CINNO Research 產業資訊，富士膠片株式會社（FUJIFILM）計劃在2023年末，將一種專用于半導體后段工序的CMP漿料（Chemical Mechanical Polishing Slurry，化學機械拋光漿料，以下簡稱為：“CMP漿料”）投放市場。隨著半導體后段工序層數越來越多，排線間距（Pitch）越來越窄等技術的發展，使重布線層（Re-distributed Layer，簡稱為:“RDL”）的平坦化加工成為必要。富士膠片把握上述市場需求，力爭在2023年末實現CMP漿料的量產。昭和電工Materials也在推進研發用于半導體后段工序的CMP漿料，因此，新一代技術的普及有望帶動半導體材料的市場需求，尤其是日本企業市占率較高的材料。

富士膠片株式會社（圖片來源：雅虎新聞）

CMP漿料是將半導體表面硬度不同的排線和絕緣膜實現表面平坦化的研磨劑。半導體芯片（Chip）的重布線（Re-distributed）主要通過鍍銅來實現，而用于半導體后段工序的CMP漿料的研磨對象不是金屬，而是絕緣材料，如聚酰亞胺、環氧樹脂等。為了獲得更多客戶，如今，富士膠片正在向處于半導體后段工序的OSAT（Outsourced Semiconductor Assembly and Testing，簡稱為：“OSAT”，半導體外包封裝測試工廠）等企業提案CMP漿料。

與半導體前道工序一樣，后段工序中也以膠體硅（Colloidal Silicon）作為研磨粒子。但是，由于后段工序中研磨對象的性質不同，因此，需要調整研磨劑的配比（如加入添加劑等），以提高研磨精度。富士膠片不僅籌備了多種材質的產品，還可依據客戶要求的精度進行配比。此外，富士膠片還計劃提前研發一些可用于某些材料的清洗劑、以及拋光后使用的清洗劑。

目前，半導體后段工序的多項技術頗受關注，如新一代2.X D封裝、3D封裝等。由于越來越細的重布線（Re-distributed）間距（Pitch）（目的是為了提高半導體的性能）、芯片（Chip）堆疊時的平坦化需求等因素的影響，未來，預計CMP工序的數量還會繼續增加。但是，CMP工序技術極其復雜，目前所需的新材料大都用于研發目的。

富士膠片的用于銅排線的CMP漿料市占率為全球Top Share。據市調公司富士經濟（日本東京都中央區）預測，到2026年，CMP漿料的市場規模將達到18億美元（約人民幣120.6億元），較2021年增長28.6%。據預測，從半導體后段工序技術的研發動向和普及程度來看，未來半導體材料市場有望繼續加速增長。

近年來，半導體前段工藝的線路微縮化和后段工藝中封裝（Packaging）的高密度化備受人們關注。另外，日本企業也在其擅長的半導體設備領域不斷推陳出新，為促進半導體元件的3D技術發展，佳能已經將用于后段工序的i線半導體曝光設備投放市場。

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