焦平面陣列芯片結(jié)構(gòu)和工作原理 該電光式焦平面陣列芯片由薄膜鈮酸鋰及其上的氮化硅結(jié)構(gòu)構(gòu)成。其中氮化硅被刻蝕為不同的光子集成元件以實(shí)現(xiàn)光束的片上耦合和導(dǎo)通,而薄膜鈮酸鋰則依靠其優(yōu)異的電光特性實(shí)現(xiàn)光束選通。器件結(jié)構(gòu)如圖1a所示,外部光信號(hào)經(jīng)光柵耦合器耦合至氮化硅-薄膜鈮酸鋰芯片上,經(jīng)過多級(jí)電光式光開關(guān)陣列之后被選擇性地傳輸至特定光柵輻射器上。如圖1b所示,光柵輻射器陣列位于外置透鏡的焦平面上。