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熱設計51ebe3641470a9afd0caa2ba7d63a.rar" r熱設計"noopener noreferrer" target="_blank" style="color: rgb(0, 102, 204);">IGBT電熱力分析.rar

  IGBT是英文單詞Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是絕緣柵雙極型晶體管。

從功能上來說，IGBT就是一個電路開關，優點就是用電壓控制，飽和壓降小，耐壓高。用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強電上的。IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

   近年來隨著人們對電力電子裝置要求的日漸提高,電子設備及系統正向小型化、多功能方向發展,IGBT模塊也正在向小尺寸、大功率的方向發展。隨之而來的是模塊內所產生的高熱流密度帶來的散熱問題,該問題已成為制約IGBT模塊可靠性的瓶頸,迫使人們對傳統的熱設計技術進行進步的研究,探索適應這一新趨勢的有效散熱措施。而當采用了一項新型熱設計技術時,產品的身價也隨之增加。因此,IGBT模塊散熱系統的設計對模塊的性能和價值有重要影響。

   

    上圖為某款IGBT  3D模型，展示了做電熱力分析所需要的部件細節。包括了封裝樹脂，鋁絲焊，芯片和導熱樹脂層，PCB layout，外散熱片等等。

    模型分析需要使用電流、傳熱、力學等物理場，相互耦合分析。

    本模型計算的溫度分布如上動圖所示。以下是熱應力分布：

   

模型文件在文中開頭，需要的可以下載，加密文件如需密碼可以私信我。謝謝。