Ansys聯(lián)合研發(fā)領(lǐng)先的多物理場(chǎng)技術(shù)和設(shè)計(jì)解決方案,榮獲四項(xiàng)臺(tái)積電2023 OIP年度最佳合作伙伴獎(jiǎng)
Ansys榮獲“聯(lián)合研發(fā)先進(jìn)芯片簽核功能”、“3D-IC原型設(shè)計(jì)”、“RF設(shè)計(jì)”以及“合作伙伴協(xié)作”類別的四大獎(jiǎng)項(xiàng)
主要亮點(diǎn)
Ansys憑借向臺(tái)積電最新工藝技術(shù)提供代工廠認(rèn)證的先進(jìn)電源完整性及可靠性簽核認(rèn)證工具,榮獲“聯(lián)合研發(fā)2nm與N3P設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)”類獎(jiǎng)項(xiàng)
Ansys憑借向臺(tái)積電3DFabric高級(jí)封裝技術(shù)提供電源完整性及散熱可行性分析,榮獲“聯(lián)合研發(fā)3Dblox原型設(shè)計(jì)解決方案”類獎(jiǎng)項(xiàng)
Ansys通過兩年共同努力交付四套展示OIP生態(tài)系統(tǒng)協(xié)同作用的參考流程,榮獲“聯(lián)合研發(fā)毫米波設(shè)計(jì)解決方案”和“合作伙伴協(xié)作”類兩大獎(jiǎng)項(xiàng)
Ansys宣布榮獲四項(xiàng)臺(tái)積電(TSMC)2023年度開放式創(chuàng)新平臺(tái)?(OIP)最佳合作伙伴大獎(jiǎng)。年度OIP最佳合作伙伴獎(jiǎng)旨在表彰臺(tái)積電開放式創(chuàng)新平臺(tái)?(OIP)生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴在過去一年中,在新一代設(shè)計(jì)領(lǐng)域的精益求精。Ansys和其他OIP生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴與臺(tái)積電密切合作,有效推動(dòng)了半導(dǎo)體行業(yè)的創(chuàng)新。
臺(tái)積電在其2023 OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇上宣布了獲獎(jiǎng)?wù)撸@場(chǎng)盛會(huì)將半導(dǎo)體設(shè)計(jì)合作伙伴與臺(tái)積電客戶齊聚一堂,為探討面向高性能計(jì)算、AI/ML、移動(dòng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的最新技術(shù)及設(shè)計(jì)解決方案提供了理想的交流平臺(tái)。Ansys榮獲的獎(jiǎng)項(xiàng)類別如下:
臺(tái)積電OIP年度最佳合作伙伴“聯(lián)合研發(fā)2nm與N3P設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)”獎(jiǎng),是對(duì)Ansys始終處于芯片工藝支持和壓降簽核最前沿的電源完整性和可靠性解決方案的表彰。
Ansys RedHawk-SC?,Ansys RedHawk-SC Electrothermal?和Ansys Totem?為臺(tái)積電3DBlox語(yǔ)言標(biāo)準(zhǔn)提供了全面支持,可實(shí)現(xiàn)3D-IC設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的便捷交換,Ansys憑此獲得OIP年度最佳合作伙伴“聯(lián)合研發(fā)3Dblox原型設(shè)計(jì)解決方案”獎(jiǎng)。
OIP“合作伙伴協(xié)作”及“聯(lián)合研發(fā)毫米波設(shè)計(jì)解決方案”兩大獎(jiǎng)項(xiàng),表彰了與OIP合作伙伴的雙重協(xié)作努力——共同利用Ansys RaptorX?、Ansys Exalto?、Ansys VeloceRF?和Ansys Totem?為支持射頻(RF)設(shè)計(jì)聯(lián)合研發(fā)的四套跨多個(gè)臺(tái)積電工藝技術(shù)的參考流程。
臺(tái)積電與 Ansys 等設(shè)計(jì)軟件供應(yīng)商密切合作,確保為客戶提供全面支持(圖源:臺(tái)積電)
臺(tái)積電設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)管理部負(fù)責(zé)人Dan Kochpatcharin表示:“我們由衷祝賀Ansys榮獲四項(xiàng)臺(tái)積電2023 OIP年度最佳合作伙伴獎(jiǎng)。與臺(tái)積電設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴的持續(xù)合作,不僅可確保我們處于設(shè)計(jì)支持的最前沿,同時(shí)還可幫助我們的客戶獲得具有業(yè)界領(lǐng)先功耗、性能、尺寸及散熱可靠性優(yōu)勢(shì)的解決方案,從而可加速其采用臺(tái)積電先進(jìn)工藝和3DFabric技術(shù)構(gòu)建的差異化產(chǎn)品的創(chuàng)新。”
Ansys提供一系列豐富的多物理場(chǎng)分析工具,其已成為先進(jìn)半導(dǎo)體制造的核心。隨著晶體管架構(gòu)越來越復(fù)雜,設(shè)計(jì)尺寸越來越大,超低電源電壓導(dǎo)致安全裕量的逐漸消退,壓降和電遷移等傳統(tǒng)簽核分析在2nm和3nm芯片中已變得越來越精確。
Ansys副總裁兼電子、半導(dǎo)體與光學(xué)事業(yè)部總經(jīng)理John Lee指出:“臺(tái)積電是半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)創(chuàng)新企業(yè),與臺(tái)積電的密切合作一直是我們多物理場(chǎng)簽核技術(shù)產(chǎn)品獲得成功的重要因素。得益于這種密切合作,雙方客戶都能夠在行業(yè)最具挑戰(zhàn)性的高頻率多芯片設(shè)計(jì)項(xiàng)目中,信心十足地使用Ansys工具。”
Ansys聯(lián)合Keysight、Synopsys 為臺(tái)積電最先進(jìn)的4nm射頻FinFET工藝提供全新參考流程,加速RFIC半導(dǎo)體設(shè)計(jì)
Ansys仿真將uPI電源管理產(chǎn)品的熱可靠性提高一倍
Ansys多物理場(chǎng)解決方案為英特爾16nm工藝節(jié)點(diǎn)的簽核驗(yàn)證提供支持
Ansys攜手Altium通過數(shù)字連續(xù)性改進(jìn)電子設(shè)計(jì)
Ansys與Synopsys聯(lián)合為三星提供全新參考流程,加速RFIC半導(dǎo)體設(shè)計(jì)
Ansys再獲三星Foundry認(rèn)證,其熱完整性和電源完整性解決方案被用于三星多芯片封裝技術(shù)
全方位實(shí)時(shí)連接Ansys最新動(dòng)態(tài)
了解更多工程仿真資訊、產(chǎn)品介紹與更新以及行業(yè)最新趨勢(shì)
立即訂閱Ansys官方郵件推送,實(shí)時(shí)掌握精彩內(nèi)容!
*我希望收到Ansys及其合作伙伴的信息更新及推送,我可以隨時(shí)取消訂閱。Ansys隱私聲明
工程師必備
- 項(xiàng)目客服
- 培訓(xùn)客服
- 平臺(tái)客服
TOP




















