中科大陸輕鈾Nat. Mater. :超薄氧化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的鐵電體可調(diào)磁性斯格明子

【引言】

磁性斯格明子是納米尺度的旋轉(zhuǎn)自旋結(jié)構(gòu),具有非平凡的真實(shí)空間拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。由于各種奇特的特征,包括缺陷和無(wú)序的拓?fù)浔Wo(hù);緊湊和自組織的晶格形式;允許激發(fā)、湮滅和控制運(yùn)動(dòng)的孤子性質(zhì),這種手性自旋構(gòu)型得到了廣泛的研究。這些引人注目的特性不僅為研究非平凡的拓?fù)湮锢硖峁┝诵碌臋C(jī)會(huì),而且為未來(lái)的自旋電子學(xué)應(yīng)用提供了巨大的潛力。為了實(shí)現(xiàn)集成性高、性能優(yōu)越的基于斯格明子的自旋電子器件,必須對(duì)斯格明子的尺寸、密度、穩(wěn)定性等性能進(jìn)行有效控制。

【成果簡(jiǎn)介】

近日,在中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)陸輕鈾教授,韓國(guó)基礎(chǔ)科學(xué)研究所(IBS)、韓國(guó)首爾大學(xué)Lingfei WangTae Won Noh教授團(tuán)隊(duì)(共同通訊作者)帶領(lǐng)下,與中國(guó)科學(xué)院強(qiáng)磁場(chǎng)科學(xué)中心、新加坡國(guó)立大學(xué)韓國(guó)成均館大學(xué)合作,報(bào)告了在超薄BaTiO3/SrRuO3 (BTO/SRO)雙層異質(zhì)結(jié)構(gòu)中發(fā)現(xiàn)鐵電體(FE)驅(qū)動(dòng)的、高度可調(diào)諧的磁性斯格明子。在BTO中,F(xiàn)E驅(qū)動(dòng)的離子位移可以穿過(guò)異質(zhì)界面,并繼續(xù)為多個(gè)單元單元進(jìn)入SRO。這種所謂的FE鄰近效應(yīng)已經(jīng)在不同的FE/金屬氧化物異質(zhì)界面中得到了預(yù)測(cè)和證實(shí)。在BTO/SRO異質(zhì)結(jié)構(gòu)中,這種效應(yīng)可以誘導(dǎo)相當(dāng)大的DMI,從而穩(wěn)定強(qiáng)大的磁性物質(zhì)。此外,通過(guò)利用BTO覆蓋層的FE極化,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)斯格明子性質(zhì)的局部、可逆和非易失性控制。這種鐵電可調(diào)的斯格明子系統(tǒng)為設(shè)計(jì)具有高集成性和可尋址性的基于斯格明子的功能設(shè)備提供了一個(gè)潛在的方向。相關(guān)成果以題為“Ferroelectrically tunable magnetic skyrmions in ultrathin oxide heterostructures發(fā)表在了Nat. Mater.上。

【圖文導(dǎo)讀】

圖1 鐵電鄰近效應(yīng)和BTO/SRO界面的DMI

中科大陸輕鈾Nat. Mater. :超薄氧化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的鐵電體可調(diào)磁性斯格明子的圖1

a,BTO/SRO界面鐵電體(FE)鄰近效應(yīng)的示意圖。BTO中的FE驅(qū)動(dòng)的離子位移可以滲透到SRO中,達(dá)到幾個(gè)單位晶胞(u.c.)的深度。氧和Ti(Ru)之間的離子位移沿著[001]軸表示為δTi-ORu-O)。

b,SRO中的DMI具有非零δRu-O。DMI向量D12垂直于由兩個(gè)Ru陽(yáng)離子和一個(gè)O原子配體組成的假想三角形。

c,d,DMI常數(shù)(D) (c)和交換剛度(J) (d)的密度泛函理論(DFT)計(jì)算。

圖2 BTO/SRO/SrTiO3(001)異質(zhì)結(jié)構(gòu)的拓?fù)浠魻栃?yīng)

