（圖為視頻截圖）

視頻簡介：

去耦電容的優(yōu)化對電源完整性和電磁輻射的控制有巨大影響，而傳統(tǒng)的電容優(yōu)化仿真無法考慮電容直流偏置以及環(huán)境溫度對電容性能的影響的，因此在多電壓系統(tǒng)和高溫環(huán)境下無法準(zhǔn)確評估系統(tǒng)的最終性能。

ANSYS SIWAVE中內(nèi)置的新電容模型，突破了傳統(tǒng)S參數(shù)模型的局限，結(jié)合SIWAVE本身的直流仿真結(jié)果和ANSYS ICEPAK的熱仿真結(jié)果，能夠自動展現(xiàn)對電容真實性能隨直流偏置和溫度變化的影響，從而幫助用戶在復(fù)雜場景下找到最佳的電容優(yōu)化策略。本流程除了可以結(jié)合ANSYS ICEPAK仿真的溫度分布，還支持由用戶指定電容的不同溫度狀態(tài)，從而在設(shè)計初期就實現(xiàn)快速評估。

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