碳化硅冶煉爐與傳統(tǒng)的材料合成爐類似，但是四壁密封前期模擬一直存在一個問題，如采用四壁密封邊界溫度場符合要求，但是爐內(nèi)壓力出現(xiàn)負(fù)壓，這說明此類邊界設(shè)置還是有問題。

  本期采用多孔介質(zhì)模型，將爐體頂部設(shè)置為壓力出口，熱源上部至頂部區(qū)域為多孔過渡區(qū)域。

     頂部使用fluent的pressure-outlet邊界條件

溫度場

壓力場