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視頻 基于ABAQUS子程序的激光沖擊強(qiáng)化過程母版教程
建模細(xì)節(jié)全解析:聚焦 LSP 仿真建模的關(guān)鍵難點(diǎn),重點(diǎn)講解材料本構(gòu)關(guān)系(如 JC 本構(gòu))的選取與設(shè)置、滯后因子等核心參數(shù)的調(diào)試、網(wǎng)格劃分、邊界條件的合理施加,拆解新手常踩的建模陷阱。 后處理實(shí)操與數(shù)據(jù)提取:講解 Abaqus 后處理模塊的核心操作,重點(diǎn)演示沖擊應(yīng)力、應(yīng)變分布、材料強(qiáng)化層厚度等關(guān)鍵數(shù)據(jù)的提取、分析與可視化方法。 關(guān)于本課程的優(yōu)惠,答疑及配套程序請(qǐng)私信。
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侯二 ??? 3月前
基于ABAQUS子程序的激光沖擊強(qiáng)化過程母版教程
視頻 Lsdyna二次開發(fā)umat主程序和用戶材料子程序的調(diào)用邏輯及材料子程序參數(shù)講解
,包括雙線性模型,JC模型,HJC模型,孔方模型,Neo-hooke超彈性模型等。
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小舟CAE ??? 1年前
Lsdyna二次開發(fā)umat主程序和用戶材料子程序的調(diào)用邏輯及材料子程序參數(shù)講解
帖子 功率MOSFET教程
在更高的頻率可以簡(jiǎn)單用熱阻RθJC 圖17 熱阻抗的‘全家福曲線 數(shù)據(jù)表中的例子推導(dǎo) 假設(shè)在一個(gè)開關(guān)電源的應(yīng)用中,我們想在200KHz、400V、35%平均占空比的情況下,硬開關(guān)電流為15安培,門極電壓為15V,導(dǎo)通時(shí)門極電阻為15Ω,關(guān)斷時(shí)的門極電阻為5Ω。假設(shè)我們想讓結(jié)溫最大達(dá)到112 ℃,保持殼的溫度維持在75℃。
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平頭叔 ??? 4年前
功率MOSFET教程
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