表面之間的相互作用非常弱，實(shí)現(xiàn)了石墨烯的無蝕刻干轉(zhuǎn)移，這使得循環(huán)利用Ge襯底來持續(xù)生長石墨烯成為可能。這種方法需要復(fù)雜的襯底制備，例如，單晶Ge襯底必須在硅襯底上外延生長，然后才能生長石墨烯。最近，大單晶石墨烯的快速生長得到了報(bào)道。