如下圖所示,為了形成肖特基勢(shì)壘,將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合(肖特基結(jié))。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同,其重要特征也是具備高速特性。 而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優(yōu)異的高速性還同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高耐壓。要想提高Si-SBD的耐壓,只要增厚圖中的n-型層、降低載流子濃度即可,但這會(huì)帶來阻值上升、VF變高等損耗較大無法實(shí)際應(yīng)用的問題。
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半導(dǎo)體材料與工藝設(shè)備 ??? 4年前