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拋光主要通過配比好的拋光液對研磨片進行機械拋光和化學拋光(CMP)，用 來消除表面劃痕、降低表面粗糙度及消除加工應力等，使研磨片表面達到納米級平 整度。最后通過檢測、清洗，將襯底交付給下游外延環節。 2.2 外延:可滿足不同應用領域對器件的電阻等參數要求 外延可滿足不同應用領域對器件參數要求。