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隨后通過光刻、金屬蒸鍍及剝離工藝制備底部gold金屬電極（含T-segment與偏置電極），如圖5d所示。先沉積另一層二氧化硅（圖5e），再通過圖案化形成s-sep（圖5f）與g-sep（圖6i）結構的絕緣層。頂部金屬電極再次通過光刻、金屬蒸發和剝離工藝制備（如圖5g、j所示）。最后，硅襯底減薄至≈300μm，并通過深硅蝕刻在背面開孔（如圖5h、k所示）。

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