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差分電荷密度（Differential Charge Density）、d帶中心理論（d-Band Center）與晶體軌道哈密頓布居（Crystal Orbital Hamiltonian Population, COHP）作為量子尺度的重要分析工具，可直觀揭示化學鍵形成機制、電荷轉移路徑及催化活性位點特性，為材料理性設計提供理論基石。

、軌道能級4.2 HOMO-LUMO 圖輸出4.3 布居數分析、偶極矩等4.4 電子密度4.5 靜電勢計算及繪制（ESP） Gaussian進階操作及實際計算過程 5、Gaussian進階操作I：——勢能面相關5.1 勢能面掃描5.2 過渡態搜索（TS和QTS）5.3 反應路徑IRC等5.4 反應能壘

5.4 第三代半導體SIC加速上車-AMB急速獲益SiC 加速上車，AMB 隨之受益，Si3N4陶瓷基板的熱膨脹系數與第 3代半導體襯底SiC晶體接近，使其能夠與SiC晶體材料匹配性更穩定。