一種具有取向的BN/UHMWPE導熱復合材料
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背景介紹
隨著智能時代和第五代(5G)移動網絡的蓬勃發展,大數據、人工智能、智能設備等行業正朝著集成化、輕量化、小型化方向發展。然而,5G技術的嵌入導致智能設備的功率密度爆炸式增長,過多的熱量積累會降低芯片的工作效率,甚至加速老化。通過熱界面材料(TIMs)對芯片進行有效的熱管理是改善散熱的有效措施。
聚合物基TIM因其優異的電絕緣性能、輕量化和高穩定性而受到廣泛關注。與普通熱塑性材料相比,超高分子量聚乙烯(UHMWPE)由于分子量和纏結大,不存在粘性流動。即使在芯片過熱的極端情況下,基于UHMWPE的TIMs也不會因為熔體流動而對電子元件造成不可逆的損壞,但是其粘度阻礙了基于UHMWPE的復合材料的制造。
雖然石墨、石墨烯、碳納米管(CNTs)、碳纖維、銀顆粒、銀納米線、銅納米線具有較高的導熱性,但其較差的絕緣特性阻礙了TIMs在芯片封裝領域的推廣應用。氮化硼(BN)在陶瓷填料中導熱系數最高(>250 W/mK),具有良好的電絕緣性和較低的成本。因此具有制備各向異性復合材料的優勢。
制備取向復合材料的傳統方法,如化學氣相沉積、磁場或電場、冷凍鑄造和真空過濾等,通常效率低下。此外,填料互連性低和三維導熱網絡的結構缺陷嚴重限制了復合材料導熱性能的提高。因此,有必要探索高效的成型方法來制備具有高導熱性的BN/UHMWPE復合材料。
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