近幾年來，國內(nèi)外企業(yè)都在大陸瘋狂建設(shè)晶圓廠（晶圓是制造半導(dǎo)體芯片的基本材料，半導(dǎo)體集成電路最主要的原料是硅，因此對應(yīng)的就是硅晶圓。還記得紅極一時(shí)的美國硅谷么？），納米技術(shù)也是一路升級更新。去年9月份，全球頂尖的晶圓代工廠臺積電宣布計(jì)劃在臺灣建設(shè)3納米制程廠，雖然有人說5納米/3納米將會面臨很多技術(shù)難題，可是解決了難題之后技術(shù)才會成長。

那么制造工藝到底是什么呢？芯片的制造工藝常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm來表示。現(xiàn)在的CPU內(nèi)集成了以億為單位的晶體管，這種晶體管由源極、漏極和位于他們之間的柵極所組成，電流從源極流入漏極，柵極則起到控制電流通斷的作用。

而所謂的多少nm其實(shí)指的是，CPU的上形成的互補(bǔ)氧化物金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管柵極的寬度，也被稱為柵長。

柵長越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管——Intel曾經(jīng)宣稱將柵長從130nm減小到90nm時(shí)，晶體管所占得面積將減小一半；在芯片晶體管集成度相當(dāng)?shù)那闆r下，使用更先進(jìn)的制造工藝，芯片的面積和功耗就越小，成本也越低。

柵長可以分為光刻柵長和實(shí)際柵長，光刻柵長則是由光刻技術(shù)所決定的。由于在光刻中光存在衍射現(xiàn)象以及芯片制造中還要經(jīng)歷離子注入、蝕刻、等離子沖洗、熱處理等步驟，因此會導(dǎo)致光刻柵長和實(shí)際柵長不一致的情況。

另外，同樣的制程工藝下，實(shí)際柵長也會不一樣，比如雖然臺積電跟三星也推出了10nm制程工藝的芯片，但其芯片的實(shí)際柵長和Intel的10nm制程芯片的實(shí)際柵長依然有一定差距。并且差距還是不小的

歸根結(jié)底，未來會出現(xiàn)幾納米的制造工藝尚不確定，但是科技在發(fā)展，人類在進(jìn)步是有目共睹的。