[11月22日-11月25日 北京 ] 關(guān)于 “LAMMPS分子動力學(xué)模擬技術(shù)與應(yīng)用” 培訓(xùn)班

詳情鏈接:http://flac3d.cn/hdp/lam/zsb.html 或直接聯(lián)系QQ 85329991

關(guān)于 “LAMMPS分子動力學(xué)模擬技術(shù)與應(yīng)用” 培訓(xùn)班

培訓(xùn)背景

分子動力學(xué)模擬被廣泛用于生命科學(xué)、化學(xué)工程、物理、醫(yī)藥、材料科學(xué)等領(lǐng)域。由于傳統(tǒng)實(shí)驗(yàn)需要大量的人力物力而且耗時,而計(jì)算機(jī)模擬的方法省時省力,能有效提高科研效率;目前,分子動力學(xué)模擬能在很大程度上進(jìn)行預(yù)測指導(dǎo)實(shí)驗(yàn),因此模擬與實(shí)驗(yàn)的對照是將來研究的主要方向之一。分子動力學(xué)模擬作為一種理想的計(jì)算機(jī)模擬方法,可以用來模擬兩相之間的相互作用,也是對計(jì)算和實(shí)驗(yàn)的補(bǔ)充。

培訓(xùn)特色

1、小班授課,培訓(xùn)教室配備有服務(wù)器、投影;

2、對知識進(jìn)行系統(tǒng)講解,由淺入深,配合案例解析邊講邊練,讓學(xué)員能運(yùn)用模擬軟件針對每個技術(shù)點(diǎn)進(jìn)行上機(jī)操作;授課老師和助教現(xiàn)場解決學(xué)員提出的各種專業(yè)問題,針對性的分析學(xué)員需求并提供指導(dǎo),從而更好地滿足學(xué)員不同方面的科研需求;

3、課堂上建立專屬班級交流平臺,學(xué)員學(xué)完后可以繼續(xù)在班級群與老師同學(xué)交流問題,鞏固學(xué)習(xí)內(nèi)容。參加一次培訓(xùn),后期可以免費(fèi)再參加一次。

時間地點(diǎn)

時間:2018年11月22日-11月25日

地點(diǎn):北京

培訓(xùn)大綱

課  程

內(nèi)   容

第一天 上午

LAMMPS基礎(chǔ)

課程1 分子模擬理論

1.1    基本假設(shè);最速下降法;共軛梯度法

1.2    積分步長的選取;溫度和壓力控制;周期性邊界條件; 分子動力學(xué)模擬流程

第一天下午

LAMMPSS入門操作的Linux基礎(chǔ)命令

課程2  LAMMPS操作基礎(chǔ)

2.1    Linux基礎(chǔ)

2.2    LAMMPS的linux版串行和并行及GPU版編譯安裝

2.3    LAMMPS主要涉及的各種輸入輸出文件的介紹

In,    data,  lammpstrj 及 DCD, XTC 等格式的優(yōu)劣,文件命名規(guī)則

2.4    LAMMPS力場介紹——深度探究力場具體形式,為以后創(chuàng)建自己體系做準(zhǔn)備

力場的各種參數(shù)說明(擴(kuò)展CVFF,MARTINI,CHARMM,AMBER等力場)

實(shí)例操作:編譯安裝LAMMPS

課程3  LAMMPS建模

3.1 建立各種體系模型(Packmol,Material Studio,VMD,gromacs混合模型、界面模型、球體模型等);

3.2    各種材料的data文件的建立,文件的結(jié)構(gòu)以及參數(shù)說明

3.3    建立簡單的有機(jī)物分子模型并集成為復(fù)雜的仿真模型

如何構(gòu)建環(huán)氧樹脂模型(Material   Studio),構(gòu)建仿真模型(vmd)。

3.4    如何修改力場參數(shù)

實(shí)例操作:LAMMPS基本建模工具使用(Packmol,Material Studio,VMD)

