2、仿真準備工作，由于要通過TDR值來優(yōu)化BGA過孔反焊盤的尺寸， 需要將HFSS中的solution type設(shè)置為Terminal，即終端模式求解，另外 掃頻方式只能選擇Interpolating（插值法掃描）。還有在 HFSS》design setting中注意勾選Enable material override和automatically use causal material。（勾選這兩項一是為了簡化建模，讓金屬自動覆蓋介質(zhì)材料，因此不必額外再做減法substract；另一項是為了使得仿真求解滿滿足因果性，不然仿真結(jié)果容易出錯）

3、建立模型，具體過程就不詳述了，按BGA封裝尺寸建立即可，如下圖：在BGA焊球上方加一塊pec以保證GND相連，wave port 2是一個100ohm的同軸差分線，可以通過Q2D來確定其尺寸和介質(zhì)的介電常數(shù)。

4、如果不想那么麻煩，wave port 2也可以用lumped port替代，缺點是端口不能deembed，deembed是HFSS簡化模型的強大工具，但是僅僅針對wave port有效，lumped port也可以deembed，不過它的作用是消除lumped port的寄生電感，請注意這兩個區(qū)別，lumped port模型如下圖：

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最后仿真的TDR如下：紅色為優(yōu)化的結(jié)果，但是還沒到最佳，原因有二：第一、過孔有殘樁且非功能焊盤沒去掉；第二、過孔的反焊盤直徑還比較小，可以繼續(xù)加大，最佳的優(yōu)化BGA+過孔阻抗在98ohm。

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附錄：使用Q2D確認100ohm差分同軸線的尺寸和介質(zhì)介電常數(shù)。

1. BGA焊盤尺寸和位置是固定的，不能改動，只能優(yōu)化綠色的介質(zhì)半徑R；

2. 由于是同軸線，solution type要選擇close;

3. 介質(zhì)材料需要設(shè)定為surface_GND;

4. 使用reduce matrix設(shè)置差分diff pair，在matrix下查看當前的差分阻抗，接近100ohm即可；