中科大陸輕鈾Nat. Mater. :超薄氧化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的鐵電體可調(diào)磁性斯格明子的圖2

a,b,從具有各種SRO層厚度(tSRO)(a)和BTO層厚度(tBTO)(b)的BTO/SRO樣品獲得的10K的隨磁場(chǎng)變化的霍爾電阻率(ρxy-H)曲線。BTO(20 u.c.)/SRO(4 u.c.)樣品表示為B20S4,相同的表示法適用于其他BTO/SRO樣品。紅色和藍(lán)色代表H掃描方向。所有曲線中減去OHE的線性貢獻(xiàn)。插圖是示意性樣本結(jié)構(gòu)。

c,ρxy,ρAHE和ρTHE相對(duì)于H的B20S4樣品。ρAHE-H曲線來(lái)自歸一化的M-H曲線。 M的單位是每Ru原子的玻爾磁子(μB/Ru)。H掃描方向用實(shí)線箭頭標(biāo)出。

d,e,相對(duì)于tSRO和tBTO的斯格明子密度(nsk)計(jì)算。誤差條為不確定性載流子自旋極化PS=-10±5%。

圖3 B20S5樣品中磁性斯格明子的磁力顯微鏡表征

中科大陸輕鈾Nat. Mater. :超薄氧化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的鐵電體可調(diào)磁性斯格明子的圖3

a-e,在5K時(shí)在不同的場(chǎng)強(qiáng)下從B20S5樣品測(cè)量的MFM圖像,H掃描從5到-5T。MFM 對(duì)比度代表MFM尖端共振頻率偏移(Δf)。負(fù)(正)Δf表示磁化與外部H平行(反平行)。

f,g,通過(guò)b,c和d中的圖像逐像素減法獲得的MFM圖像(以紅色框起)。突發(fā)出現(xiàn)的斯格明子數(shù)量(Δn)和H的間隔(ΔH)被貼上標(biāo)簽。代表性的1型和2型MFM對(duì)比分別用實(shí)心條和虛線環(huán)標(biāo)記。掃描區(qū)域?yàn)?×4μm。所有比例尺對(duì)應(yīng)于1μm。

h,等效直徑的統(tǒng)計(jì)直方圖(DE),根據(jù)所有減去的MFM圖像中半最大值的域狀對(duì)比度的面積計(jì)算。實(shí)驗(yàn)直方圖可以通過(guò)兩個(gè)高斯分布很好地?cái)M合。在約90nm處達(dá)到峰值的窄峰對(duì)應(yīng)于類型1對(duì)比(個(gè)體斯格明子)。在~160nm處達(dá)到峰值的較寬的一個(gè)對(duì)應(yīng)于2型對(duì)比(磁泡域或斯格明子簇)。

i,幾個(gè)代表性的1型MFM對(duì)比的橫截面線輪廓。全寬半高(FWHM)為~90nm。

j,在5K下測(cè)量的M-H(綠色)和ρxy-H(紅色)曲線。用于拍攝MFM圖像的H值由閉合的菱形和空心圓圈標(biāo)記。

k,在變化nsk(Δnsk衍生自)ρTHE(實(shí)心圓,紅色)和MFM圖像(實(shí)心方塊,綠色)。誤差棒代表Δ的上限和下限nsk通過(guò)將所有2型MFM對(duì)比分別作為skyrmion簇和單個(gè)磁泡域處理來(lái)計(jì)算。

nsk(Δnsk)的變化來(lái)自ρTHE(實(shí)心圓,紅色)和MFM圖像(實(shí)心方塊,綠色)。 誤差條代表Δnsk的上限和下限,其通過(guò)將所有2型MFM對(duì)比分別作為斯格明子簇和單個(gè)磁泡域處理而計(jì)算。

