基于Cu12Sb4S13四面體的熱電納米復(fù)合材料及其熱電性能增強

【引言】

四面體Cu12Sb4S13(縮寫為CAS)是一種天然礦物,由于其廉價的組成元素和復(fù)雜的Sb[CuS3]Sb結(jié)構(gòu)而引起了人們的極大關(guān)注。盡管CAS具有超低的晶格熱導(dǎo)率,但由于其相對較低的功率因數(shù)(S2σ),其TE性能仍然低于其他高性能TE材料。功率因數(shù)依賴于材料結(jié)構(gòu)。因此,通過引入納米級結(jié)構(gòu)可優(yōu)化電傳輸性能,從而將簡單的制造過程結(jié)合到基底中,同時保持低導(dǎo)熱性,能夠進一步實現(xiàn)CAS可調(diào)的TE性能。雖然引入納米結(jié)構(gòu)是提高材料熱電性能的有效方法之一,但其在CAS四面體中尚未得到應(yīng)用。

【成果簡介】

近日,清華大學(xué)李敬鋒教授(通訊作者)等采用機械合金化(MA)和放電等離子燒結(jié)(SPS)相結(jié)合的簡便方法合成了Nb2O5納米顆粒分散的Cu11.5Ni0.5Sb4S13-δ復(fù)合材料,并在Nano Energy上發(fā)表了題為“Enhanced performance of thermoelectric nanocomposites based onCu12Sb4S13 tetrahedrite”的研究論文。通過重復(fù)的MA和SPS工藝得到的細粒納米結(jié)構(gòu)提高了整個溫度范圍內(nèi)的電導(dǎo)率和功率因數(shù)。由于強烈的低中頻聲子散射,均勻分布的Nb2O5納米顆粒和納米孔將晶格熱導(dǎo)率有效降低至0.6 W·m-1·K-1。少量的Nb2O5添加(0.3 vol %)使得723K時ZT值高達1.2,與基底樣品相比增加~50%。上述納米復(fù)合材料還具有高平均ZT值、熱電轉(zhuǎn)換效率和斷裂韌性。

【圖文簡介】

圖1 CNAS-0.3NPs復(fù)合材料與其他熱電材料的性能比較

基于Cu12Sb4S13四面體的熱電納米復(fù)合材料及其熱電性能增強的圖1

CNAS-0.3NPs復(fù)合材料與其他熱電材料的性能比較。

圖2 CNAS-xNPs復(fù)合材料的熱電性能

基于Cu12Sb4S13四面體的熱電納米復(fù)合材料及其熱電性能增強的圖2

a) CNAS-xNPs復(fù)合材料的電導(dǎo)率(σ)隨溫度的變化;

b) CNAS-xNPs復(fù)合材料的塞貝克系數(shù)(S)隨溫度的變化;
c) CNAS-xNPs復(fù)合材料的總/晶格熱導(dǎo)率ktot/klat隨溫度的變化;
d) CNAS-xNPs復(fù)合材料的ZT值隨溫度的變化。

圖3 CNAS-xNPs復(fù)合材料的形貌表征

基于Cu12Sb4S13四面體的熱電納米復(fù)合材料及其熱電性能增強的圖3

a) 具有納米孔(白色虛線圓圈)和CNAS晶界的CNAS-0.3NPs樣品的低倍明場TEM圖像;

b) a圖中白色虛線方形區(qū)域的能量色散譜(EDS);
c) a圖中白色虛線方形區(qū)域的CNAS界面;
d) CNAS的HRTEM圖像;
e) CNAS立方晶胞的球模型;
f) Nb2O5 NPs晶體的HRTEM圖像;
g) Nb2O5斜方晶胞的球模型;
h) a圖中的白色虛線方形區(qū)域?qū)?yīng)的SAED圖像;
i,j) a圖中黃色虛線方框標(biāo)記區(qū)域的暗場TEM圖像。

圖4 晶格熱導(dǎo)率降低的機理

基于Cu12Sb4S13四面體的熱電納米復(fù)合材料及其熱電性能增強的圖4

a) CNAS-xNP內(nèi)的各種聲子散射機理示意圖;

b) CNAS-0.3NPs樣品和先前報道的四面體化合物的最大轉(zhuǎn)換效率(ηmax)隨溫差(ΔT)變化的比較,內(nèi)插為平均ZT值(ZTave)與ΔT之間的關(guān)系。 對于ηmax和ZTave,假設(shè)所有材料的冷側(cè)溫度(Tcold)為323K。

圖5 CNAS-xNPs復(fù)合材料的斷裂韌性比較

基于Cu12Sb4S13四面體的熱電納米復(fù)合材料及其熱電性能增強的圖5

a) 未負載NPs樣品室溫下硬度壓痕的SEM圖像;

b) CNAS-0.3NPs復(fù)合材料室溫下硬度壓痕的SEM圖像。

【小結(jié)】

綜上所述,作者通過簡單的機械合金化和放電等離子燒結(jié)工藝合成了Cu11.5Ni0.5Sb4S13-δ-x vol % Nb2O5熱電四面體,其中Nb2O5納米顆粒和納米孔在晶界中均勻分布。反復(fù)研磨和SPS工藝改善了導(dǎo)電性,有助于細粒納米結(jié)構(gòu)和增強的合金化過程。由于Nb2O5納米顆粒引入納米缺陷誘導(dǎo)的聲子散射,導(dǎo)熱率在整個溫度范圍內(nèi)顯著降低。少量的Nb2O5添加(0.3 vol %)使得723K時ZT值高達1.2。此外,CNAS-0.3NP具有高ηmax、ZTave和KIC值,表明納米結(jié)構(gòu)能夠有效提高四面體材料的高熱電轉(zhuǎn)換效率和器件可靠性。

文獻鏈接:Enhanced performance of thermoelectric nanocomposites based on Cu12Sb4S13 tetrahedrite (Nano Energy, 2019, DOI: 10.1016/j.nanoen.2018.12.090)

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