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論高功率光學
鍍膜
的復雜情況
為便于討論,此處僅討論對激光
損傷
耐受力進行測試的兩種方法:
損傷
閾值測試和耐受力認證。
損傷
閾值測試(又稱直到出現故障的測試)- 光學
鍍膜
的測試方式是使用 激光 照射表面,逐漸增大輸出功率,直到觀察到
損傷
為止。如需
鍍膜
故障的一些實際影像,請參閱圖 1a - 1d。 耐受力認證 - 根據預先確定的規格或規格組合對光學
鍍膜
進行測試。
2719
3
光與影
??? 2年前
帖子
PVD
鍍膜
應用市場不斷擴增,至2025年國內市場規模CAGR 13%
另外,磁控濺射技術可避免高能粒子對基材的強烈轟擊,不會引起基材的電子輻射
損傷
,也充分地體現了其“低溫”濺射的特性。顯示及觸控產品在PVD
鍍膜
產業中占據主導地位顯示及觸控產品在PVD
鍍膜
產業中占據主導地位,直接影響上游包括濺射靶材在內的PVD
鍍膜
相關產業的成長。
2040
CINNO
??? 3年前
帖子
原來它們是造成光學薄膜
損傷
的影響因素
鍍膜
前對基底的加工、清洗、處理等過程會不可避免地引入雜質:蒸發
鍍膜
過程中,往往在
鍍膜
材料中會形成雜質,主要有異于原材料的污染介質、膜層非正常生長而形成的結瘤和微孔以及材料非正常結合的覆蓋物等。由于雜質缺陷在光學薄膜中的存在,增大了激光作用時被
損傷
破壞的可能,降低了光學薄膜的LIDT。
2184
w**elab86_Swsp
??? 3年前
帖子
光纖傳感器在磁控濺射
鍍膜
溫度的監測
磁控濺射(Magnetron Sputtering)是一種常見的物理氣相沉積 (PVD) 工藝,具有速度快、溫度低、
損傷
小等優點,其關鍵特點是使用一個磁場來控制并增強濺射過程。已發展成為工業
鍍膜
中非常重要的技術之一,其次由于具有濺射速率高,沉積速率高,沉積溫度低,薄膜質量好的等優點,越來越受到有關方面的關注。
2282
工采網
??? 2年前
帖子
表面處理技術分享(第二十講:塑件的表面處理方法匯總簡述)
3、真空
鍍膜
技術(PVD) 在高真空環境中,將金屬(如鋁)蒸發后冷凝在塑膠表面,形成20-200nm的薄金屬層。工藝溫度低(≤80℃),不
損傷
基材,可實現玫瑰金、藍色、黑色等多種金屬色,還能保持塑膠的輕量化優勢。適合3C產品外殼、化妝品包裝、燈飾配件,環保無化學污染,裝飾效果高端且耐久性好。
933
畢磊
??? 8天前
帖子
第十七屆TFCalc光學薄膜設計軟件培訓(2023年6月7-9日)
25年
鍍膜
專業設計和工藝經驗,曾設計和制作過光通訊各種濾光片,光學塑膠鏡片常見膜系,高功率激光薄膜,紅外薄膜等,波長范圍含蓋了從紫外到中遠紅外,尤其在激光高
損傷
閾值膜系和各種紅外膜系方向有豐富的設計和實操經驗。 謝玉春先生 光學工程學士,資深工程師,現任南京波長光電科技股份有限公司智能事業部總經理。研究主要方向是光機自動化與控制、高能激光傳輸以及光學薄膜設計。
2074
w**elab86_Swsp
??? 3年前
帖子
臺階儀(探針式輪廓儀)在太陽能光伏行業的應用
太陽能作為應用廣、無排放、無噪聲的環保能源,在近些年迎來快速發展,而在各類型的太陽能電池及太陽能充電系統中,多會鍍一層透明的ITO導電薄膜,其
鍍膜
厚度對電池片的導電性能有著非常重要的影響,因而需要對
鍍膜
厚度進行檢測與管控。
2021
深圳市中圖儀器股份有限公司
??? 2年前
帖子
都2022年了,這些半導體上游設備及材料上市公司不會還有人不知道吧?
阿石創薄膜材料,可分為濺射靶材、蒸鍍材料與
鍍膜
配件三大產品線,主要應用于光學、光通信、平板顯示、觸控面板、集成電路、LED芯片、Low-E玻璃、裝飾
鍍膜
、工具
鍍膜
、光伏太陽能、光磁存儲等領域。 隆華科技隆華科技集團(洛陽)股份有限公司成立于1995年,位于河南省洛陽市空港產業集聚區,注冊資金9.14億元,2011年在深交所上市,股票代碼300263。
5611
半導體材料與工藝設備
??? 3年前
帖子
RP 系列激光分析設計軟件 | 薄膜偏振器
薄膜偏振片的種類很多,涉及到不同的光學制備工藝和具有實際應用價值的各種性能: 平板偏振器(圖1)僅由
鍍膜
玻璃板組成。這種設計通常是這樣設計的,即入射角在布魯斯特角處是必不可少的。以此方式,容易避免背面的透射光的反射損失。對于其他入射角度,如45°(通常很方便),背面需要防反射涂層,而正面的層結構設計也可能更加困難。
2042
墨光科技
??? 2年前
帖子
關于掃描電鏡的常見提問及回答
對于導電性差或對電子束敏感的樣品,如生物樣品、高分子材料等,一般選擇較低的加速電壓,如1kV - 5kV,以減少樣品
損傷
和荷電效應,更好地觀察表面細節。 3、樣品制備類 提問:掃描電鏡樣品制備有哪些基本要求?
2495
1
深圳市中圖儀器股份有限公司
??? 1年前
帖子
芯片制造的核心工藝:一文看懂薄膜沉積
ALD將物質以單原子層的形式一層一層沉積在基底表面,每
鍍膜
一次/層為一個原子層,
鍍膜
10次/層約為1nm,因此ALD的缺點在于沉積速率較慢,不適合大規模生產,在45nm以上等成熟制程中相較LPCVD/PECVD工藝仍不具備成本或者沉積速率優勢。
12863
3
芯電路芯資訊
??? 3年前
帖子
吳凡研究員、李泓研究員團隊在IF=37.4頂刊發文:固態電池——從基礎研究到產業化
d) 在電化學循環過程中,X 射線計算機斷層掃描顯示了 LAGP SE 中因界面生長而造成的機械
損傷
的演變。 4.3.2.界面接觸不良 鋰金屬 SE 與鋰之間的界面接觸不良表現在兩個方面,即循環前的初始接觸和循環過程中由于鋰金屬體積變化而形成的空隙。界面接觸不良會導致較大的界面阻抗和鋰絲生長。
7382
能源阿陽
??? 2年前
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