長期以來，低壓狀態下的直流輝光放電一直用于氣體激光器和熒光燈。由于解與時間 無關，因此直流放電對于研究很有吸引力。本案例使用等離子體接口來建立對正柱區區的分析，其中通過在陰極處發射二次電子來維持放電。柱內電子密度的仿真結果如圖1所示。

圖1 電子密度

   電子密度峰值出現在陰極下降與正柱區 之間的區域，該區域有時被稱為法拉第暗區。電子密度在徑向上迅速降低，這是由于電子向柱外壁的擴散損失導致在壁上積累表面電荷造成的。負電荷的積累導致柱中心 產生了對壁的正電勢。

   電子溫度仿真結果，如圖2所示。電勢仿真結果，如圖3所示。

圖2 電子溫度

圖3 電勢

   電勢曲線與電勢的線性下降明顯不同， 這導致等離子體消失。陰極區中的強電場會導致陰極發生高能離子轟擊，陰極表面被 加熱繼而導致熱電子發射，從陰極表面發射出更多電子。

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