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和氮化鎵基半導體材料技術開發的先驅公司。

CINNO Research產業資訊，Porotech是一家長期致力于Micro-LED和氮化鎵基半導體材料技術開發的先驅公司。作為英國劍橋大學劍橋氮化鎵中心的一家子公司，它擁有多孔GaN材料開發能力。近日，該公司第一次在世界上公開展示了一款“一體式”Micro-LED全彩顯示器。

Micro LED顯示技術的優勢是自發光、低功耗、高亮度、超高分辨率、小尺寸和高色彩飽和度，十分符合顯示屏領域輕薄化、小型化、低功耗、高亮度的發展方向。因此，高反應速度的Micro LED是現今非常熱門的新一代顯示概念，將成為LED未來的發展方向。 在Micro LED領域，巨量轉移技術是該領域發展的重點。

“一直以來，紅色Micro-LED芯片的開發讓人們夜不能寐，因為大家都不能讓用于藍色和綠色LED器件制造的傳統氮化鎵材料在更長的紅色波段下有效工作，”Kubos半導體的首席執行官Caroline O'Brien表示：“如果希望尋找到一個突破口，大家就必須要以一種不同的方式看待這個問題，而這就是我們一直在做的方向。” 那么，紅色Micro-LED芯片的開發到底遇到了什么問題？

垂直結構AlInGaP（磷化鋁鎵銦）等典型的紅色Micro-LED可以與藍色和綠色InGaN（氮化銦鎵）LED相匹配。基于AlInGaP材料的垂直結構Micro-LED顯示屏，其制造工藝在垂直結構中更具代表性，另外InGaN材料的垂直結構RGB Micro-LED也采用了類似的工藝流程。此外，InGaN倒裝芯片結構也是一大類，它在制造方面類似于傳統的LED倒裝芯片解決方案。

演講主題：《Micro LED硅基微型顯示技術及產業》演講嘉賓：君萬微 總經理 季華夏君萬微總經理季華夏深入剖析了Micro LED硅基微型顯示技術的最新進展及其在微型顯示領域的廣泛應用。季總詳細介紹了君萬微電子的發展歷程和成就，特別是其在碳化氮化鎵LED微型顯示器芯片上的突破。演講涵蓋了顯示與微型顯示器的技術區別，介紹了無機LED在亮度和抗殘影方面的優勢。

CINNO Research產業資訊，最近，有研究人員報告稱，僅使用單個氮化鋁（AlGaN）緩沖層將硅基綠色氮化銦鎵（InGaN）發光二極管（LED）的內部量子效率（IQE）提高了78% [Ayu-Dai等人，Appl. Phys. Lett.，v125，p022102024]。

4顆led用于移動電源的充放電顯示。 這個是拆解小米充電寶2的一個電板，對比一下，米3電源多了一個Micro接口，還有一個固態電容。兩塊電板，放在一起對比一下。

公司主要產品包括等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備、原子層沉積（ALD）設備和次常壓化學氣相沉積（SACVD）設備三個產品系列，擁有自主知識產權，技術指標達到國際同類產品先進水平，產品主要應用于集成電路晶圓制造，以及TSV封裝、光波導、Micro-LED、OLED顯示等高端技術領域。