臺積電強推新堆疊技術,讓同體積芯片性能增加兩倍
近期,臺積電(TSMC)開始多次提到它的一個新技術-「系統(tǒng)整合單芯片(System-on-Integrated-Chips;SoIC)」,而在今天的法說會上,更具體的提出量產的時間,預計在2021年,臺積電的SoIC技術就將進行量產。
究竟什么是SoIC?根據臺積電在之前的技術論壇上的說明,所謂SoIC是一種創(chuàng)新的多芯片堆疊技術,能對10納米以下的制程進行晶圓級的接合技術。該技術沒有突起的鍵合結構,因此有更佳運作的性能。
所以從描述上來看,它就是一種晶圓對晶圓(Wafer-on-wafer)的接合(bonding)技術,目前臺積電也正在EDA工具商就此進行合作,推出此制程技術的設計與驗證工具。
更具體的說,它可能是一種3D IC制程的技術,也就是臺積電可能已具備直接位客戶生產3D IC的能力。此技術不僅可以持續(xù)維持摩爾定律,也可望進一步突破單一芯片運行效能。
該技術的發(fā)展關鍵就在于達到沒有凸起的接合結構,因此它非常可能是采用硅導孔(Through-silicon Vias;TSV)技術,直接透過極微小的孔隙來溝通多層的芯片。
但令人更驚艷的是,臺積電的SoIC技術能使用在10納米以下的制程,這意味著未來的芯片能在接近相同的體積里,增加雙倍以上的性能。因此連臺積電自己都非常看好這項制程技術。
臺積電進攻封裝,威脅OSAT?
臺積電因應蘋果新世代處理器制程推動至7納米,決定同步擴大后段扇出型封裝(InFO)產能,并且從龍?zhí)堆由熘林锌疲a能將再擴增一倍,恐對后段封測廠日月光、硅品營運相對不利。
臺積電供應鏈指出,臺積電原位于中科的臺積太陽能廠,兩年多前結束營運后,臺積電決定利用原廠址發(fā)展InFO封測業(yè)務,相關投資計畫已獲科技部科學園區(qū)投資審議委員會審核通過,正全力展開裝機作業(yè),臺積電也證實,確實打算再擴充后段封測產能,相關投資金額已列入今年資本支出,實際投資金額不便透露,但會比去年多。
臺積電的InFO高階封裝,完全是配合主要客戶蘋果。2016年臺積電買下高通龍?zhí)稄S,就是提供整體晶圓服務,從制造到后段晶圓封裝,隨臺積電獨家承攬?zhí)O果A10及A11處理器,臺積電位于龍?zhí)兜姆庋b廠已全數滿載,臺積電又完封裝三星,獨攬?zhí)O果次世代A12或稱A11x處理器,在晶圓數需求大增下,臺積除擴充龍?zhí)稄S外,也決定于中科再擴增InFO后段高階封測產能。
臺積電供應鏈傳出,臺積電近期已大舉購買后段封裝機臺設備,預計增加龍?zhí)稄S月產能從10萬片到13萬片,并于上季量產。
臺積電在后段先進封裝的擴產,也從龍?zhí)堆由斓街锌疲壳罢途o鄰量產10納米重鎮(zhèn)15廠區(qū)旁的原臺積太陽能廠增加InFO新廠,整體產能可望倍增,龍?zhí)抖谟玫乜赏桥_積電未來擴廠的新選擇。
業(yè)界表示,臺積電大擴產InFO的動作,顯示InFO將不會委外,全部自己生產,客戶預期將會增加,營收貢獻也可望提高,對日月光等封測廠恐有不利影響;相對的,相關設備與材料等供應商受惠。
臺積電去年第4季已開始進行7納米試產,上季正式量產,部光罩制程采用極紫外光(EUV)技術的7+(7納米強化版)預定明年進入量產。至于5納米部份,目前規(guī)劃2019年下半年開始試產,2020年進入量產。
來源:CTimes
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