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由于晶圓經(jīng)過減薄后容易產(chǎn)生變形或翹曲，目前業(yè)界主流的解決方案是采用一體機(jī)的思路，將晶圓的磨削、拋光、保護(hù)膜去除 和劃片膜粘貼等工序集合在一臺設(shè)備內(nèi)。晶圓從始至終都被吸在真空吸盤上，始終保持平整狀態(tài)，從而 防止了晶圓在工序間搬運(yùn)時產(chǎn)生變形或翹曲。

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圖2 CoWoS 架構(gòu)[9] 圖2展示了CoWoS的主要結(jié)構(gòu)，通過CoWoS，設(shè)計(jì)者可以實(shí)現(xiàn)1* SoC + 4*高帶寬內(nèi)存（High Band Memory，HBM）的芯片架構(gòu)，極大的擴(kuò)展了SoC與HBM之間的帶寬，尤其是Interposer/TSV等互連結(jié)構(gòu)的引入，幫助設(shè)計(jì)者更加有效的提升了互連性能。