英特爾大連二期工廠投產:主攻96層3D NAND
在英特爾的轉型業務中,存儲芯片業務未來會占據更多的比重,盡管目前營收的絕對主力是客戶端及數據中心處理器。英特爾的閃存業務是跟美光合資的,也就是IMFT公司,不過IMFT現在是美光為主,在第四代3D NAND閃存及第二代XPoint閃存之后,英特爾將與美光公司和平分手,雙方各自研發、生產自家的閃存芯片。
英特爾公司三年前宣布將中國大連的Fab 68晶圓廠改造為NAND工廠,總投資55億美元,現在,二期工廠已經投產了,主要生存96層堆棧的3D NAND閃存。
根據統計,在全球NAND Flash快閃存儲器市場上,韓國三星的市占率高達到37%,東芝、西部數據則分別有20%、15%左右的市占率。再來才是美光、SK Hynix,英特爾是全球6大廠商中市占率最少的,不足10%,這也導致英特爾過去在NAND Flash快閃存儲器,以及SSD固態硬盤市場上主打企業級市場,消費等級SSD市場就放置在重點之外,造成影響力遠不如三星、東芝、美光等競爭對手。而出現這種情況的原因,就在于英特爾沒有自己獨立的NAND Flash快閃存儲器產能。
2015年英特爾宣布將在中國大連的Fab 68工廠建設二期工程,主要生產非易失性存儲器,也就是NAND閃存,項目總投資不超過55億美元。如今經過三年的建設,Fab 68二期工廠正式投產,主要生產96層3D NAND閃存,這也意味著英特爾未來的3D NAND閃存產能將會大增。
據了解,英特爾2006年與大連市政府達成合作協定,2007年起在大連投資25億美元,建設12英寸晶圓廠,主要負責處理器封裝測試,2010年大連晶圓廠正式落成。至于現在宣布量產的大連Fab 68第2期工廠,未來將成為英特爾最重要的NAND快閃存儲器生產基地。預計,英特爾70%的3D NAND快閃存儲器將產自這里。至于與美光共同合作的3D XPoint快閃存儲器,則在英特爾與美光宣布兩家公司分道揚鑣之后,英特爾正在把研發基地移師到新墨西哥州的工廠,預計會增加當地100多個工作崗位。
目前,英特爾與美光的3D XPoint閃存主要是在美國猶他州的工廠生產,雙方將繼續通力合作完成第二代3D XPoint技術開發,最終將會在2019年上半年完成并開始推出市場。但之后兩家就會分道揚鑣,各自開發基于3D XPoint技術的第三代產品。
來源:科技新報
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