第二天 上午

LAMMPS建模計(jì)算

課程4  LAMMPS計(jì)算

4.1    LAMMPS命令講解(unit 、dimension 、compute、atom style 、fix 、dump)

4.2    LAMMPS 輸入腳本構(gòu)建(幾何模型;物理模型;過程模型;輸出模型)

實(shí)例操作:環(huán)氧樹脂材料在二氧化硅表面吸附過程模擬

第二天 下午

LAMMPS數(shù)據(jù)分析

課程5  LAMMPS各種數(shù)據(jù)分析

5.1    能量數(shù)據(jù)(動能,勢能,總能量,比熱容,瞬時溫度,瞬時壓強(qiáng))

5.2    相關(guān)系數(shù) (時間相關(guān)函數(shù),時間自相關(guān)函數(shù))

5.3    結(jié)構(gòu)特征 (徑向分布函數(shù)(RDF),   結(jié)構(gòu)因子(Sq))

5.4    動力學(xué)性質(zhì) (均方位移(MSD),擴(kuò)散系數(shù),速度自關(guān)聯(lián)函數(shù))

實(shí)例操作:提取各種數(shù)據(jù)、分析

第三天  上午

環(huán)氧樹脂在二氧化硅表面吸附建模(CVFF力場)

課程6 水、氯化鈉溶液及不同流動狀態(tài)對環(huán)氧樹脂在二氧化硅表面吸附吸能的影響。

6.1    創(chuàng)建構(gòu)型文件;建立輸入腳本;運(yùn)行能量最小化及體系的預(yù)松弛

6.2    壓縮盒子達(dá)到指定的密度(針對不同研究體系掌握壓縮方法的不同,并掌握判斷方法和依據(jù))

實(shí)例操作: 建立上圖所示的模擬體系,掌握模擬體系是否達(dá)到要求的判斷方法,了解VMD 圖像輸出的方法。

6.3    模擬步驟: NVT平衡-NPT平衡-這對研究目標(biāo)的性質(zhì)進(jìn)行長時間軌跡平衡-輸出研究所關(guān)心的性質(zhì)。

實(shí)例操作:環(huán)氧樹脂在二氧化硅表面的動力學(xué)過程。

包括能量最小化,NVT、 NPT平衡以及限制性模擬等。

6.4    結(jié)果分析

6.4.1  查看動態(tài)軌跡和特殊幀的圖片顯示(采用VMD軟件做出漂亮的圖片和視頻,學(xué)會用tcl腳本控制輸出)

6.4.2  數(shù)據(jù)分析(origin軟件的使用);MSD分析;計(jì)算RDF;計(jì)算密度分布

6.4.3  作用力的輸出及分析

實(shí)例操作:包括在VMD中查看可視化的動態(tài)軌跡,計(jì)算密度分布,分子的MSD,等,抽取軌跡的動能、勢能、總能量等相關(guān)數(shù)據(jù),對軌跡進(jìn)行初步分析。

第三天 下午

納米孔內(nèi)DNA分子的輸運(yùn)調(diào)節(jié)模擬(charmm力場)

課程7  電壓驅(qū)動單鏈DNA分子通過石墨烯納米孔的輸運(yùn)調(diào)節(jié)

(學(xué)習(xí)使用VMD強(qiáng)大的tcl腳本工具建模,利用lammps\tools\ch2lmp\目錄內(nèi)charmm2lammps轉(zhuǎn)換為lammps的data文件)

7.1    tcl腳本語言基礎(chǔ)

7.2    vmd建立DNA及石墨烯納米孔的模型

7.3    添加水分子,KCL溶液及判斷模擬體系的電中性

7.4    運(yùn)行能量最小化-NPT-NVT-施加電壓等模擬過程

7.5    模擬結(jié)果的分析處理,

7.5.1  ssDNA輸運(yùn)速度

7.5.2  MSD分析

7.5.3  通過納米孔的輸運(yùn)電流分析


報(bào)名費(fèi)用

每班每人¥3300元(含報(bào)名費(fèi)、培訓(xùn)費(fèi)、資料費(fèi)),食宿可統(tǒng)一安排,費(fèi)用自理。

報(bào)名方式

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聯(lián) 系 人: 招生部         咨詢QQ: 85329991

手機(jī):  15510057995      報(bào)名郵箱:85329991@qq.com

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