來自俄羅斯和印度的國際研究團隊創建了一種基于氧化鋁納米晶體的窄帶紫外光電探測器（基于離子束合成氧化銦量子點在Al2O3基體中的深紫外窄帶光電探測器）。

半導體量子點（尺寸僅為幾納米的納米晶體）的尺寸依賴性效應賦予它們新穎的電學和光學性質，吸引了研究人員的關注。

窄帶紫外光電探測器可用于許多領域，特別是生物醫學領域的熒光檢測或紫外光療。該探測器除了尺寸較小外，在可見光或太陽光下的工作溫度范圍和透明度也更高，而之前制造這種光接收器的材料通常是寬帶隙氧化物和氮化物。

氧化銦（In2O3）是透明的寬帶隙半導體氧化物，其直接帶隙約為3.6eV，間接帶隙約為2.5eV。眾所周知， In2O3可用于生產高靈敏度的UV光電探測器。

圖為制造基于Al 2 O 3膜的光電探測器的技術方法的示意圖，其中（a-c）為離子束合成In2O3納米晶體，（d）為In2O3納米晶體的電子顯微鏡圖像，以及光電探測器參數的光譜依賴性。

據UNN物理和技術研究所實驗室負責人Alexey Mikhaylov介紹，實驗室研究人員與印度理工學院的印度同事Jodhpur和印度理工學院Ropar合作，通過在硅上的氧化鋁（Al2O3）薄膜中注入銦離子，成功地合成了In2O3納米晶體。

離子注入是現代電子技術中的基本方法，可以控制夾雜物的尺寸從而調節光電探測器的光學性質。用于氧化銦納米晶體的Al2O3基質提供了一些優于其他電介質的優點，因為這種寬帶隙材料（8.9 eV）對于寬范圍的波長是透明的。

Alexey Mikhaylov 指出：“在我們的研究過程中，我們設法實現了暗電流的顯著降低（與其他基于In2O3納米線類似的光電探測器相比，實現了兩倍以上）。通過將In2O3相整合到寬帶矩陣中并由于它的低暗電流，新的光電探測器顯示出卓越的響應度和外部量子效率的記錄值?！?/span>

UV范圍內的靈敏度帶寬僅為60 nm，并顯示出高紫外-可見光抑制比（高達8400）。該光電探測器非常適用于窄帶光譜選擇光電探測器等實際應用?；陔x子合成納米晶體的器件設計也有助于實現可見盲光電探測器。