粉末冶金法是最早用來制備金屬基復合材料的方法。粉末冶金法制備SiCp/Cu的工藝流程是先將SiC粉和Cu粉混合均勻，然后將混合粉末冷壓成型，冷壓成型后的生坯再經過特定工藝燒結完成復合制得SiCp/Cu電子封裝材料。粉末冶金法還可以采用將混合粉末直接進行熱壓燒結的工藝制備SiCp/Cu電子封裝材料。用粉末冶金法制備SiCp/Cu電子封裝材料，當SiC增強相含量較高時容易發生團聚，很難避免SiC顆粒間的直接接觸，導致材料孔隙度增大，難以獲得高致密度的復合材料。但是，采用粉末包覆和熱壓燒結的工藝可以提高粉末冶金法制得SiCp/Cu的致密度和綜合性能。

放電等離子燒結（SPS）法是近年發展起來的一種新型材料制備方法。SPS法制備SiCp/Cu電子封裝材料，首先利用高能電火花在Cu顆粒間的瞬間放電和高溫等離子體，促進Cu顆粒間局部粘結，同時利用通過模具的電流加熱模具，向SiC與Cu的混合粉末提供外加熱源，實現內外加熱，且加熱的同時加壓，可以在較低的溫度下實現快速燒結制備SiCp/Cu電子封裝材料。SPS工藝燒結溫度低，燒結速度快，燒結時間短，是一種快速成型工藝，但由于設備成本高，制備材料形狀的復雜性受限，因此尚未得到廣泛應用。

壓力浸滲法是通過外加壓力將Cu金屬液浸滲到多孔SiC預制件中實現基體與增強體的復合從而制備SiCp/Cu電子封裝材料的方法。依據外加壓力的種類，壓力浸滲法分為機械加壓浸滲法和氣體加壓浸滲法，即分別采用機械加壓和氣體加壓實現浸滲過程。壓力浸滲法中影響浸滲質量的工藝參數較多，如模具結構、SiC粒徑、浸滲壓力、模具和預制件的預熱溫度、Cu合金成分和Cu液澆注溫度等，工藝較復雜。因此，目前國內外關于該工藝制備SiCp/Cu電子封裝材料的報道較少。但是，壓力浸滲法是在真空條件下的外加壓力的液相浸滲過程，能夠保證Cu液浸滲的充分性和SiC與Cu良好的界面結合，制備出的材料致密度高，有利于獲得優異的性能。

反應熔滲法制備SiCp/Cu電子封裝材料是在高溫下將Cu-Si合金熔體浸滲入多孔碳坯體中，利用Cu-Si合金中的Si在一定的溫度下與碳坯體發生反應，原位生成SiC增強相而制備SiCp/Cu電子封裝材料的方法。反應熔滲法制備SiCp/Cu電子封裝材料主要包括兩個環節，即多孔碳坯體制備和Cu-Si合金熔體浸滲。反應熔滲法是一種快速、近凈成型工藝，能制備形狀復雜的零件且尺寸變化小。該方法中SiC增強相是通過原位反應形成的，尺寸細小、界面無污染、與基體界面結合強度高。但是，該方法制備SiCp/Cu電子封裝材料過程中反應的充分性不易控制，過量的碳坯體或者是殘存的游離態Si導致SiCp/Cu復合材料的熱導率低，不適宜作為電子封裝材料使用。