存儲(chǔ)器作為計(jì)算機(jī)架構(gòu)體系中重要的組成體系，一直以來(lái)都影響著微電子領(lǐng)域的發(fā)展，而對(duì)于存儲(chǔ)器特性：寫(xiě)入速度，擦出速度，數(shù)據(jù)保持能力等性能的優(yōu)化探索，也決定了存儲(chǔ)器能否更好的滿(mǎn)足實(shí)際的應(yīng)用。通常，傳統(tǒng)存儲(chǔ)器性能無(wú)法同時(shí)兼具超高速寫(xiě)入擦除和超長(zhǎng)數(shù)據(jù)保持兩個(gè)優(yōu)勢(shì)。因此，將存儲(chǔ)器劃分為具有超高速寫(xiě)入擦除特性的易失性存儲(chǔ)器和具有超長(zhǎng)數(shù)據(jù)保持能力的非易失性存儲(chǔ)器，而前不久研發(fā)得到的二維半浮柵存儲(chǔ)器開(kāi)辟了第三類(lèi)存儲(chǔ)器技術(shù)，成功彌補(bǔ)了易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器之間的鴻溝。但是，二維半浮柵存儲(chǔ)器并未解決準(zhǔn)非易失性存儲(chǔ)器擦除速度慢的問(wèn)題。

本工作采用橫向柵極直接控制PN結(jié)開(kāi)關(guān)，通過(guò)超短電壓脈沖實(shí)現(xiàn)的在橫向柵極上產(chǎn)生電應(yīng)力，加速浮柵中電荷的復(fù)合，成功提升了準(zhǔn)非易失性存儲(chǔ)器的擦除速度。該項(xiàng)工作利用了全新的二維材料體系，二維材料MoS2, WSe2, BN等憑借原子級(jí)別厚度，表面無(wú)懸掛鍵，具有豐富的能帶特性，能夠提供從準(zhǔn)金屬到半導(dǎo)體再到絕緣體的多樣的導(dǎo)電性，同時(shí)還具備超高的集成密度和極低功耗，被業(yè)界視為可應(yīng)用在未來(lái)存儲(chǔ)器和計(jì)算技術(shù)的重要候選材料。利用二維材料豐富能帶特性的特點(diǎn)，構(gòu)建浮柵PN結(jié)結(jié)構(gòu)，利用了PN結(jié)的開(kāi)關(guān)特性，控制電荷對(duì)浮柵的充放電，有效提升了數(shù)據(jù)的寫(xiě)入擦除速度。

本工作不僅大大提升了準(zhǔn)非易失存儲(chǔ)器的擦除速度，構(gòu)造了對(duì)稱(chēng)性的超快寫(xiě)入擦除操作，還將準(zhǔn)非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)刷新時(shí)間延長(zhǎng)到14秒，極大程度的降低了由數(shù)據(jù)頻繁刷新過(guò)程所帶來(lái)的功耗問(wèn)題，使得優(yōu)化后的準(zhǔn)非易失存儲(chǔ)器更加具備滿(mǎn)足實(shí)際的應(yīng)用潛力。