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，SW取二者之長,I-DEAS不倫不類）； 5.

SW設(shè)置材料為鋁合金6061，材料熱導(dǎo)率是170W/m^2*K。ANSYS中設(shè)置材料為AL，材料熱導(dǎo)率曲線。結(jié)構(gòu)1散熱結(jié)構(gòu)：齒高是13mm;齒厚為1mm；間隙為2mm;SWSIMULATION分析結(jié)果：最高處溫度122℃。ANSYS分析結(jié)果：130.5℃。結(jié)構(gòu)2散熱結(jié)構(gòu)：散熱齒上面中間挖槽。挖了10條寬8mm深4.5mm的槽。

</p><p>&nbsp;</p><p>Q6:單元出現(xiàn)負(fù)體積 如何刪除該單元</p><p>970 key manaul里面在restart input data下……</p><p>使用方法是重啟動時用的，就是在某一步中用sw1中止，然后生成.r重啟動文件，刪除不需要的單元，然后計算……</p><p>應(yīng)該是*delete_element_solid:</p><p>下面的參數(shù)是node set No.

如圖 11所示，清華大學(xué)徐志平教授團隊通過分子動力學(xué)模擬研究了單原子空位和 Stone-Wales 缺陷（SW）對于石墨烯片熱導(dǎo)率和楊氏模量的影響，研究發(fā)現(xiàn)：隨著單原子空位濃度的增加楊氏模量呈線性降低，而SW缺陷相比于單原子空位，保持了原子間 sp2 鍵，因此影響較為平穩(wěn)；在空位濃度低于 1%時，熱導(dǎo)率對于缺陷較敏感，當(dāng)缺陷濃度足夠高時，聲子平均自由程變化趨于平緩，表明熱傳導(dǎo)從傳播機制過渡到擴散機制

800V SiC逆變器需要更大的體積，因為爬電距離和電氣間隙要求更大。 原則上，SiC技術(shù)的優(yōu)勢也可以與400V系統(tǒng)結(jié)合使用，但只有在逆變器中才能實現(xiàn)效率優(yōu)勢。額外的優(yōu)勢，如超高速充電需要更高的電壓。為了研究SiC的優(yōu)勢，在整車上對一個400V SiC逆變器樣機進行了測試。