Ansys多物理場解決方案通過臺積電N2芯片工藝認證
Ansys榮獲臺積電N2工藝認證,包括自熱效應,以實現提高芯片可靠性和優化設計
主要亮點
Ansys? Redhawk-SC?和Ansys? Totem?電源完整性平臺已通過臺積電N2工藝認證
該認證包括器件和導線的自發熱計算以及散熱器感知的電遷移流程等
Ansys宣布Ansys電源完整性軟件通過臺積電N2工藝技術認證,這將進一步深化Ansys與臺積電的長期技術合作。采用納米片(nanosheet)晶體管結構的臺積電N2工藝標志著半導體技術的重大進步,其可為高性能計算(HPC)、移動芯片和3D-IC 芯粒(chiplets)帶來顯著的速度及功耗優勢。Ansys RedHawk-SC和Ansys Totem都已通過N2電源完整性簽核認證,其中包括自發熱對導線及晶體管長期可靠性的影響。這項最新認證也是基于此前Ansys平臺通過臺積電N4和N3E FinFLEX工藝認證的合作上的延續。
臺積電設計基礎架構管理部負責人Dan Kochpatcharin表示:“臺積電始終與我們的Open Innovation Platform?(OIP)生態系統合作伙伴密切合作,臺積電最先進的N2工藝全套設計解決方案,可幫助雙方客戶實現最佳設計結果。我們與Ansys RedHawk-SC和Totem分析工具的最新協作,不僅有助于我們的客戶從N2技術顯著的功耗和性能改進中獲得巨大優勢,同時確保預測性準確的電源和熱簽核,從而實現其設計的長期可靠性。”
通過Ansys RedHawk-SC進行片上熱/自熱分析
隨著技術規模的不斷擴大,開關器件的自發熱效應和互連的電流傳導會對電路的可靠性產生影響。Ansys和臺積電已經展開合作,利用散熱器感知流程對此進行正確建模,該流程通過考慮可能會影響局部熱點散熱的相鄰導線的熱傳導,提高了熱量預測的準確性。通過這些計算,設計人員不僅可利用預測準確性來評估裕量,還可通過避免揮霍的過度設計來提高電路性能。
Ansys副總裁兼電子、半導體和光學事業部總經理John Lee指出:“Ansys已經為從半導體到系統的整個設計流程開發了一套綜合熱管理流程。我們與臺積電的持續合作,將我們的多物理場分析擴展至最先進的工藝技術領域,我們共同開發了新穎的解決方案,以管理高速應用中的發熱和熱耗散問題。”
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