硅通孔封裝熱應力分析

前言:

TSV技術是通過芯片之間、圓晶之間制作乘垂直導通實現芯片連接的最新技術。由于在制作過程中物體溫度會發生變化,導致通孔伸縮隨之發生變化引起物體產生應力。當應力達到一定值時會造成物體的損傷值過大,從而是連接失效。不同形狀通孔以及填充物對封裝熱應力的影響不同,本案例只分析圓柱形通孔填充銅的情況。

分析人:技術鄰-異色天空


參考論文:《硅通孔三維封裝熱應力的分析》


模型:

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結果:


等效應力

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徑向應力

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軸向應力

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剪切應力

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