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包含的文件截圖：詳細描述： 如上圖所示，金納米棒分散在水中形成膠體，一束波長為 400 ~ 1200 nm 的光照射金納米棒膠體，計算其吸收截面、散射截面、消光截面。 由于金納米棒在水中的方向是隨機的，所以要考慮金納米棒上所激發出的局域表面等離激元（LSP）的橫模與縱模，然后將兩種模式做加權平均。

</p><p><img src="https://img.jishulink.com/upload/201908/63954643d5d54e078f3a61f65585014e.png"></p><p><br></p><p>從下面結果的曲線可以看到 ，當頻率在接近500THz的時候會有散射和消光截面的峰值。

下圖是論文中橢圓金顆粒位于無窮大空氣中，求其消光譜，下面是論文圖VS我的復現結果情況二：有限數目的納米顆粒位于兩個半無限大的介質的分界面上，比如納米顆粒放在玻璃基板上，納米顆粒上方是空氣，下方是玻璃，一束光照射到納米顆粒上，求其散射光譜，消光截面等等。下面是論文圖VS我的復現結果。

PBS通過使用三個級聯定向耦合器來實現，第一個彎曲定向耦合器用于基于相位匹配條件分離TE/TM偏振，另外兩個定向耦合器充當濾除不期望的弱交叉耦合功率的關鍵角色，從而實現高消光比。 圖1 多模耦合方案示意圖基于微波系統的多模端面耦合器由于FMF的橫截面比多模石英光波導的橫截面大得多，故引入了基于MWSs的多模端面耦合器來提高耦合效率，如圖2（b）所示。

PBS通過使用三個級聯定向耦合器來實現，第一個彎曲定向耦合器用于基于相位匹配條件分離TE/TM偏振，另外兩個定向耦合器充當濾除不期望的弱交叉耦合功率的關鍵角色，從而實現高消光比。

光子晶體建模以及物理分析3、傳播表面等離激元和表面等離激元光柵等4、超材料和超表面仿真設計，周期性超表面透射反射分析;5、光力、光扭矩、光鑷力勢場計算；6、波導模型：表面等離激元、石墨烯等波導模型的本征模式分析，以及利用數值端口求解各種類型波導的傳輸效率；7、光-熱耦合案例；8、天線模型；9、二維材料如石墨烯建模；10、基于微納結構的電場增強生物探測；11、散射體的散射,吸收和消光截面的計算

圖 2 a) PSW橫截面尺寸示意圖，b) 模式轉換器示意圖，c) MMI示意圖。d) 調制效率與損耗的乘積與橫截面尺寸的關系。e) 模式轉換器的模擬Ez分量。f) MMI的模擬E分量。g) 模式轉換器與MMI的模擬插入損耗。h) 測得的所提MZM傳輸光譜（已扣除GCs插入損耗4.9 dB/端面）。

與載流子注入型的調制器相比，其調制效率較低，器件消光比也較低。6) 應用范圍：多應用于對調制速度有要求的硅基高速調制器。

納米線柵偏振器提供了較好的消光比對比度、最小的吸收以解決高亮度照明，以及緊湊的形狀以便于大規模制造和集成在小型光學器件中。然而，納米線柵偏振器的設計具有一定挑戰性，特別是考慮到制造缺陷。在本應用示例中，展示了如何使用FDTD在保持高透射率的同時，在任意角度上最大化納米線柵偏振器的對比度。

納米線柵偏振器提供了較好的消光比對比度、最小的吸收以解決高亮度照明，以及緊湊的形狀以便于大規模制造和集成在小型光學器件中。然而，納米線柵偏振器的設計具有一定挑戰性，特別是考慮到制造缺陷。在本應用示例中，展示了如何使用FDTD在保持高透射率的同時，在任意角度上最大化納米線柵偏振器的對比度。

c)s-sep結構的截面圖及d)等效電路。e)g-sep結構的截面圖及f)等效電路。首先，通過等效電路模型分析了所提結構在中低頻下的工作原理。如圖2d、f所示，C1視為頂部與底部電極間的電容，C2則是相對T段間的電容，其電壓VC2即為實際調制電壓。電阻R1是輸入微波信號 的源阻抗，R2則是微波信號的終端電阻，兩者均設為50Ω。直流偏置電壓 同樣通過電阻R3施加至器件。

案例七 光-熱耦合案例 案例八 天線模型 案例九 二維材料如石墨烯建模 案例十 基于微納結構的電場增強生物探測 案例十一 散射體的散射,吸收和消光截面的計算

三角、扁平、十字等異形截面纖維、全消光高質感纖維、超亮光纖維等越來越多地被應用到汽車內飾面料中。