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在 FDD 中，柵極對溝道的控制能力更強(qiáng)，可以減少短溝道效應(yīng)，即隨著源極和漏極之間的距離減小，溝道中的漏電流會增大。一般來說，F(xiàn)DD 的關(guān)鍵方法是減少溝道硅的厚度。也有類似的技術(shù)，例如鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）或全柵極（GAA），但由于其三維結(jié)構(gòu)，復(fù)雜性較高，而 FD-SOI 具有二維平面結(jié)構(gòu)，技術(shù)難度相對較小，可以更快推出。

金剛石-碳化硅陶瓷基復(fù)合材料可通過粉體的燒結(jié)工藝，如放電等離子燒結(jié)，或熔滲工藝，如反應(yīng)熔滲和氣相滲硅等方法制備。然而，致密的金剛石-碳化硅復(fù)合材料的制備工藝相當(dāng)復(fù)雜，通常會因燒結(jié)過程中硅與金剛石或者碳與硅的反應(yīng)引起較大的尺寸變化，且復(fù)合材料中含有較多未反應(yīng)的游離硅。

與傳統(tǒng)的粉末冶金干法制備工藝相比，流延工藝制備出的陶瓷薄片均勻性好、通透性高，在要求比較高的集成電路 領(lǐng)域深受歡迎。陶瓷基板常用的成型方法主要以流延成型為主。