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5 先進技術展望 基于焊接與引線鍵合的傳統(tǒng)材料工藝存在熔點低、高溫蠕變失效、引線纏繞、寄生參數(shù)等無法解決的問題，新型互連材料正從焊接向壓接、燒結(jié)技術發(fā)展。 與焊接式功率模塊相比，壓接式模塊的優(yōu)勢具體有以下幾點。 （1） 焊接通過引線連接芯片和PCB板，在多次功率循環(huán)后容易老化脫落，造成模塊失效。而且，焊接層空洞增加熱阻，降低可靠性。

但 SiC 襯底和外延材料還不夠成熟，高活躍性的碳原子的存在使 SiC 晶圓面臨高缺陷密度、成本高和器件良率低等一系列挑戰(zhàn)，同時SiC MOSFET 柵極氧化層普遍存在可靠性問題，這是SiC 功率半導體器件工藝的主要難題之一。

但 SiC 襯底和外延材料還不夠成熟，高活躍性的碳原子的存在使 SiC 晶圓面臨高缺陷密度、成本高和器件良率低等一系列挑戰(zhàn)，同時SiC MOSFET 柵極氧化層普遍存在可靠性問題，這是SiC 功率半導體器件工藝的主要難題之一 [16] 。

靜態(tài)加載：長期持載，研究蠕變開裂行為。能量釋放率的加載模式這為工程實踐中不同的失效模式（突然斷裂、疲勞破壞、應力松弛開裂）提供了統(tǒng)一的分析框架。一個核心問題隨之而來：對于您正在研發(fā)或應用的具體材料，它的Gc 和Gth 究竟是多少？