fcBGA-H封裝瞬態熱特性 仿真&測試(一)
1. 簡介
Flip-chip(倒裝芯片)封裝廣泛應用于桌面計算機、服務器和各種通訊設備。隨著功能要求的提高,功率和熱流密度越來越大。因此,對于高功率倒裝芯片,客戶在不斷的推進TIM(熱界面材料)的低熱阻化。
TIMs(Thermal Interface Materials)是用于提高固體接觸面之間傳熱性能的導熱材料。比如CPUs和散熱器之間,若出現微小間隙,由于空氣導熱性能極差,整個散熱效率就會嚴重降低。因此,TIM的熱特性對于散熱方案的可靠性是至關重要的,尤其是發熱部位的最高溫度(結溫Tj),散熱片上表面溫度(殼溫Tc),和上述兩點之間的熱阻。測殼溫Tc的傳統方法是,在散熱片中心放置一個熱電偶。該方法的一個最大問題是只能用散熱片中心位置的溫度來表征殼溫。但是在實際應用中,最高溫度的位置我們通常不確定,尤其是當給結區加載非均勻熱載荷(non-uniform power)的時候。
本文主要討論的是:
a. 描述如何使用不借助熱電偶的瞬態測試設備測試fcBGA封裝器件(由STATS ChipPAC制造)的TIM熱特性,尤其是結殼熱阻Rjc;
b. 描述如何測試在風扇不同轉速下(模擬真實工況)封裝器件的Rja(結到環境的熱阻);
c. 闡明功率脈普對結構函數的影響;
d. 描述如何通過仿真生成一個仿真結構函數,再用測試結構函數來修正仿真結構函數,最后用修正后的結構函數生成熱阻網絡模型,應用于系統級產品中;
e. 明確并改進更好的仿真和測試方法。
2. 封裝器件和熱測試裝置的結構
STATS ChipPAC內部搭建了一個flip-chip測試裝置(test vehicle),專門用于評估TIM的熱特性,其結構如圖1所示。待測封裝器件包含如下結構,從上到下依次是:25x25x1 mm的銅制散熱片,TIM層、硅芯片、底部填充層(a layer of underfill)以及焊接凸點(solder bumps)、12層總厚度為1.65mm的襯底、焊球、和PCB板。在四周,使用環氧樹脂材料將銅蓋和襯底粘合在一起。
圖1測試裝置圖
在結區涂TIM的時候,控制其范圍要非常小心,且厚度被嚴格控制在38μm,誤差不能超過2μm,如圖2和圖3所示。厚度通過在固化過程中涂了TIM之后,在散熱片上部加載機械下壓力來控制。
圖2 TIM覆蓋范圍
圖3 TIM厚度測量
2.1 熱測試芯片(Thermal Test Die)
現在Thermal test dies廣泛應用于封裝器件設計認證。圖4展示了本次測試使用到的thermal test die,尺寸是10x10 mm。該芯片有4x4=16個單元,每個單元可以獨立工作,也可以通過某些關聯一起工作,比如均勻加熱或非均勻加熱。在芯片上分布有10個二極管傳感器,可以用于測量中心位置、邊上位置或者角落位置的溫度。在本次測試中,所有16個單元都是均勻發熱狀態。
圖4 Thermal test die
如圖5所示,每一排的電阻器連接在一起,不同排之間的電阻器也聯結在一起以保證同時加熱整個結區,可以是并聯或者串聯的形式。區別在于串聯能保證電阻器具有相同的電流,而并聯則很難保證不同排電阻的電流強度,特別是當電流路徑長度不同的時候。所以,還是采用串聯比較好。
圖5串聯&并聯加熱電阻
2.2 二極管校準(標定k系數)
正如圖4所示,10個二極管被置于硅芯片(silicon die)上,二極管用于測試該點的溫度值。當給二極管通一小電流時,二極管兩端的壓降與溫度呈線性關系。因此,在加熱器件之前,需要先確定二極管壓降和溫度之間的函數關系,或稱之為熱敏參數。圖6所示為標定該線性關系的實例。
圖6 熱敏感性(K系數) k = -1.755 mV/K
本次試驗中,測試電流大約為5 mA,測試電壓約為0.8 V,則一個二極管產生的焦耳熱大約為4mW。假設結到環境的熱阻為0.5 K/W,則該功率對升溫的影響為
0.5 K/W x 4 mW = 0.002 ℃
可見該溫升微乎其微,在大部分實際應用中均可忽略,這就保證了該測試方法的精度。
作者:Eric Ouyang, Billy Ahn, Robin Bornoff , Weikun He, Nokibul Islam,Gwang Kim, KyungOe Kim, Andras Vass-Varnai
2013 IEEE Semiconductor Thermal Management and Measurement Symposium
來源:上海坤道SimuCAD
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