聲濾波器(二)聲場輻射,你可以增加了一個旁路的赫姆霍茲共鳴腔

之前談到了一種聲場輻射的濾波器。

聲濾波器(一)如何形成360°的全方位聲場覆蓋



今天再介紹另一種思路。 其理論思路和上一種是一樣的。都是增加了一個旁路的赫姆霍茲共鳴腔。 對消除前腔的諧振或者振膜分割振動都是有效的。



以下是Bose公司提出的一個專利。是用到號角類壓縮高音上的。


原音箱模型:


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下圖中在高音的折環部分增加了一個腔體。部件216是聲阻部件。聲阻可以由抵抗空氣流材料,比如屏障類或泡沫類材料構成。部件214是附加的腔體,其尺寸根據需要修正的頻率點來決定。

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諧振拐點公式:


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其中R是聲阻值,V是腔體容積



下面是Bose公司做的一些實驗數據:

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固定腔體容積,改變屏障聲阻:


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固定屏障聲阻,改變腔體容積

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可以很明顯看出,部件216的聲阻值變化對輻射的頻率響應影響很大




也可以采用無源輻射器

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等效電路示意

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實驗數據

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還有其他多種形式:

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