EWIS EMC的傳導耦合可分為電阻性耦合，電容性耦合，電感性耦合三方面進行分析，其中電容性耦合又稱電場耦合，是兩個電路之間的電場相互作用產生的，被干擾源上耦合產生的干擾電壓，由干擾源頻率、幅值、被干擾源對地電阻（或負載電阻）、線間電容共同決定。平行雙導線間的電容性耦合物理模型與等效電路如下：

電容性耦合等效模型

電容性耦合等效電路

上文闡述，經過計算可得：U_N≈jwRC₁₂U_1。實際上，這里只考慮了一種情況，即R為電路2的負載電阻。但是如果R較大，即R為導線2對地的絕緣電阻（通常R＞50MΩ），那么此種情況就要另當別論。

由上圖（等效電路圖）可以看出，U_N為U₁在R上面的分壓，不難得出，當R＞50MΩ時，

由此可見，無論R為電路2的負載電阻，或導線2的對地電阻，在導線2無屏蔽層的情況下，導線2上耦合產生的電壓U_N都是不可忽視的。增加屏蔽層后，等效模型與電路如下：

下面分三種情況討論：

（1）     若導線2與地之間的電阻無限大，且導線2完全被屏蔽層包圍，此時R=∞，C₁₂=0，C_2G=0，可以得出，

由于屏蔽層與導線2之間無電流電壓，因此導線2上耦合出的干擾電壓（屏蔽層對地電壓加導線2對屏蔽層電壓）就是U_S。即：

U_N=U_S

此時，如果屏蔽層接地，則Us=0，即U_N=0，此種情況為理想情況，可以理解為，當導線2對地電阻無限大時（對地絕緣），如果把導線2完整的屏蔽，且屏蔽接地，則導線2上無耦合干擾電壓。

（2）若導線2與地之間電阻無限大（對地絕緣），但導線2沒有完全被屏蔽層覆蓋，此時R=∞，C₁₂與C_2G為有限值，，在導線2上耦合的干擾電壓可以表示為：

其中，C₁₂取決于導線2露在屏蔽層外的那部分長度，露出的長度越大，值越大。這種情況下，為了減小U_N，就要減小導線露在屏蔽層外的長度，且保證屏蔽層的良好接地。

（3）若導線2延伸到屏蔽層之外，且R為有限值（R為負載電阻），當屏蔽層接地時，可得：

U_N≈jwRC₁₂U₁

這個式子與前文所得R為負載電阻，導線2未屏蔽時的U_N完全一致，但是此式子中的C₁₂為導線2露出屏蔽那部分與導線1之間的電容，遠小于前文中的C₁₂，因此，耦合電壓因為屏蔽而大大減小。

由上述三種情況，可以得出結論，在EWIS隔離設計中，為降低被干擾源的受擾，要對被干擾源進行全路徑的屏蔽，且屏蔽要進行良好接地。

實際工程應用中，導線屏蔽層的引出通常使用焊錫環加屏蔽引出線，或特殊尾部附件進行屏蔽層處理，目的都是進行屏蔽層的有效接地。

在實際EWIS研制過程中，經常會遇到單芯屏蔽線拼接或屏蔽電纜拼接的情況，此時做到線芯可靠連接的同時，也要做到屏蔽層的有效搭接，推薦使用屏蔽死接頭。若只做到線芯拼接，由上述計算論證可得出，干擾電壓U_N不可忽略。

EWIS研制過程中被普遍選用的焊錫環

EWIS屏蔽接地引出實例

保證屏蔽連續完整的屏蔽死接頭

 王哲

北京航空航天大學雙學士

EWIS工程師