 圖4 對(duì)斯格明子性質(zhì)的FE控制

中科大陸輕鈾Nat. Mater. :超薄氧化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的鐵電體可調(diào)磁性斯格明子的圖4

a,F(xiàn)E域交換和霍爾測(cè)量的實(shí)驗(yàn)裝置示意圖。

b-e,不同F(xiàn)E極化狀態(tài)下B20S4樣品的壓電響應(yīng)力顯微鏡(PFM)相圖(上圖),ρxy-H和ρTHE-H曲線(下圖)。b中的比例尺對(duì)應(yīng)于10μm。將ρTHE降至零的臨界H標(biāo)記為Hsk

f,ρTHE的輪廓圖和在完全向上和向下極化配置中測(cè)量的斯格明子相圖。為清楚起見(jiàn),在任一圖中僅顯示一個(gè)THE分支。Hsk-T曲線代表斯格明子和鐵磁相之間的相界。在底部面板中,向上極化情況下的Hsk-T曲線也作為虛線插入以進(jìn)行比較。顯然,對(duì)于向下極化的情況,相界向較低的H和T收縮。

g,最大ρTHE和相應(yīng)的歸一化nsk作為向下極化域區(qū)域的函數(shù)。如虛線(紅色)所強(qiáng)調(diào)的那樣,ρTHE的變化遵循幾乎線性的趨勢(shì)。

5 在BTO/SRO界面附近掃描透射電子顯微鏡表征

中科大陸輕鈾Nat. Mater. :超薄氧化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的鐵電體可調(diào)磁性斯格明子的圖5

B20S4樣品的原子分辨的HAADF-STEM圖像的離子位移(δA-B)曲線。在每個(gè)鈣鈦礦晶胞中,δA-B由沿B軸位陽(yáng)離子和四個(gè)A位陽(yáng)離子的中心位置之間的[001]軸的位移計(jì)算。δA-B值在每個(gè)鈣鈦礦單層上取平均值,誤差棒表示標(biāo)準(zhǔn)偏差。正(負(fù))δA-B對(duì)應(yīng)于向上(向下)偏振組態(tài),其以實(shí)心方塊(空心圓圈)繪制。插圖中顯示了兩種偏振組態(tài)中離子位移模式和單位晶胞結(jié)構(gòu)的示意圖。

【小結(jié)】

團(tuán)隊(duì)利用超薄BTO/SRO異質(zhì)結(jié)構(gòu)作為平臺(tái),承載著小型的、高度可調(diào)的磁性斯格明子。在這個(gè)系統(tǒng)中,靠近BTO/SRO界面的FE鄰近效應(yīng)產(chǎn)生緊急DMI,從而產(chǎn)生了強(qiáng)大的磁性斯格明子。通過(guò)利用BTO覆蓋層的FE極化,實(shí)現(xiàn)了對(duì)磁性斯格明子密度和穩(wěn)定性的局部、可切換和非易失性控制。在設(shè)計(jì)和制造基于斯格明子設(shè)備時(shí),BTO/SRO異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的鐵電體可調(diào)磁性斯格明子允許顯著的多功能性。FE薄膜域交換可可以在從微米到納米的不同長(zhǎng)度尺度上實(shí)現(xiàn)。通過(guò)縮小FE域大小,不僅可以在顯微鏡下調(diào)整整個(gè)斯格明子性質(zhì),還可以實(shí)現(xiàn)單個(gè)斯格明子的成核/刪除。

文獻(xiàn)鏈接:Ferroelectrically tunable magnetic skyrmions in ultrathin oxide heterostructures(Nat. Mater. , 2018, DOI: 10.1038/s41563-018-0204-4)

來(lái)源:材料人

登錄后免費(fèi)查看全文
立即登錄
App下載
技術(shù)鄰APP
工程師必備
  • 項(xiàng)目客服
  • 培訓(xùn)客服
  • 平臺(tái)客服

TOP