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我們通常將入射面可視化為顯示系統的平面，Y軸垂直于顯示器，并向外指向觀察者。 在垂直入射時，對線性偏振方向影響，因此我們將入射波中的電場的正方向設置為沿著正y軸。相同的慣例適用于反射波和透射波。對于相位參考點，我們選擇入射波和反射波的坐標原點，但是z軸從發射波的后表面或出射表面出現的點，我們選擇時間變量，使入射波的相位在參考點處為零。然后，反射和透射波的相位也就是反射和透射的相位變化。

在垂直入射時，對線性偏振方向影響，因此我們將入射波中的電場的正方向設置為沿著正y軸。相同的慣例適用于反射波和透射波。對于相位參考點，我們選擇入射波和反射波的坐標原點，但是z軸從發射波的后表面或出射表面出現的點，我們選擇時間變量，使入射波的相位在參考點處為零。然后，反射和透射波的相位也就是反射和透射的相位變化。圖2顯示了這種約定。

我們通常將入射面可視化為顯示系統的平面，Y軸垂直于顯示器，并向外指向觀察者。 在垂直入射時，對線性偏振方向影響，因此我們將入射波中的電場的正方向設置為沿著正y軸。相同的慣例適用于反射波和透射波。對于相位參考點，我們選擇入射波和反射波的坐標原點，但是z軸從發射波的后表面或出射表面出現的點，我們選擇時間變量，使入射波的相位在參考點處為零。然后，反射和透射波的相位也就是反射和透射的相位變化。

我們通常將入射面可視化為顯示系統的平面，Y軸垂直于顯示器，并向外指向觀察者。 在垂直入射時，對線性偏振方向影響，因此我們將入射波中的電場的正方向設置為沿著正y軸。相同的慣例適用于反射波和透射波。對于相位參考點，我們選擇入射波和反射波的坐標原點，但是z軸從發射波的后表面或出射表面出現的點，我們選擇時間變量，使入射波的相位在參考點處為零。然后，反射和透射波的相位也就是反射和透射的相位變化。

當打破結構對稱性后會產生一個的準BIC，進一步在斜入射下會產生巨大的手性。 圖1：金屬開口環超表面 圖2：手性透射譜在CST仿真中我們選擇頻域求解器，介質板介電常數為2.2，損耗正切角設為0.009，金屬選擇銅。

設置與周期線光柵的案例相同，但代替周期性排列的線，現在使用單線。因此，二維計算域不再采用水平方向上的周期性邊界條件，而是采用水平和垂直方向上的透明邊界。光柵被斜入射S和P偏振平面波照亮。JCMsuite計算近場分布。

設置與周期線光柵的案例相同，但代替周期性排列的線，現在使用單線。因此，二維計算域不再采用水平方向上的周期性邊界條件，而是采用水平和垂直方向上的透明邊界。光柵被斜入射S和P偏振平面波照亮。JCMsuite計算近場分布。

仿真參數將相應做如下修改： ?邊界條件從周期性改變為Bloch，這是斜入射照明所需的； ?光源入射角度旋轉45度； ?仿真邊界沿Y軸增加，以使場更易于可視化； ?光源偏振設置為P（或TE）。

仿真參數將相應做如下修改： ?邊界條件從周期性改變為Bloch，這是斜入射照明所需的； ?光源入射角度旋轉45度； ?仿真邊界沿Y軸增加，以使場更易于可視化； ?光源偏振設置為P（或TE）。

因此，電場分量只在XY平面。如果光線確實沿Z軸準直入射系統，則該表面可以提供理想的分析結果，并描述出P和S偏振態的變化及透過率的變化。OpticStudio也允許在斜入射的情況下使用瓊斯矩陣表面，但這種情況下該分析功能只能提供近似結果。并且矩陣無法考慮電場在Z方向上的分量產生的影響，即雙折射現象或菲涅爾效應等。如果使用瓊斯矩陣來模擬光延遲器件，則入射光必須垂直于該表面。

因此，電場分量只在XY平面。如果光線確實沿Z軸準直入射系統，則該表面可以提供理想的分析結果，并描述出P和S偏振態的變化及透過率的變化。OpticStudio也允許在斜入射的情況下使用瓊斯矩陣表面，但這種情況下該分析功能只能提供近似結果。并且矩陣無法考慮電場在Z方向上的分量產生的影響，即雙折射現象或菲涅爾效應等。如果使用瓊斯矩陣來模擬光延遲器件，則入射光必須垂直于該表面。

因此，電場分量只在XY平面。如果光線確實沿Z軸準直入射系統，則該表面可以提供理想的分析結果，并描述出P和S偏振態的變化及透過率的變化。OpticStudio也允許在斜入射的情況下使用瓊斯矩陣表面，但這種情況下該分析功能只能提供近似結果。并且矩陣無法考慮電場在Z方向上的分量產生的影響，即雙折射現象或菲涅爾效應等。如果使用瓊斯矩陣來模擬光延遲器件，則入射光必須垂直于該表面。

例如，EMX會進行如下的假設：所有的介質層在x-y平面內無限大，且介電常數均勻分布；模型最底層為無限大的理想金屬地平面，提供回流路徑；頂層介質在Z軸向上無限延伸；不同層的金屬可通過電導率一定的通孔連接。如果我們的芯片面積與單個電感差不多大，介質層在x-y平面內與無限大假設相差較大，則我們應該預期EMX仿真結果誤差也較大。