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如圖 4 所示，升華是中心區域的主要消融行為，氧化是中心區域的主要燒蝕行為；硅的氧化以及氧化硅氣體的沉積是外部區域形成二氧化硅顆粒的主要原因，如圖 4(c)所示；圖 4(a)中的中心區域燒蝕后，由于增強纖維(M30,Japan) 的高導熱性和相鄰端升華速度的差異，纖維形成了針狀微結構。