硅通孔封裝熱應力分析
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前言:
TSV技術是通過芯片之間、圓晶之間制作乘垂直導通實現芯片連接的最新技術。由于在制作過程中物體溫度會發生變化,導致通孔伸縮隨之發生變化引起物體產生應力。當應力達到一定值時會造成物體的損傷值過大,從而是連接失效。不同形狀通孔以及填充物對封裝熱應力的影響不同,本案例只分析圓柱形通孔填充銅的情況。
分析人:技術鄰-異色天空
參考論文:《硅通孔三維封裝熱應力的分析》
模型:

結果:
等效應力


徑向應力


軸向應力


剪切應力



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