一步電沉積法制備Ni3S2納米片陣列作為高性能非對稱超級電容器的電極

過渡金屬硫化物因其較小的能帶和較高的導電性被廣泛應用于電極材料。其中硫化鎳因其具有很高的理論容量,被認為是一種極具潛力的電容器電極材料。

最近,渤海大學許家勝課題組與吉林大學劉曉旸課題組合作在Science China Materials上發表文章,介紹了一步電沉積法制備了Ni3S2納米片陣列超級電容器電極. Ni3S2納米片彼此互連能夠為電子傳導提供快速通道, 有利于電子與離子傳輸, 提供了豐富的贗電容反應位點. 

一步電沉積法制備Ni3S2納米片陣列作為高性能非對稱超級電容器的電極的圖1

圖1 Ni3S2納米片陣列的制備

采用不同電沉積次數探究了不同負載量的Ni3S2對其電化學性能的影響. 性能最好的Ni3S2電極在 1?A/g 下展示出 773.6?F/g 的單位比電容, 在 10?A/g 時具有84.3%的優異倍率性能. 組裝的非對稱超級電容器(Ni3S2//rGO)表現出優良的使用性能. 

一步電沉積法制備Ni3S2納米片陣列作為高性能非對稱超級電容器的電極的圖2

圖2 Ni3S2基超級電容器

這些結果表明了所制備的Ni3S2超級電容器電極材料具有廣闊的應用前景. 電沉積法控制Ni3S2負載量的策略能夠為電極材料制備提供一種新思路.

本工作近期發表于Science China Materials2018, doi: 10.1007/s40843-018-9361-0

來源:中國科學材料

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